Tag Archives: 新潔能

13.5億，新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目即將竣工投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 18 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
10月17日，據(jù)無(wú)錫市新吳區(qū)官網(wǎng)消息，位于無(wú)錫市高新區(qū)（新吳區(qū)）的新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目即將竣工投產(chǎn)。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 據(jù)悉，新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資13.5億元，用地面積約3.17萬(wàn)平方米，建筑面積約5.4-5.7萬(wàn)平方米，該項(xiàng)目于2023年1月開(kāi)工建設(shè)...  [詳內(nèi)文]

新潔能、盛美上海、均勝電子、Veeco公布最新業(yè)績(jī)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 13 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
近期，4家碳化硅相關(guān)廠商新潔能、盛美上海、均勝電子、Veeco公布了最新的業(yè)績(jī)報(bào)告，其中，新潔能、盛美上海、均勝電子均實(shí)現(xiàn)營(yíng)收凈利雙增長(zhǎng)。 新潔能上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.73億元，SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)小規(guī)模銷(xiāo)售 8月12日晚間，新潔能公布了2024年半年度報(bào)告。報(bào)告顯示，2024年...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技、新潔能取得SiC、GaN相關(guān)專(zhuān)利
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 13 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
近日，揚(yáng)杰科技和新潔能2家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商分別取得SiC、GaN相關(guān)專(zhuān)利。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 揚(yáng)杰科技取得GaN MOSFET專(zhuān)利 天眼查資料顯示，5月10日，揚(yáng)杰科技取得一項(xiàng)“一種氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)”專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN110749389B，申請(qǐng)日...  [詳內(nèi)文]

新潔能成立新半導(dǎo)體公司
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 05 日 17:50 | 分類(lèi) 企業(yè)
據(jù)企查查顯示，近日，無(wú)錫金蘭華清半導(dǎo)體合伙企業(yè)（有限合伙）成立，注冊(cè)資本為5000萬(wàn)元，無(wú)錫新潔能股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)“新潔能”）為該公司執(zhí)行事務(wù)合伙人，持有該公司63.6%股份。 資料顯示，無(wú)錫金蘭華清半導(dǎo)體合伙企業(yè)（有限合伙）經(jīng)營(yíng)范圍包括：半導(dǎo)體分立器件制造。 圖片來(lái)源：...  [詳內(nèi)文]

新潔能推出的SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)驗(yàn)證并可小規(guī)模量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 09 月 15 日 17:45 | 分類(lèi) 功率
近日，無(wú)錫新潔能股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)“新潔能”）在互動(dòng)平臺(tái)表示目前已開(kāi)發(fā)完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新開(kāi)發(fā)650V SiC MOSFET工藝平臺(tái)，用于新能源汽車(chē)OBC、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)及自動(dòng)化等行業(yè)，相關(guān)產(chǎn)品已通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)小規(guī)...  [詳內(nèi)文]