9月20日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）發(fā)布了公司首臺氧化鎵專用晶體生長設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創(chuàng)新技術(shù)，是鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術(shù)閉環(huán)的新里程碑。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹，鎵仁半導(dǎo)體此次推出的氧化鎵專...  [詳內(nèi)文]

9月17日，據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：晶旭半導(dǎo)體）二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目于2023年12月開工建設(shè)。目前，項目主體已經(jīng)全部封頂，預(yù)計年底之前具備設(shè)備模擬的條件。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目總投資16.8...  [詳內(nèi)文]

8月7日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）迎來了Pre-A輪融資及戰(zhàn)略合作簽約慶典。本輪投資由九智資本領(lǐng)投，普華資本共同投資。公司天使輪投資機構(gòu)藍馳創(chuàng)投、禹泉資本、毅嶺資本均出席共同見證此次融資簽約儀式。 source：鎵仁半導(dǎo)體 鎵仁半導(dǎo)體表示，本輪融資資金的...  [詳內(nèi)文]

7月15日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底，據(jù)稱為目前國際上已報導(dǎo)的最大尺寸。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體介紹，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（0...  [詳內(nèi)文]

6月28日，據(jù)蘇州納米城官微消息，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱鎵仁半導(dǎo)體）近日與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱邁姆思）于杭州簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在先進半導(dǎo)體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域展開深度合作。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，邁姆思將與鎵仁半導(dǎo)體協(xié)作實現(xiàn)SiC和氧化...  [詳內(nèi)文]

據(jù)北京順義消息，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導(dǎo)體”）在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破，已領(lǐng)先于國際同類產(chǎn)品標準。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 銘鎵半導(dǎo)體董事長陳政委表示，半絕緣型（010）鐵摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延，目前國際可做到25毫米...  [詳內(nèi)文]