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應(yīng)用材料將建下一代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)中心

作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 23 日 17:20 | 分類 氮化鎵GaN
日前,應(yīng)用材料宣布,計(jì)劃在美國(guó)的創(chuàng)新基礎(chǔ)設(shè)施上投資數(shù)十億美元,并從現(xiàn)在到2030年擴(kuò)大其全球制造能力。 該公司計(jì)劃在加州森尼維爾建立下一代基礎(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)和工藝設(shè)備研發(fā)中心,其規(guī)模將取決于政府的支持。這項(xiàng)投資計(jì)劃于2023年初在硅谷啟動(dòng)。 此外,該公司還在對(duì)其全球各地的基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行...  [詳內(nèi)文]