圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目總投資13.5億元，用地面積約3.17萬平方米，建筑面積約5.4-5.7萬平方米，該項目于2023年1月開工建設(shè)，預(yù)計2024年底竣工投用。

該項目建成投產(chǎn)后，預(yù)計年產(chǎn)碳化硅/氮化鎵功率器件2640萬只；年產(chǎn)14.52億只IC及智能功率模塊（IPM）等功率集成模塊；年產(chǎn)362.6萬只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊（含車規(guī)級）。預(yù)計達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值16.66億元。

官網(wǎng)資料顯示，新潔能成立于2013年1月，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體、國硅集成電路四家子公司以及深圳分公司、寧波分公司。新潔能專注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計及銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域。

產(chǎn)品方面，新潔能構(gòu)建了IGBT、屏蔽柵MOSFET（SGT MOSFET）、超結(jié)MOSFET（SJ MOSFET）、溝槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大產(chǎn)品工藝平臺，并已陸續(xù)推出車規(guī)級功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊、柵極驅(qū)動IC、電源管理IC等產(chǎn)品，電壓覆蓋12V-1700V全系列。

目前，新潔能的SiC MOSFET部分產(chǎn)品已通過客戶驗證并實(shí)現(xiàn)小規(guī)模銷售，GaN HEMT部分產(chǎn)品已開發(fā)完成并通過可靠性測試。

具體來看，新潔能已開發(fā)完成1200V 23mohm-75moh和750V 26mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新增產(chǎn)品6款，相關(guān)產(chǎn)品處于小規(guī)模銷售階段；650V/190mohm E-Mode GaN HEMT產(chǎn)品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT已開發(fā)完成，新增產(chǎn)品2款，100V/200V GaN產(chǎn)品正在開發(fā)中。

業(yè)績方面，2024年上半年，新潔能實(shí)現(xiàn)營收8.73億元，同比增長15.16%；歸母凈利潤2.18億元，同比增長47.45%；歸母扣非凈利潤2.14億元，同比增長55.21%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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新潔能上半年實(shí)現(xiàn)營收8.73億元，SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)小規(guī)模銷售

8月12日晚間，新潔能公布了2024年半年度報告。報告顯示，2024年上半年，新潔能實(shí)現(xiàn)營收8.73億元，同比增長15.16%；歸母凈利潤2.18億元，同比增長47.45%；歸母扣非凈利潤2.14億元，同比增長55.21%。

2024年第二季度，新潔能實(shí)現(xiàn)營收5.02億元，環(huán)比增長35.01%；歸母凈利潤1.18億元，環(huán)比增長17.50%。

新潔能主營業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件及功率模塊的研發(fā)設(shè)計及銷售，其構(gòu)建了IGBT、屏蔽柵MOSFET（SGT MOSFET）、超結(jié)MOSFET（SJ MOSFET）、溝槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大產(chǎn)品工藝平臺，并已陸續(xù)推出車規(guī)級功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊、柵極驅(qū)動IC、電源管理IC等產(chǎn)品，電壓覆蓋12V-1700V全系列，重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域包括新能源汽車及充電樁、光伏儲能、AI算力服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心、工控自動化、消費(fèi)電子、5G通訊、機(jī)器人、智能家居、安防、醫(yī)療設(shè)備、鋰電保護(hù)等行業(yè)。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，新潔能的SiC MOSFET部分產(chǎn)品已通過客戶驗證并實(shí)現(xiàn)小規(guī)模銷售，GaN HEMT部分產(chǎn)品已開發(fā)完成并通過可靠性測試。

具體來看，新潔能已開發(fā)完成1200V 23mohm-75moh和750V 26mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新增產(chǎn)品6款，相關(guān)產(chǎn)品處于小規(guī)模銷售階段；650V/190mohm E-Mode GaN HEMT產(chǎn)品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT已開發(fā)完成，新增產(chǎn)品2款，產(chǎn)品各項電學(xué)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平，項目產(chǎn)品已通過可靠性考核，100V/200V GaN產(chǎn)品正在開發(fā)中。

盛美上海上半年營收同比增長49.33%，推出6/8英寸化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品線

8月5日晚間，盛美上海公布了2024年半年度報告。2024年上半年，盛美上海實(shí)現(xiàn)營收24.04億元，同比增長49.33%；歸母凈利潤4.43億元，同比增長0.85%；歸母扣非凈利潤4.35億元，同比增長6.92%。

盛美上海致力于為全球集成電路行業(yè)提供設(shè)備及工藝解決方案，包括清洗設(shè)備（包括單片、槽式、單片槽式組合、超臨界CO2干燥清洗、邊緣和背面刷洗）、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備、立式爐管系列設(shè)備（包括氧化、擴(kuò)散、真空回火、LPCVD、ALD）、前道涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備；后道先進(jìn)封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，盛美上海推出了6/8英寸化合物半導(dǎo)體濕法工藝產(chǎn)品線，以支持化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的工藝應(yīng)用，包括碳化硅、氮化鎵和砷化鎵（GaAs）等。

關(guān)于業(yè)績增長原因，盛美上海表示，上半年其營收同比增長49.33%，主要原因是受益于中國半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備需求持續(xù)旺盛，公司收入持續(xù)增長；公司在新客戶拓展和新市場開發(fā)方面取得了成效，成功打開新市場并開發(fā)了多個新客戶，提升了整體營收；公司新產(chǎn)品逐步獲得客戶認(rèn)可，收入穩(wěn)步增長。

均勝電子上半年凈利同比增長34.14%，汽車電子業(yè)務(wù)毛利率約19.3%

7月29日晚間，均勝電子發(fā)布了2024年半年度業(yè)績快報公告。2024年上半年，均勝電子實(shí)現(xiàn)營收270.80億元，同比增長0.24%；歸母凈利潤6.38億元，同比增長34.14%；歸母扣非凈利潤6.40億元，同比增長61.47%。

關(guān)于業(yè)績變動原因，均勝電子表示，其近年來重點(diǎn)推進(jìn)的各項降本增效措施成效顯著，成本持續(xù)優(yōu)化，2024年上半年整體毛利率水平同比穩(wěn)步提升2.4個百分點(diǎn)至約15.8%，主營業(yè)務(wù)盈利能力持續(xù)增強(qiáng)，特別是汽車安全業(yè)務(wù)毛利率同比提升3.6個百分點(diǎn)至約14.3%，隨著歐洲、美洲區(qū)域業(yè)務(wù)的持續(xù)改善，汽車安全業(yè)務(wù)業(yè)績實(shí)現(xiàn)連續(xù)多個季度環(huán)比提升，全球四大業(yè)務(wù)區(qū)域均已實(shí)現(xiàn)盈利，業(yè)績增長顯著；汽車電子業(yè)務(wù)毛利率約19.3%，繼續(xù)保持相對穩(wěn)定。

分國內(nèi)外地區(qū)看，均勝電子主營業(yè)務(wù)國內(nèi)地區(qū)毛利率同比提升2.74個百分點(diǎn)至約18.79%，國外地區(qū)毛利率同比提升2.24個百分點(diǎn)至約14.97%。此外，第二季度單季度公司整體毛利率水平同比提升2.3個百分點(diǎn)至約16.1%，環(huán)比第一季度提升0.6個百分點(diǎn)左右。

此外，均勝電子把握智能電動汽車滲透率持續(xù)提升、中國自主品牌及頭部新勢力品牌市占率不斷提高、國內(nèi)車企出海等市場機(jī)遇，積極拓展重點(diǎn)客戶，優(yōu)化新業(yè)務(wù)訂單結(jié)構(gòu)，2024年上半年其全球累計新獲訂單全生命周期金額約504億元。

據(jù)悉，均勝電子是全球最早實(shí)現(xiàn)800V高壓平臺產(chǎn)品量產(chǎn)的供應(yīng)商之一。2019年，保時捷發(fā)布全球首款基于800V平臺打造的汽車Taycan，便搭載了均勝電子首代高性能800V高壓平臺功率電子產(chǎn)品。

Veeco Q2實(shí)現(xiàn)營收1.759億美元，碳化硅設(shè)備有望年內(nèi)投入市場

8月6日，Veeco公布了2024年第二季度財務(wù)業(yè)績。其2024年第二季度實(shí)現(xiàn)營收1.759億美元（約12.63億人民幣），去年同期為1.616億美元，同比增長9%，上個季度為1.745億美元，環(huán)比增長1%。

2024年Q2，Veeco按照美國通用會計準(zhǔn)則（GAAP）計算的凈利潤為1490萬美元（約1.07億人民幣），或每股攤薄收益0.25美元，去年同期凈虧損8530萬美元，或每股攤薄虧損1.61美元；按照非美國通用會計準(zhǔn)則（Non-GAAP）計算的凈利潤為2540萬美元（約1.82億人民幣），或每股攤薄收益0.42美元，去年同期為2060萬美元，或每股攤薄收益0.36美元。

按部門劃分，其半導(dǎo)體部門（前道和后道，以及EUV光罩系統(tǒng)和高級封裝）從第一季度的1.204億美元下降了9%，至1.099億美元（占總收入的63%），但比去年同期的1.063億美元有所增長。

化合物半導(dǎo)體部門（功率電子、射頻濾波器和器件應(yīng)用，以及包括Mini/Micro LED、VCSEL、激光二極管在內(nèi)的光電子產(chǎn)品）貢獻(xiàn)了1820萬美元（占總收入的10%），較上個季度的2100萬美元和去年同期的2410萬美元有所下降。

數(shù)據(jù)存儲部門（用于薄膜磁頭制造的設(shè)備）貢獻(xiàn)了3400萬美元（占總收入的19%），大約是上個季度1800萬美元和去年同期1390萬美元的兩倍。

科學(xué)及其他部門（研究機(jī)構(gòu)和其他應(yīng)用）貢獻(xiàn)了1380萬美元（占總收入的8%），較上個季度的1510萬美元和去年同期的1740萬美元有所下降。

按地區(qū)劃分，Veeco中國市場收入占比為37%（與上個季度持平，比去年同期的31%有所上升），由半導(dǎo)體銷售帶動；亞太地區(qū)（不包括中國）市場收入占比從去年同期的36%和上個季度的37%下降到25%；美國市場收入占比為24%，比上個季度的16%和去年同期的22%有所上升；歐洲、中東和非洲（EMEA）市場收入占比從去年同期的6%和上個季度的5%反彈至14%。

Veeco看好化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的增長機(jī)會，正在持續(xù)對GaN功率半導(dǎo)體和Micro LED市場追加投資。此前，Veeco已開發(fā)了12英寸硅基GaN Micro LED沉積設(shè)備，有望于2025年收到訂單。

在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，Veeco去年通過收購CVD化學(xué)氣相沉積外延設(shè)備系統(tǒng)廠Epiluvac AB切入SiC外延設(shè)備市場。Veeco已與客戶就SiC設(shè)備的推廣應(yīng)用進(jìn)行洽談，其SiC設(shè)備2024年有望投入市場。

展望2024年第三季度，Veeco預(yù)計實(shí)現(xiàn)營收1.7億美元至1.9億美元，GAAP每股攤薄收益預(yù)計0.21美元至0.31美元，Non-GAAP每股攤薄收益預(yù)計0.39美元至0.49美元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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揚(yáng)杰科技取得GaN MOSFET專利

天眼查資料顯示，5月10日，揚(yáng)杰科技取得一項“一種氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)”專利，授權(quán)公告號CN110749389B，申請日期為2019年12月1日，授權(quán)公告日為2024年5月10日。

該專利摘要顯示，一種氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)、涉及功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)。提供了一種方便檢測，提供檢測可靠性的氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)。包括芯片、引線框架以及覆蓋在芯片、引線框架上的塑封層，所述芯片包括襯底、制作在襯底上的氮化鎵MOSFET結(jié)構(gòu)層、制作在襯底底部的壓阻、制作在襯底底面上的絕緣層、制作在絕緣層上的電極層，所述襯底的材料為單晶硅。本發(fā)明的氮化鎵MOSFET塑封應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)的制備工藝與常規(guī)氮化鎵MOSFET芯片制備和封裝工藝兼容，制備過程簡單易行。

source：天眼查

此前，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，揚(yáng)杰科技全面聚焦SiC產(chǎn)業(yè)，其2023年年報顯示，公司已開發(fā)上市G1、G2系SiC MOSFET產(chǎn)品，型號覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量出貨，其中1200V SiC MOSFET平臺的比導(dǎo)通電阻（RSP）已做到3.5mΩ.cm2以下，F(xiàn)OM值達(dá)到3300mΩ.nC以下，可對標(biāo)國際水平。2023年，揚(yáng)杰科技還開發(fā)了FJ、Easy Pack等系列SiC模塊產(chǎn)品。目前，其各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲充、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

其中，在當(dāng)前十分火熱的車用場景，揚(yáng)杰科技自主開發(fā)的車載SiC模塊已經(jīng)研制出樣，目前已經(jīng)獲得多家 Tier1 和終端車企的測試及合作意向，計劃于 2025 年完成全國產(chǎn)主驅(qū)SiC模塊的批量上車。

在此前已組建GaN研發(fā)團(tuán)隊的基礎(chǔ)上，伴隨著此次揚(yáng)杰科技取得新專利，其業(yè)務(wù)布局有望進(jìn)一步向GaN產(chǎn)業(yè)加大滲透。

新潔能取得SiC SBD專利

天眼查資料顯示，5月10日，新潔能取得一項“一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管及其制造方法”專利，授權(quán)公告號CN109037356B，申請日期為2018年10月15日，授權(quán)公告日為2024年5月10日。

該專利摘要顯示，本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管，半導(dǎo)體基板包括N型碳化硅襯底及N型碳化硅外延層，在N型碳化硅外延層內(nèi)的上部設(shè)有若干個間隔分立的條形第一P型阱區(qū)及條形第一N型阱區(qū)，在條形第一P型阱區(qū)和條形第一N型阱區(qū)下方或下表面設(shè)有若干個間隔分立的條形第二P型阱區(qū)及條形第二N型阱區(qū)，條形第一P型阱區(qū)分別與條形第二P型阱區(qū)、條形第二N型阱區(qū)間呈30度~90度的夾角；本發(fā)明通過在條形第一P型阱區(qū)下方設(shè)置與條形第一P型阱區(qū)呈一定夾角的條形第二P型阱區(qū)，同時提高條形P型阱區(qū)間條形N型阱區(qū)的摻雜濃度，大幅增加器件的擊穿電壓，改善器件的浪涌電流能力。

source：天眼查

作為一家功率半導(dǎo)體廠商，新潔能目前正在全面布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩大代表材料SiC和GaN。在SiC領(lǐng)域，2023年，新潔能已開發(fā)完成1200V 23mΩ 75mΩ和750V 26mΩ SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新增產(chǎn)品12款，相關(guān)產(chǎn)品處于小規(guī)模銷售階段。

在GaN領(lǐng)域，2023年，新潔能650V/190mΩ E-Mode GaN HEMT產(chǎn)品、650V 460mΩ D-Mode GaN HEMT已開發(fā)完成，新增產(chǎn)品2款，并通過可靠性考核，其100V/200V GaN產(chǎn)品正在開發(fā)中。

此次取得新專利，有助于新潔能進(jìn)一步提升SiC SBD產(chǎn)品技術(shù)水平。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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資料顯示，無錫金蘭華清半導(dǎo)體合伙企業(yè)（有限合伙）經(jīng)營范圍包括：半導(dǎo)體分立器件制造。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，新潔能專注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計及銷售，旗下產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域。

通過查詢新潔能官網(wǎng)可知，目前該公司能提供的650V和1200V SiC功率MOSFET產(chǎn)品，具有電流密度大、擊穿電壓高、損耗低等特點(diǎn)。同時該系列產(chǎn)品具有優(yōu)良的短路能力，為應(yīng)用中的突發(fā)狀況提供充足的裕量。該系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、太陽能逆變器、充電樁、服務(wù)器電源等領(lǐng)域。

文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理

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據(jù)悉，新潔能成立于2013年1月，注冊資本為21300萬元，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體、國硅集成電路四家子公司以及深圳分公司、寧波分公司。公司的主營業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計及銷售，公司銷售的產(chǎn)品按照是否封裝可以分為芯片和封裝成品。公司是專業(yè)化垂直分工廠商，芯片由公司設(shè)計方案后交由芯片代工企業(yè)進(jìn)行代工生產(chǎn)，封裝成品由公司委托外部封裝測試企業(yè)對芯片進(jìn)行封裝測試而成。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長41.4%。

與此同時，受惠于下游應(yīng)用市場的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源。

（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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