拉普拉斯此次IPO擬募資18億元，募集資金主要用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導體及光伏高端設備研發(fā)制造基地項目以及補充流動資金。其中，光伏和半導體兩個項目投資總額分別為7.70億元、7.98億元，擬使用募集資金投入金額均為6億元。

作為一家高效光伏電池片核心工藝設備及解決方案提供商，拉普拉斯主營業(yè)務為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動化設備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并可為客戶提供半導體分立器件設備和配套產(chǎn)品及服務，其半導體分立器件設備主要包括氧化、退火、鍍膜和釬焊爐設備等一系列產(chǎn)品。

據(jù)悉，在半導體分立器件領域，拉普拉斯相關設備已完成向比亞迪、基本半導體的導入工作。其中，基本半導體專業(yè)從事SiC功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品包括SiC二極管和MOSFET芯片、汽車級SiC功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片等，廣泛用于光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領域。

目前，針對火熱的SiC產(chǎn)業(yè)，拉普拉斯已推出了相關設備。招股書顯示，拉普拉斯半導體分立器件設備產(chǎn)品包括SiC基半導體器件用超高溫氧化爐和SiC基半導體器件用超高溫退火爐。其中，SiC基半導體器件用超高溫氧化爐用于SiC的高溫氧化工藝，高溫下使硅片表面發(fā)生化學反應形成氧化膜，從而起到鈍化、緩沖隔離、保護等作用；SiC基半導體器件用超高溫退火爐用于SiC的高溫退火活化工藝，可以消除晶格缺陷，有效提高器件的可靠性和成品率。

業(yè)績方面，招股書顯示，報告期內(nèi)（2021年度、2022年度及2023年度），受益于新型高效光伏電池片產(chǎn)業(yè)化進展，拉普拉斯經(jīng)營規(guī)模和盈利水平均呈現(xiàn)出快速增長的趨勢，其營收分別為1.04元、12.67億元及29.66億元，扣非歸母凈利潤分別為-0.66億元、1.08億元及3.59億元。

拉普拉斯表示，其半導體分立器件設備目前正處于客戶導入和驗證階段，報告期內(nèi)的收入為0萬元、564.60萬元及1,714.40萬元，半導體分立器件設備業(yè)務處于起步階段、規(guī)模較小，尚未形成持續(xù)性、穩(wěn)定性和規(guī)模化的銷售收入。（集邦化合物半導體Zac整理）

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拉普拉斯此次IPO擬募資18億元，投建于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導體及光伏高端設備研發(fā)制造基地項目，以及補充流動資金。

2020-2022年（簡稱：報告期內(nèi)），拉普拉斯實現(xiàn)營業(yè)收入分別為4072.33萬元、10358.14萬元和126,585.03萬元，對應的凈利潤分別為-4599.63萬元、-5711.25萬元、11897.72萬元。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

拉普拉斯是一家領先的高效光伏電池片核心工藝設備及解決方案提供商，主營業(yè)務為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動化設備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，其中熱制程設備主要包括硼擴散、磷擴散、氧化及退火設備等；鍍膜設備主要包括 LPCVD 和 PECVD 設備等；自動化設備為可以有效提升工藝設備生產(chǎn)效率的配套上下料設備。

在具體產(chǎn)品方面，拉普拉斯持續(xù)對高溫氧化設備和高溫退火設備進行開發(fā)與優(yōu)化，可適用于 SiC 基半導體器件生產(chǎn)工藝；公司 LPCVD 設備可滿足氮化硅/氧化硅/多晶硅（Poly-Si）/非晶硅（α-Si）薄膜沉積技術的應用需求，并適用于半導體分立器件的生產(chǎn)。（文：集邦化合物半導體 Doris整理）

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