圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

該項(xiàng)目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，據(jù)稱將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，建成后將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。

公開(kāi)資料顯示，晶旭半導(dǎo)體是一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條核心技術(shù)、以IDM模式運(yùn)行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片，擁有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，已取得多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新。

據(jù)悉，晶旭半導(dǎo)體致力于打造寬禁帶和超寬禁帶化合物半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈，主要產(chǎn)品為氧化鎵基射頻濾波器芯片或器件等，廣泛用于5G通訊、智能物聯(lián)等應(yīng)用領(lǐng)域。

今年2月2日，晶旭半導(dǎo)體與深圳市睿悅投資控股集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：睿悅投資）舉行了戰(zhàn)略投資簽署儀式。

本次睿悅投資作為晶旭半導(dǎo)體的獨(dú)家戰(zhàn)略投資人，對(duì)晶旭半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力晶旭半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬(wàn)片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片項(xiàng)目落成達(dá)產(chǎn)。

近期，氧化鎵材料熱度持續(xù)上漲，在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能建設(shè)等方面不時(shí)傳出新進(jìn)展。

研發(fā)方面，7月15日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底，據(jù)稱為目前國(guó)際上已報(bào)道的最大尺寸。

產(chǎn)能方面，9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：富加鎵業(yè)）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線于9月10日在杭州富陽(yáng)開(kāi)工建設(shè)。據(jù)稱，富加鎵業(yè)是國(guó)內(nèi)目前唯一一家同時(shí)具備6英寸單晶生長(zhǎng)及外延的公司，開(kāi)工建設(shè)的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線也是國(guó)內(nèi)第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：上杭融媒

韓國(guó)特西氪公司總部及半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目落戶江蘇江陰

8月7日，據(jù)“江陰發(fā)布”官微消息，韓國(guó)特西氪公司總部及半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目在江蘇省無(wú)錫市江陰市簽約落戶。

資料顯示，韓國(guó)特西氪半導(dǎo)體公司成立于2018年，是集芯片研發(fā)、生產(chǎn)于一體的半導(dǎo)體高科技公司。其主要產(chǎn)品為碳化硅芯片等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車逆變器及充電器、光伏逆變器等。

據(jù)悉，韓國(guó)特西氪公司總部及半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目總投資2億美元（約14.33億人民幣），注冊(cè)資本1億美元，計(jì)劃落地中國(guó)（江陰）總部基地和半導(dǎo)體設(shè)備裝配加工生產(chǎn)基地，項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年銷售額可達(dá)3.5億元；項(xiàng)目二期規(guī)劃建設(shè)中韓芯谷產(chǎn)業(yè)園，將投資建設(shè)第三代車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝及晶圓概念工廠。

而在今年6月，昕感科技第三代半導(dǎo)體功率模塊項(xiàng)目也簽約落戶無(wú)錫。6月5日，據(jù)“錫東新城”官微消息，昕感科技第三代半導(dǎo)體功率模塊研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目簽約落戶無(wú)錫市錫東新城。此次簽約的項(xiàng)目總投資超10億元，主要建設(shè)車規(guī)級(jí)第三代半導(dǎo)體功率模塊封裝產(chǎn)線，可同時(shí)覆蓋汽車主驅(qū)、超充樁、光伏、工業(yè)等應(yīng)用場(chǎng)景。項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年投產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)產(chǎn)能約129萬(wàn)只/年，產(chǎn)值超15億元/年。

作為一家碳化硅功率芯片和模塊設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)及制造廠商，昕感科技總部位于北京，并分別在江陰和深圳設(shè)有芯片器件生產(chǎn)線和模塊模組研發(fā)中心。

晶旭半導(dǎo)體二期項(xiàng)目主體封頂

8月5日，據(jù)“上杭融媒”官微消息，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司二期項(xiàng)目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目動(dòng)力中心近日完成封頂。

據(jù)悉，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司二期項(xiàng)目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目于2023年12月開(kāi)建，總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。

資料顯示，福建晶旭半導(dǎo)體是一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條核心技術(shù)、以IDM模式運(yùn)行的高新技術(shù)企業(yè)。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片，擁有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，已取得多個(gè)全球首創(chuàng)、國(guó)內(nèi)唯一的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新。晶旭半導(dǎo)體主要產(chǎn)品為氧化鎵基射頻濾波器芯片或器件等，廣泛用于5G通訊、智能物聯(lián)等應(yīng)用領(lǐng)域。

今年2月2日，深圳市睿悅投資控股集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：睿悅投資）與晶旭半導(dǎo)體舉行戰(zhàn)略投資簽署儀式。睿悅投資作為晶旭半導(dǎo)體的獨(dú)家戰(zhàn)略投資人，對(duì)晶旭半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力其實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬(wàn)片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片項(xiàng)目的落成達(dá)產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：上杭縣融媒體中心

據(jù)介紹，晶旭半導(dǎo)體二期項(xiàng)目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線。

公開(kāi)資料顯示，晶旭半導(dǎo)體致力于氧化鎵基通訊射頻濾波器晶圓材料及芯片的研發(fā)生產(chǎn)和服務(wù)，具備氧化鎵半導(dǎo)體外延裝備、工藝及芯片自主開(kāi)發(fā)的能力。公司擁有多項(xiàng)化合物單晶薄膜材料核心專利，特別在5G核心器件：射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術(shù)上，產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G移動(dòng)設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、WIFI和GF市場(chǎng)等領(lǐng)域。

晶旭半導(dǎo)體二期項(xiàng)目負(fù)責(zé)人章加奇表示：“現(xiàn)在整個(gè)項(xiàng)目進(jìn)度，所有的地下工程，樁基工程跟測(cè)試已經(jīng)完成，那研發(fā)大樓總共是七層，現(xiàn)在已經(jīng)做到第五層，正往第六層建起，我們一號(hào)樓的生產(chǎn)廠房，現(xiàn)在已經(jīng)在做一層樓面制作，動(dòng)力中心CUB，已經(jīng)做好地梁，準(zhǔn)備建第一層，食堂宿舍跟其他的倉(cāng)庫(kù)類，也是正在做承臺(tái)地梁階段，預(yù)計(jì)在四月底，五月初所有的主體樓都可以做封頂工作?！?/p>

章加奇指出，現(xiàn)在主要還是在土建施工階段，預(yù)計(jì)六月份會(huì)進(jìn)行機(jī)電工程安裝項(xiàng)目的一個(gè)進(jìn)場(chǎng)。（
集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)悉，此次睿悅投資作為晶旭半導(dǎo)體的獨(dú)家戰(zhàn)略投資人，對(duì)晶旭半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力其實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬(wàn)片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片的落成達(dá)產(chǎn)。

公開(kāi)資料顯示，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司致力于氧化鎵基通訊射頻濾波器晶圓材料及芯片的研發(fā)生產(chǎn)和服務(wù)，具備氧化鎵半導(dǎo)體外延裝備、工藝及芯片自主開(kāi)發(fā)的能力。公司擁有多項(xiàng)化合物單晶薄膜材料核心專利，特別在5G核心器件：射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術(shù)上，處于國(guó)際領(lǐng)先地位，是目前國(guó)際上唯一一家具備氧化鎵基BAW濾波器芯片自主量產(chǎn)交付能力的企業(yè)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G移動(dòng)設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、WIFI和GF市場(chǎng)等領(lǐng)域。

睿悅投資指出，晶旭半導(dǎo)體近期計(jì)劃總投資16億元，進(jìn)一步向第四代超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料及芯片產(chǎn)業(yè)升級(jí)發(fā)展。

企查查顯示，晶旭半導(dǎo)體目前有三個(gè)項(xiàng)目處于備案之中，其中2英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)項(xiàng)目的相關(guān)審批于去年12月28日獲批通過(guò)。

在第四代半導(dǎo)體氧化鎵這一領(lǐng)域，除了屢屢有消息傳來(lái)的日本和中國(guó)外，美國(guó)也有開(kāi)展了相應(yīng)動(dòng)作。

2月2日，美國(guó)阿肯色大學(xué)教授獲得美國(guó)美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)30萬(wàn)美元資助，用于研究基于氧化鎵的電動(dòng)汽車牽引逆變器。他的項(xiàng)目針對(duì)研究氧化鎵封裝功率模塊的集成，以提高電動(dòng)汽車 (EV) 的功率密度和溫度范圍。

該項(xiàng)目與國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室（NREL）合作，旨在創(chuàng)新功率模塊封裝，為氧化鎵功率器件建立可靠的準(zhǔn)則，并展示高密度、高溫牽引逆變器的功能。

“氧化鎵可以使?fàn)恳孀兤鞲?、更輕、更高效，并且能夠在更廣泛的溫度范圍內(nèi)運(yùn)行，”宋指出。 “與傳統(tǒng)的硅和寬帶隙半導(dǎo)體相比，氧化鎵具有更大的帶隙能量。它具有高擊穿電氣強(qiáng)度、低本征載流子濃度以及相應(yīng)的高工作溫度，”他補(bǔ)充道。

他相信，該項(xiàng)目的成功將為氧化鎵器件建模、封裝、柵極驅(qū)動(dòng)、保護(hù)和電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供寶貴的見(jiàn)解。預(yù)計(jì)這將促進(jìn)交通電氣化的進(jìn)步以及在充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境中實(shí)現(xiàn)對(duì)氧化鎵技術(shù)的部署。

文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。