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據(jù)悉，該項(xiàng)目占地面積16.5畝，總建筑面積2.2萬平方米，總投資2.8億元，預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸GaN外延片12萬片，8英寸GaN外延片12萬片。

據(jù)此前消息，2022年7月底，蘇州獨(dú)墅湖科教創(chuàng)新區(qū)發(fā)布了晶湛半導(dǎo)體GaN外延片年產(chǎn)新增10000片項(xiàng)目環(huán)境影響評(píng)價(jià)第一次公示。根據(jù)公示，晶湛半導(dǎo)體彼時(shí)正在進(jìn)行“蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司氮化鎵外延片年產(chǎn)新增10000片項(xiàng)目”環(huán)境影響評(píng)價(jià)工作。

2022年11月初，晶湛半導(dǎo)體總部大樓建設(shè)項(xiàng)目舉行封頂儀式。該項(xiàng)目于2021年12月2日奠基開工，聚焦GaN外延片的研發(fā)生產(chǎn)。晶湛半導(dǎo)體官方消息顯示，預(yù)期項(xiàng)目建成后，將成為國內(nèi)規(guī)模最大的GaN電力電子材料和微顯示材料生產(chǎn)基地。

作為GaN外延材料廠商，晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認(rèn)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，擁有先進(jìn)的GaN外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)GaN外延材料解決方案。據(jù)稱，晶湛半導(dǎo)體是目前國際上唯一可供應(yīng)12英寸硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商。

自2012年成立以來，晶湛半導(dǎo)體已完成多達(dá)8輪融資，其中包括2022年3月的B+輪融資、2022年12月的C輪融資以及2023年12月的C+輪，3輪融資資金均為數(shù)億元，投資方包括蔚來資本、美團(tuán)龍珠、高瓴資本等眾多機(jī)構(gòu)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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晶湛半導(dǎo)體長期專注于高質(zhì)量GaN材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，此前曾獲得多輪融資。團(tuán)隊(duì)依托豐富的研發(fā)與生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，收獲了眾多海內(nèi)外客戶的青睞，榮獲各級(jí)組織獎(jiǎng)勵(lì)數(shù)十項(xiàng)，多次在行業(yè)頂級(jí)期刊、國際頂級(jí)會(huì)議上發(fā)布創(chuàng)新成果，晶湛半導(dǎo)體已申請(qǐng)專利超過700項(xiàng)、授權(quán)近200項(xiàng)。目前，晶湛半導(dǎo)體已新建成規(guī)模世界領(lǐng)先的GaN外延材料研發(fā)和生產(chǎn)基地，先后通過ISO9001:2015質(zhì)量管理體系和IATF16949:2016車規(guī)質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，滿足了眾多行業(yè)對(duì)產(chǎn)能及產(chǎn)品品質(zhì)的嚴(yán)苛要求。

近年來，GaN材料在不斷涌現(xiàn)的顛覆性創(chuàng)新應(yīng)用上凸顯其獨(dú)特價(jià)值，并且在電力電子和新型顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長。以高速成長的新能源汽車應(yīng)用為例，可以實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度、更高的轉(zhuǎn)換效率、更輕小的系統(tǒng)尺寸和重量的氮化鎵車載電力電子系統(tǒng)應(yīng)用將滿足車體輕量化、系統(tǒng)高效化和長程續(xù)航等核心需求。

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除此以外，包括日益增長的數(shù)據(jù)交換及AI算力需求所帶來的數(shù)據(jù)中心電源高效節(jié)能的需求、電動(dòng)汽車自動(dòng)駕駛帶來的激光雷達(dá)（LiDAR）需求、車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）以及新型高效車用頭燈、車載抬頭顯示、透明顯示等需求都離不開高品質(zhì)GaN材料的支撐。晶湛半導(dǎo)體通過與行業(yè)龍頭企業(yè)、機(jī)構(gòu)合作，推動(dòng)GaN外延技術(shù)在全球各個(gè)市場實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)落地， 提升市場占有率和競爭力。

晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、總裁程凱博士表示：“晶湛公司致力于為半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體客戶提供優(yōu)質(zhì)的材料解決方案，將持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體材料的技術(shù)進(jìn)步。本次融資代表了資本市場對(duì)晶湛發(fā)展與實(shí)力的充分認(rèn)可和信任，今后晶湛將繼續(xù)加大研發(fā)和技術(shù)投入，保持公司在行業(yè)內(nèi)的競爭優(yōu)勢(shì)，加速推進(jìn)GaN材料在汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用?！?/p>

尚頎資本投資團(tuán)隊(duì)表示：“氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體中的新興材料，近年來在電力電子和新型顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用已趨于成熟迎來高速增長。程凱博士是全球首批GaN-on-Si外延材料研究者，并作為該領(lǐng)域國際公認(rèn)的技術(shù)開拓者，帶領(lǐng)晶湛團(tuán)隊(duì)深耕十余年不斷取得多項(xiàng)技術(shù)突破，推動(dòng)氮化鎵外延的產(chǎn)業(yè)化落地。作為本輪領(lǐng)投方及產(chǎn)業(yè)方，我們期待和晶湛一起加速推進(jìn)GaN材料在汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用?！?/p>

文：晶湛半導(dǎo)體

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晶湛半導(dǎo)體是一家提供GaN外延解決方案的專業(yè)外延代工商。在電力電子方面，主要提供各種不同尺寸硅晶圓上GaN HEMT外延片，廣泛涵蓋了200V, 650V, 1200V甚至更高壓的應(yīng)用場景，并能提供耗盡型（D-mode）與增強(qiáng)型（E-mode）兩種外延結(jié)構(gòu)。

近年來公司融資不斷，2022年3月，晶湛半導(dǎo)體宣布完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資。由歌爾微電子（歌爾股份控股子公司）領(lǐng)投，高瓴創(chuàng)投、惠友資本、創(chuàng)新工場、禾創(chuàng)致遠(yuǎn)、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續(xù)加碼。

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8月，晶湛半導(dǎo)體進(jìn)行“蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司氮化鎵外延片年產(chǎn)新增10000片項(xiàng)目”環(huán)境影響評(píng)價(jià)工作。項(xiàng)目在現(xiàn)有租賃廠房內(nèi)進(jìn)行擴(kuò)建，建成后預(yù)計(jì)年新增氮化鎵外延片1萬片。

12月，晶湛半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元C輪融資，這是繼今年3月完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資以來的又一輪融資。

本輪增資由蔚來資本、美團(tuán)龍珠領(lǐng)投，華興資本旗下華興新經(jīng)濟(jì)基金、欣柯資本等跟投，老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。

晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、總裁程凱博士表示：”今后晶湛將繼續(xù)加大研發(fā)和技術(shù)投入，加速推進(jìn)GaN材料在汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。”（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）

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