其中，碳化硅功率器件加速“上車”趨勢已十分明朗，近年來，越來越多的新能源新車型導(dǎo)入了碳化硅技術(shù)，而在近期，星途品牌全新純電SUV星紀(jì)元STERRA ES、第二代AION V埃安霸王龍、鴻蒙智行首款豪華旗艦轎車享界S9、2025款海豹、2025款極氪007、嵐圖汽車旗下嵐圖知音SUV等搭載碳化硅的新車型密集發(fā)布，碳化硅和新能源汽車組“CP”已蔚然成風(fēng)。

與此同時，氮化鎵在車用場景的應(yīng)用探索持續(xù)取得新進(jìn)展。圍繞車載充電器、車載激光雷達(dá)等場景，英飛凌、EPC等廠商紛紛推出了相關(guān)產(chǎn)品，推動著氮化鎵車規(guī)級應(yīng)用熱度上漲。

碳化硅/氮化鎵功率器件龍頭角逐車用場景

當(dāng)前，業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅/氮化鎵功率器件在新能源汽車領(lǐng)域有較大的應(yīng)用潛力，因此各大頭部廠商正在積極布局車用場景。

意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等國際半導(dǎo)體大廠在碳化硅功率器件領(lǐng)域深耕多年，在技術(shù)和市場方面占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢，有利于更好地拓展全球業(yè)務(wù)，其中就包括中國市場。

近年來，隨著國內(nèi)新能源汽車市場持續(xù)爆發(fā)式增長，車用碳化硅需求水漲船高，國際巨頭們紛紛加碼中國業(yè)務(wù)，而與車企合作是搶占市場份額最便捷的方式之一。僅2024年以來，圍繞車用碳化硅功率器件和模塊，國際廠商和本土汽車制造商達(dá)成了一系列新的合作，包括意法半導(dǎo)體與長城汽車達(dá)成碳化硅戰(zhàn)略合作、英飛凌與小米達(dá)成協(xié)議、安森美與理想汽車簽署長期合作協(xié)議等。

為降低供應(yīng)鏈成本，意法半導(dǎo)體還與國內(nèi)碳化硅頭部玩家三安合作，斥資數(shù)十億美元在國內(nèi)投建碳化硅器件合資工廠。意法半導(dǎo)體將碳化硅器件產(chǎn)能本地化，不僅有助于降低供貨成本，也有利于其通過產(chǎn)能保障進(jìn)一步開拓中國車用碳化硅業(yè)務(wù)。

降本增效有利于拓展市場，強(qiáng)化技術(shù)優(yōu)勢同樣有助于吸引客戶目光，進(jìn)而達(dá)成合作。例如：2024年上半年，英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術(shù)，在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)提高了20%，在一定程度上提升了整體能效。

目前，產(chǎn)能建設(shè)和技術(shù)迭代升級都是國際巨頭們關(guān)注的焦點(diǎn)，未來各大廠商有望在這兩個方向持續(xù)取得突破。

在國內(nèi)新能源汽車市場，國際碳化硅功率器件大廠正在加速導(dǎo)入相關(guān)產(chǎn)品，本土相關(guān)企業(yè)則奮起直追，想要分一杯羹。

在PCIM Asia 2024國際電力元件、可再生能源管理展覽會期間，集邦化合物半導(dǎo)體分別和英飛凌、安森美、EPC、賽米控丹佛斯、Soitec和斯達(dá)半導(dǎo)體進(jìn)行了交流，了解到6家國內(nèi)外功率器件知名廠商在碳化硅、氮化鎵車用場景的布局及進(jìn)展情況。

英飛凌

國際廠商方面，英飛凌目前致力于從性價比、可靠性、效率等三個方面全面提升碳化硅功率器件產(chǎn)品競爭力，疊加作為國際IDM大廠在技術(shù)、市場等方面的深厚積累，使其能夠更好地響應(yīng)包括車用在內(nèi)的功率器件各類市場需求。

在PCIM Asia 2024國際電力元件、可再生能源管理展覽會上，在電動交通出行展區(qū)，英飛凌首次向國內(nèi)市場展示了旗下汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的HybridPACK Drive G2 Fusion模塊和Chip Embedding功率器件，其中HybridPACK Drive G2 Fusion模塊融合了IGBT和碳化硅芯片，在有效減少碳化硅模塊成本的情況下同時顯著提升了模塊的應(yīng)用效率，而Chip Embedding則可以直接集成在PCB板中，做到極小的雜散和高集成度的融合。

針對汽車電控，英飛凌電控系統(tǒng)解決方案采用第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊的電機(jī)控制器系統(tǒng)進(jìn)行演示，該系統(tǒng)集成了AURIX TC4系列產(chǎn)品、第二代1200V SiC HybridPACK Drive模塊、第三代EiceDRIVER驅(qū)動芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等。

針對OBC（車載充電器）/DC-DC應(yīng)用，英飛凌展示了其完整的頂部散熱方案：7.2kW磁集成Tiny Box頂部散熱解決方案，實(shí)現(xiàn)了高功率密度的電氣以及高集成結(jié)構(gòu)方案的有效融合。

安森美

安森美現(xiàn)場應(yīng)用工程師Sangjun Koo表示，安森美在碳化硅領(lǐng)域的布局具備兩大優(yōu)勢，其一是針對碳化硅功率器件的市場需求反應(yīng)速度快，能夠快速針對產(chǎn)品布局做出決策；其二是作為全球第二大碳化硅功率器件供應(yīng)商，具備規(guī)?；a(chǎn)能力，能夠保障供貨，基于這些優(yōu)勢，安森美能夠更好地滿足包括車用在內(nèi)的市場需求。目前，安森美還積極布局AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，有望與車用業(yè)務(wù)協(xié)同發(fā)展。

為滿足800V架構(gòu)下的充電需求，高功率OBC逐漸走向市場。安森美的OBC方案采用碳化硅產(chǎn)品，在11kW時的峰值系統(tǒng)效率達(dá)到97%，功率密度高達(dá)2.2?kW/l。此外，這一設(shè)計(jì)還可減少使用無源器件，從而減少PCB面積，有助于實(shí)現(xiàn)汽車輕量化。

為應(yīng)對主驅(qū)逆變器高功率的需求，安森美推出了1200V碳化硅半橋功率模塊B2S，支持最高400kw的輸出功率。該模塊采用了轉(zhuǎn)模注塑封裝方式，同時芯片連接采用銀燒結(jié)工藝，實(shí)現(xiàn)了高可靠性和低熱阻。模塊雜散電感約4nH，內(nèi)部集成onsemi最新的M3碳化硅技術(shù)，確保模塊的高性能。

EPC

EPC公司可靠性副總裁張盛科表示，EPC的低壓GaN器件能夠覆蓋所有48V至12V服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）以及與太空相關(guān)的應(yīng)用需求。他們還在探索人形機(jī)器人和太陽能場景。EPC的LiDAR GaN器件也適用于汽車應(yīng)用。

在PCIM Asia 2024國際電力元件、可再生能源管理展覽會上，EPC展示了一款人形機(jī)器人樣品。該機(jī)器人中的一些關(guān)節(jié)組件很可能采用GaN技術(shù)。此外，EPC還帶來了一輛無人駕駛電動小車，配備了采用EPC GaN功率器件的激光雷達(dá)組件。

賽米控丹佛斯

據(jù)賽米控丹佛斯大中華區(qū)方案和系統(tǒng)銷售總監(jiān)&大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān)Norbert Pluschke介紹，賽米控丹佛斯作為碳化硅模塊封裝領(lǐng)先廠商之一，擁有兩種專為碳化硅優(yōu)化設(shè)計(jì)的封裝形式：一是全橋功率模塊eMPack?平臺，擁有極低的雜散電感（2.5nH），有助于實(shí)現(xiàn)碳化硅的高開關(guān)速度；二是為嚴(yán)苛的汽車牽引逆變器應(yīng)用而開發(fā)的直接冷卻注塑半橋模塊DCM平臺，這項(xiàng)技術(shù)也適用于未來氮化鎵領(lǐng)域。

在PCIM Asia 2024國際電力元件、可再生能源管理展覽會上，賽米控丹佛斯展示了在工業(yè)能源和汽車領(lǐng)域的解決方案，其中包括采用eMPack?和DCM碳化硅模塊的雪鐵龍、伊控動力等公司的新能源汽車電機(jī)控制器產(chǎn)品。

Soitec

Soitec公司業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Gonzalo Picun表示，大尺寸碳化硅（SiC）襯底是當(dāng)前SiC行業(yè)的關(guān)鍵發(fā)展趨勢，能夠有效提升SiC功率器件的生產(chǎn)效率并降低成本。同時，新的材料技術(shù)也在涌現(xiàn)，例如我們SmartSiC襯底產(chǎn)品線中使用的多晶SiC（poly-SiC），它提高了單晶材料的利用效率，同時提升了器件的性能和可靠性。

此外，Soitec還發(fā)現(xiàn)多種創(chuàng)新的SiC生長方法正在開發(fā)中，如液相生長（Liquid Phase growth）和高溫化學(xué)氣相沉積（HT-CVD），這些方法有助于提升單晶SiC的質(zhì)量，從而應(yīng)用于SmartSiC襯底。在此背景下，Soitec正在積極開發(fā)高質(zhì)量的襯底技術(shù)，包括大尺寸襯底。

在產(chǎn)能方面，Soitec位于法國Bernin的新工廠于2023年10月完工，總投資額為3.8億歐元（約合30億元人民幣），占地2,500平方米。該工廠在全面投產(chǎn)后，每年可生產(chǎn)50萬片晶圓，其中80%為SmartSiC晶圓。

Soitec獨(dú)特的技術(shù)——Smart Cut，能夠?qū)⒁粚颖〉母哔|(zhì)量單晶SiC與多晶SiC襯底結(jié)合起來。由此生成的SmartSiC襯底最大限度地提高了SiC材料的利用率，并顯著提升了生產(chǎn)產(chǎn)量?？傮w而言，Soitec具備在新能源車輛（NEVs）SiC應(yīng)用中占據(jù)重要地位的實(shí)力。

斯達(dá)半導(dǎo)體

斯達(dá)半導(dǎo)體在車用領(lǐng)域進(jìn)展較快，據(jù)斯達(dá)半導(dǎo)體副總經(jīng)理湯藝博士介紹，2022年，斯達(dá)半導(dǎo)體成為國內(nèi)首家碳化硅模塊批量進(jìn)入車企（用于小鵬G9車型）的廠商；2023年，其自研碳化硅芯片向北汽等多家車企批量供貨；斯達(dá)半導(dǎo)體自建產(chǎn)線今年也已開始供貨，應(yīng)用范圍覆蓋主驅(qū)逆變器、電源及車載空調(diào)。

斯達(dá)半導(dǎo)體等國內(nèi)碳化硅器件廠商正在持續(xù)推進(jìn)碳化硅“上車”進(jìn)程，各大廠商大有與國際巨頭分庭抗禮之勢。

在碳化硅功率器件加速“上車”的同時，氮化鎵“上車”也已經(jīng)被各大頭部玩家提上日程。其中，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等雙管齊下，同時挖掘車用碳化硅和車用氮化鎵的機(jī)會。其中，意法半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品已經(jīng)或即將導(dǎo)入理想汽車、長城汽車等新能源汽車頭部廠商旗下車型中，同時，其PowerGaN系列產(chǎn)品，在功率更高的應(yīng)用中，也適用于電動汽車及其充電設(shè)施。

EPC公司已經(jīng)開發(fā)了基于氮化鎵的飛行時間（ToF）/激光雷達(dá)參考設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)利用了氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FETs），在激光雷達(dá)電路中提供了快速切換速度、更小的占地面積、高效率和卓越可靠性等優(yōu)勢。目前，EPC公司的eGaN FET已經(jīng)在汽車應(yīng)用中積累了數(shù)十億小時的成功經(jīng)驗(yàn)，包括激光雷達(dá)及雷達(dá)系統(tǒng)。

氮化鎵的汽車應(yīng)用目前還處于早期階段，在車載激光雷達(dá)產(chǎn)品的應(yīng)用相對成熟，并正在往其他車用場景滲透。預(yù)計(jì)到2025年左右，氮化鎵會小批量地滲透到低功率的OBC和DC-DC中，再遠(yuǎn)到2030年，OEM或考慮將氮化鎵引入到主驅(qū)逆變器。

碳化硅/氮化鎵車用趨勢

在國內(nèi)外碳化硅、氮化鎵功率器件廠商的共同努力下，全球汽車產(chǎn)業(yè)尤其是新能源汽車領(lǐng)域正在發(fā)生革命性的轉(zhuǎn)變。

目前，新能源汽車領(lǐng)域正在經(jīng)歷由400V電壓系統(tǒng)向800V電壓系統(tǒng)的轉(zhuǎn)變，在各大廠商最新發(fā)布的新能源車型中，800V高壓碳化硅平臺幾乎成為標(biāo)配，這一轉(zhuǎn)變主要是為了提升電池充電速度、減少電池發(fā)熱、提高電機(jī)工作效率、提升車輛續(xù)航里程并降低制造成本。在這個過程中，碳化硅功率器件發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

在車用領(lǐng)域，1200V甚至是1700V碳化硅功率器件正在成為主流，以便更好地匹配800V或更高電壓等級的車用平臺需求。

400V向800V的轉(zhuǎn)變過程，也是新能源汽車加速普及的過程，從近期主流新能源車企發(fā)布的數(shù)據(jù)情況來看，各大廠商在8月份普遍實(shí)現(xiàn)了銷量大幅增長，并有望延續(xù)增長態(tài)勢，碳化硅功率器件廠商也將持續(xù)受益。

同時，伴隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，對減少能量損耗和可靠性的要求越來越高，碳化硅模塊的集成化需求越來越多。

總結(jié)

近年來，隨著合成技術(shù)的進(jìn)步以及生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，碳化硅襯底、外延成本呈下降趨勢，推動器件、模塊等相關(guān)產(chǎn)品價格持續(xù)下探，有利于其向各類應(yīng)用場景進(jìn)一步滲透，尤其是正在大批量導(dǎo)入的新能源汽車領(lǐng)域，規(guī)模效應(yīng)之下，價格降低更有助于車企加大碳化硅“上車”力度。

與此同時，碳化硅產(chǎn)業(yè)正在由6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型。盡管目前主流產(chǎn)品仍然為6英寸，但8英寸在降本增效方面的效果是顯著的，已成為各大廠商爭相布局的重點(diǎn)方向。未來，隨著8英寸產(chǎn)能逐步釋放，也有望進(jìn)一步推動碳化硅在包括新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域的普及應(yīng)用。

目前，碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用大多數(shù)集中在中高端車型，隨著成本和價格的下降，其有望向新能源汽車中低端車型持續(xù)滲透，進(jìn)一步提升在新能源汽車領(lǐng)域的參與度。

此外，在產(chǎn)業(yè)整合趨勢下，越來越多的碳化硅功率器件廠商選擇與新能源車企合作開發(fā)車用碳化硅產(chǎn)品，以市場和用戶需求為導(dǎo)向，從產(chǎn)業(yè)鏈源頭入手，實(shí)現(xiàn)技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)定制化，縮短產(chǎn)品從研發(fā)、驗(yàn)證到批量應(yīng)用的流程，在實(shí)現(xiàn)降本增效的同時，更好地抓住市場機(jī)遇。

氮化鎵方面，在新能源汽車領(lǐng)域，氮化鎵器件目前主要占據(jù)400V以下應(yīng)用，但部分廠商正在推進(jìn)氮化鎵器件的高壓應(yīng)用研發(fā)，其中包括博世正在開發(fā)一種用于汽車的1200V氮化鎵技術(shù)。未來，氮化鎵功率器件將由低壓車載激光雷達(dá)應(yīng)用，逐步向需要更高電壓的主驅(qū)逆變器等應(yīng)用延伸。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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總體而言，8英寸碳化硅時代的腳步已無比臨近，本文將對全球碳化硅芯片廠以及我國碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)進(jìn)行盤點(diǎn)，進(jìn)一步廓清碳化硅產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢。

全球布局：新建14座8英寸碳化硅廠

在全球碳化硅市場中，意法半導(dǎo)體（ST）、安森美（Onsemi）、英飛凌（Infineon）、Wolfspeed羅姆（ROHM）、博世（BOSCH）、富士電機(jī)（Fuji Electric）、三菱電機(jī)、世界先進(jìn)和漢磊、士蘭微、芯聯(lián)集成企業(yè)紛紛宣布建設(shè)自己的8英寸碳化硅芯片廠，如下圖所示。上述廠商中的多家企業(yè)不僅在芯片廠布局完善，在上游襯底和外延等材料端也布局完善。

圖片來源：TrendForce集邦咨詢

ST意法半導(dǎo)體

ST在全球整體的SiC業(yè)務(wù)中（從晶圓到器件甚至延伸至襯底）均占據(jù)著較大的競爭優(yōu)勢。受純電動汽車（BEV）應(yīng)用的推動，碳化硅功率器件行業(yè)保持強(qiáng)勁增長，而ST長期以來在SiC功率器件的研發(fā)方面投入了大量資源，在推動碳化硅功率器件市場快速發(fā)展的同時，也確立了ST在器件市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。

目前ST主要在三地?fù)碛刑蓟杈A廠，其正在現(xiàn)有的意大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋的兩條6英寸晶圓生產(chǎn)線上生產(chǎn)旗艦大批量碳化硅產(chǎn)品，其中ST今年5月31日宣布在意大利卡塔尼亞新建一座8英寸碳化硅工廠，整合了碳化硅生產(chǎn)流程的所有環(huán)節(jié)。新工廠計(jì)劃2026年開始生產(chǎn)，到2033年滿產(chǎn)，滿負(fù)荷產(chǎn)能高達(dá)每周15000片晶圓，預(yù)計(jì)總投資額約為50億歐元。而與中國三安光電合資的中國重慶8英寸碳化硅制造廠將成為ST的第三個碳化硅生產(chǎn)中心，該項(xiàng)目于2023年6月7日宣布，預(yù)計(jì)于2025年第四季度開始投產(chǎn)，并將在2028年全面建成。

而在襯底布局上，早前ST通過購買SiCrystal、Wolfspeed（Cree）的襯底滿足其制造需求，隨后其通過并購瑞典碳化硅襯底廠商N(yùn)orstel AB（現(xiàn)更名為“ST SiC AB”），并與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)，自建意大利卡塔尼亞襯底產(chǎn)線（2022年10月）等方式，逐步完善其SiC制造版圖。

目前， ST生產(chǎn)器件所用的襯底主要由其位于瑞典北雪平和意大利卡塔尼亞的研發(fā)制造基地提供。另外其與三安光電合資的中國重慶8英寸碳化硅制造廠，三安光電則單獨(dú)建造和運(yùn)營一個新的8英寸SiC襯底制造廠為上述合資廠提供襯底，該廠已于今年9月初點(diǎn)亮通線，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬片。

安森美

從碳化硅的襯底、外延，到核心的設(shè)計(jì)和制造，再到封裝，安森美致力于打通整個功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的各個環(huán)節(jié)。綜合來看，安森美在汽車CIS領(lǐng)域、車用功率半導(dǎo)體都處于領(lǐng)導(dǎo)地位。其中安森美的車用EliteSiC系列功率器件平臺廣受行業(yè)好評，為其近幾年在碳化硅器件市場份額的快速提升發(fā)揮了重大作用。

在芯片廠布局上，安森美位于韓國富川的SiC晶圓廠于2023年完成擴(kuò)建，計(jì)劃于2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后過渡到8英寸生產(chǎn)，屆時產(chǎn)能將擴(kuò)大到當(dāng)前規(guī)模的10倍。另外，2024年6月19日，安森美宣布將在捷克共和國建造先進(jìn)的垂直整合碳化硅制造工廠。

在襯底外延材料的獲得上，安森美也與ST一樣主要通過外購、收購、自建的方式滿足其需求。2019年安森美與Wolfspeed（Cree）簽署了多年期協(xié)議購買碳化硅（SiC）裸片和外延片。2021年安森美以415億美元收購了專門生產(chǎn)碳化硅襯底材料的GTAT（GT Advanced Technologies Inc）公司。至今年該公司表示SiC基板材料自給率已超過50%，隨著內(nèi)部材料產(chǎn)能的提升，安森美正朝著實(shí)現(xiàn)50%毛利率的目標(biāo)邁進(jìn)。

自建方面，2022年安森美先是實(shí)現(xiàn)了新罕布什爾州哈德遜碳化硅新工廠的落成，使安森美的SiC晶錠產(chǎn)能同比增加五倍；此外便是上述的安森美在捷克共和國羅茲諾夫的碳化硅工廠，該工廠在未來兩年將使SiC襯底和外延片的產(chǎn)能提高16倍。

英飛凌

英飛凌的碳化硅營收近半數(shù)來自工業(yè)市場，其背靠強(qiáng)大的德國工業(yè)客源穩(wěn)定而深厚。英飛凌也瞄準(zhǔn)了中國飛速增長的電動車市場，其CoolSiC系列在電動汽車、新能源領(lǐng)域、工業(yè)電機(jī)等應(yīng)用上都占據(jù)增量和存量市場，而今年小米SU7上配置的便是由英飛凌提供的CoolSiC功率模塊以及裸芯片產(chǎn)品，更是將英飛凌熱度再拉高。

晶圓廠建設(shè)上，2024年8月8日，英飛凌宣布其位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠一期項(xiàng)目正式啟動運(yùn)營，預(yù)計(jì)2025年可實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。目前英飛凌的產(chǎn)能還在持續(xù)擴(kuò)充，未來五年英飛凌將追加投資高達(dá)50億歐元大幅擴(kuò)建居林第三工廠（Module Three）的二期建設(shè)，旨在建造號稱“全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠”。此外，英飛凌還將正在對位于德國奧地利菲拉赫（Villach）的現(xiàn)有工廠進(jìn)行8英寸改造。

在SiC晶體材料這一環(huán)節(jié)，與其他領(lǐng)先的SiC IDM制造商不同，英飛凌主要通過多元化供應(yīng)商體系以確保其供應(yīng)鏈穩(wěn)定，合作商包括Wolfspeed、 GTAT、Resonac、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、SK Siltron CSS、Coherent等。并且根據(jù)英飛凌近兩年公開消息顯示，目前該企業(yè)還沒有建設(shè)自有的襯底廠計(jì)劃。

Wolfspeed

毫無疑問，Wolfspeed是SiC襯底的先驅(qū)和市場領(lǐng)導(dǎo)者，并且該公司也利用其先發(fā)優(yōu)勢率先實(shí)現(xiàn)從6英寸晶圓過渡到8英寸晶圓。

在上游襯底端，Wolfspeed在美國北卡羅來納州達(dá)勒姆制造的碳化硅材料占全球50%以上。另外，今年3月，位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”封頂，該項(xiàng)目總投資50億美元，預(yù)計(jì)2025年上半年開始生產(chǎn)，屆時將顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能。

在器件制造上，Wolfspeed已在美國紐約的莫霍克谷中擁有全球首家且最大的8英寸SiC工廠，該工廠于2022年4月正式開業(yè)。今年6月官方表示，莫霍克谷廠已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了20%晶圓啟動利用率。此外，2023年1月，Wolfspeed和汽車零部件供應(yīng)商采埃孚宣布在德國薩爾州建造全球最大、最先進(jìn)的8英寸SiC器件制造工廠，業(yè)界消息顯示，該計(jì)劃目前已延期，最早將于2025年開始。

羅姆

背靠日本強(qiáng)大的汽車工業(yè)以及在亞洲市場整合供應(yīng)鏈的能力，羅姆在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域積累較深。在看到碳化硅在電動汽車、工業(yè)市場等諸多領(lǐng)域的發(fā)展前景后，羅姆通過收購和自建的方式，從器件端向襯底材料端延伸。

晶圓廠建設(shè)上，據(jù)羅姆官網(wǎng)介紹，羅姆目前在日本擁有四個基于碳化硅的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，分別位于京都總部、福岡縣筑后工廠和長濱工廠以及宮崎第一工廠。2020年末，羅姆在日本福岡縣筑后工廠建設(shè)了碳化硅新廠房，已于2022年開始量產(chǎn)，而且產(chǎn)線將從量產(chǎn)6英寸晶圓切換為量產(chǎn)8英寸晶圓。在今年的PCIM Asia中，羅姆的工作人員表示，公司預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)八英寸SiC，同時公司的第五代碳化硅MOSFET也將披露。

在襯底業(yè)務(wù)上，羅姆在2009年收購了德國SiC襯底制造商SiCrystal，以滿足自身材料供應(yīng)。此外，2023年7月13日，羅姆宣布計(jì)劃在2024年末開始在其位于日本宮崎縣的第二工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底，即藍(lán)碧石半導(dǎo)體宮崎第二工廠，該工廠原本是太陽能技術(shù)公司Solar Frontier的原國富工廠。

博世（BOSCH）

博世長久以來高度聚焦車用半導(dǎo)體、MEMS傳感器等領(lǐng)域，近年來博世高度看重碳化硅市場，也在進(jìn)行重點(diǎn)投資。

博世現(xiàn)在共有兩座碳化硅生產(chǎn)工廠，分別位于德國羅伊斯特根和美國羅斯維爾。其中，羅伊斯特根工廠于2021年投產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓，目前8英寸碳化硅晶圓便來自該工廠。羅斯維爾則是博世在2023年收購而來，而博世也將在2026年在加州羅斯維爾實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)。

在襯底供應(yīng)上，博世主要通過與上游合作伙伴如天岳先進(jìn)簽訂長期的合作關(guān)系確保后續(xù)襯底的穩(wěn)定供應(yīng)。

三菱電機(jī)

三菱電機(jī)的碳化硅業(yè)務(wù)主要依賴于工業(yè)和鐵路應(yīng)用營收。近些年，三菱電機(jī)將目光投注于快速發(fā)展的電動汽車領(lǐng)域，并加強(qiáng)SiC功率模塊研發(fā)。

今年5月末，三菱電機(jī)表示位于日本熊本縣新建的8英寸SiC工廠的竣工時間將定為2025年9月，投產(chǎn)時間將從2026年4月提前至2025年11月，將主要負(fù)責(zé)8英寸 SiC晶圓的前端工藝。另外，三菱電機(jī)還將加強(qiáng)其6英寸SiC晶圓的生產(chǎn)設(shè)施，以滿足當(dāng)下不斷增長的市場需求。

而在襯底供應(yīng)上，三菱電機(jī)主要與Coherent公司進(jìn)行垂直合作，穩(wěn)定碳化硅襯底的采購以確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。

富士電機(jī)

富士電機(jī)在碳化硅器件的研發(fā)可以追溯到2013年，該公司在日本松本工廠就投產(chǎn)了6英寸SiC晶圓產(chǎn)線，2014年第一代平面型碳化硅MOSFET模塊已經(jīng)應(yīng)用在富士電機(jī)的光伏逆變器上。

今年1月，富士電機(jī)宣布在未來三年（2024至2026財年）投資2000億日元用于碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，包括在日本松本工廠建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)。此外，富士電機(jī)計(jì)劃在其位于青森縣五所川原市津輕工廠從2024年開始量產(chǎn)6英寸碳化硅功率半導(dǎo)體。

而在碳化硅襯底、晶圓材料上，富士電機(jī)主要和天岳先進(jìn)、昭和電工等多個廠商簽署多年供應(yīng)協(xié)議以確保生產(chǎn)的穩(wěn)定性和連續(xù)性。

芯聯(lián)集成

芯聯(lián)集成在紹興越城建立了第一條8英寸碳化硅MOSFET晶圓產(chǎn)線，并于今年4月完成了工程批下線，預(yù)計(jì)明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在2024年，公司計(jì)劃將碳化硅MOSFET的生產(chǎn)能力擴(kuò)展至每月1萬片，較當(dāng)前的5000片/月增長近一倍。此外，芯聯(lián)集成計(jì)劃在2027年底前實(shí)現(xiàn)每月10萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能目標(biāo)，其中包括碳化硅（SiC）MOSFET等產(chǎn)品。

Silan士蘭微

今年6月18日，士蘭微在廈門海滄區(qū)正式啟動了國內(nèi)首條8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目，項(xiàng)目名稱為“士蘭集宏”，總投資達(dá)120億人民幣。該項(xiàng)目將分兩期建設(shè)，旨在形成年產(chǎn)72萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。第一期項(xiàng)目投資70億元，預(yù)計(jì)在2025年第三季度末完成初步通線，并在第四季度實(shí)現(xiàn)試生產(chǎn)，目標(biāo)年產(chǎn)2萬片。二期投資規(guī)模約50億元。

世界先進(jìn)&漢磊

9月10日，晶圓代工大廠世界先進(jìn)宣布，擬投資24.8億新臺幣以獲取漢磊13%的股權(quán)。雙方將進(jìn)行策略合作，共同推動8英寸碳化硅（SiC）晶圓技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造。據(jù)悉，漢磊目前在中國臺灣新竹科學(xué)園擁有1座4/5英寸及2座6英寸晶圓廠，漢磊與世界先進(jìn)的合作將在漢磊現(xiàn)有6英寸晶圓制造技術(shù)及客戶的基礎(chǔ)上，共同合作進(jìn)行8英寸碳化硅技術(shù)平臺開發(fā)及產(chǎn)能布建，預(yù)計(jì)2026年下半年開始量產(chǎn)。

泰國將建首個SiC工廠

近日，泰國投資委員會宣布支持Hana Microelectronics和PTT Group成立的合資企業(yè)FT1 Corporation，投資了115億泰銖（3.5億美元）建設(shè)泰國首家SiC工廠，該工廠將使用從韓國芯片制造商轉(zhuǎn)讓的技術(shù)生產(chǎn)6英寸和8英寸晶圓。消息顯示，該工廠預(yù)計(jì)將于2027年第一季度投產(chǎn)，以滿足汽車、數(shù)據(jù)中心和儲能市場日益增長的需求。

從上述披露的14座碳化硅廠房（在建12座）布局來看，短期內(nèi)僅有Wolfspeed莫霍克谷工廠能夠提供8英寸碳化硅晶圓，最早則從明年開始陸續(xù)有廠家可以供應(yīng)上8英寸碳化硅晶圓。

中國碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展情況幾何？

據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，我國近年來有超100家企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域進(jìn)行布局，其中2024年就有超50個碳化硅項(xiàng)目迎來最新進(jìn)展。如下圖所示，涉及的企業(yè)包括三安半導(dǎo)體、天科合達(dá)、重投天科、天岳先進(jìn)、晶盛機(jī)電、同光股份、東尼電子、科友半導(dǎo)體等等。其中合盛新材多家企業(yè)在8英寸襯底、外延、晶體生長以及設(shè)備等多領(lǐng)域的突破值得關(guān)注。

襯底方面，國外多家大廠已與我國天科合達(dá)、天岳先進(jìn)等企業(yè)簽訂了長期供貨協(xié)議。多方行業(yè)人士表示，中國的碳化硅企業(yè)特別是在襯底制備領(lǐng)域，國內(nèi)襯底企業(yè)的6英寸以及8英寸產(chǎn)品，無論是從產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)能還是價格，都已經(jīng)具備了明顯的競爭力。預(yù)計(jì)未來幾年，國內(nèi)頭部襯底企業(yè)將成為國際市場8英寸襯底的主要供應(yīng)商，市場占比遠(yuǎn)超目前的6英寸。

今年以為我國碳化硅襯底市場動態(tài)頻頻， 9月10日寧波合盛新材宣布其8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目已實(shí)現(xiàn)全線貫通，產(chǎn)品在微管密度、電阻率等關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)優(yōu)異；9月2日天岳先進(jìn)表示，在8英寸碳化硅襯底上，公司率先實(shí)現(xiàn)了自主擴(kuò)徑，完成從8英寸導(dǎo)電型襯底制備到產(chǎn)業(yè)化的快速布局；科友半導(dǎo)體近期則表示，該公司的8英寸碳化硅長晶良率達(dá)到60%左右，8英寸碳化硅襯底加工產(chǎn)線于2023年底調(diào)試完畢后，正陸續(xù)提升產(chǎn)能；世紀(jì)金芯表示，8英寸碳化硅襯底片已與多家國內(nèi)外客戶完成多批次產(chǎn)品驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2024年下半年落成訂單；今年4月11日青禾晶元官方宣布，在國內(nèi)率先成功制備了8英寸碳化硅鍵合襯底。

而在碳化硅外延領(lǐng)域，天域半導(dǎo)體也在加碼擴(kuò)產(chǎn)，據(jù)悉其總部和生產(chǎn)制造中心項(xiàng)目一期即將試產(chǎn)，產(chǎn)能為17萬片/年。另外近期官方也披露了天域半導(dǎo)體的8英寸碳化硅外延工藝技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化能力提升項(xiàng)目；此外，5月13日，?？瓢雽?dǎo)體宣布，公司成功實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)8英寸碳化硅襯底上同質(zhì)外延生長，正式具備8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力；瀚天天成也在今年5月宣布，公司完成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的8英寸碳化硅外延工藝的技術(shù)開發(fā)，瀚天天成正式具備了國產(chǎn)8英寸碳化硅外延晶片量產(chǎn)能力；今年4月，南京百識電子宣布正式具備國產(chǎn)8英寸碳化硅外延晶片量產(chǎn)能力…

而在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域，近日中國電科48所表示，其自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備已實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，通過改進(jìn)激光視覺定位、晶圓自糾偏等技術(shù)，設(shè)備自動化性能更加成熟，提升了產(chǎn)品生產(chǎn)效率；廣州三義激光生產(chǎn)的首批6 & 8英寸碳化硅激光滾圓設(shè)備順利完成生產(chǎn)并正式交付客戶，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率；今年8月納設(shè)智能也成功研制出更大尺寸具有更多創(chuàng)新技術(shù)的8英寸碳化硅外延設(shè)備；晶升股份首批8英寸碳化硅長晶設(shè)備已于今年7月在重慶完成交付；早在去年6月，晶盛機(jī)電就成功研發(fā)出具有國際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備；此外，我國半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)北方華創(chuàng)，面向8英寸襯底和外延制造已有相應(yīng)的設(shè)備產(chǎn)品下線…

總體而言，我國碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展迅速，市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，其中在上游碳化硅襯底制備技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)展，不斷縮小與國際先進(jìn)水平的差距，而在中游器件和模塊制造環(huán)節(jié)與國際大廠還存在較大差距。

第三代半導(dǎo)體應(yīng)用挺進(jìn)AI數(shù)據(jù)中心

過去幾年，關(guān)于第三代半導(dǎo)體市場的討論熱點(diǎn)，多聚焦于電動汽車和工業(yè)市場，但近期汽車芯片市場增長趨緩引起行業(yè)擔(dān)憂。與此同時，AI人工智能浪潮席卷全球，數(shù)據(jù)中心對算力需求的持續(xù)高漲成為了第三代半導(dǎo)體破局的關(guān)鍵。

除了新能源汽車、5G通信、工業(yè)應(yīng)用以外，數(shù)據(jù)中心或?qū)⒊蔀樘蓟璧挠忠粋€強(qiáng)有力加速引擎。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示，在接下來的3-5年，單個數(shù)據(jù)中心的容量將會從傳統(tǒng)的150MW-180MW，提升到500MW兆瓦以上,這意味著電源單元必須具備更高的功率能力，預(yù)計(jì)將從傳統(tǒng)的3kW、4kW，逐步提升至5kW、8kW，甚至10kW。而碳化硅的高功率密度和效率能夠在數(shù)據(jù)中心中發(fā)揮非常重要的作用，能夠幫助數(shù)據(jù)中心電源實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

深圳基本半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理也表示，大型計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施運(yùn)行所需的電能日益增加，需要更高功率、更高能效的電力電子設(shè)備去支撐。給AI處理器供電最高效的選擇就是氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體。具體到碳化硅的應(yīng)用而言，碳化硅具有極小的反向恢復(fù)損耗，可以有效降低能耗，主要應(yīng)用在AI服務(wù)器電源的PFC（功率因數(shù)校正）中。現(xiàn)在多數(shù)企業(yè)都在采用碳化硅二極管替代硅二極管，碳化硅MODFET替代硅MOSFET。

此外，與市場規(guī)模增長形成鮮明對比的是，碳化硅的價格正在快速下降。市場消息顯示，今年碳化硅器件價格對比之前降幅達(dá)約30%。隨著8英寸SiC產(chǎn)能的逐步釋放，預(yù)計(jì)SiC單器件或單位電流密度的成本將進(jìn)一步降低，這也可能成為推動SiC大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

行業(yè)人士表示，即便碳化硅類產(chǎn)品降低，其價格也會遠(yuǎn)高于硅基類產(chǎn)品。對此博世中國區(qū)總裁Norman Roth博士表示，這是由碳化硅的材料特性決定的。此外，碳化硅作為半導(dǎo)體，也存在前期投資巨大，產(chǎn)品周期長的特性，整個價格走勢會呈現(xiàn)出平穩(wěn)的下降，而非斷崖式的下跌。

結(jié)語

總體而言，8英寸碳化硅時代即將到來，材料層的更新將推動半導(dǎo)體行業(yè)開啟新一輪更新?lián)Q代。而對于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，碳化硅領(lǐng)域是一個可以快速趕超的激情領(lǐng)域，未來大有可為。（來源：全球半導(dǎo)體觀察）

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source：安森美

法人預(yù)估，2024年安森美整體產(chǎn)能約40萬片，2025年將達(dá)到60萬片。法人推算碳化硅廠商整體擴(kuò)產(chǎn)情況，以及逆變器、OBC、DC/DC轉(zhuǎn)換器、快充站碳化硅總體需求量，并依照各國際大廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃推算2025年碳化硅產(chǎn)能，總體來看，碳化硅供需缺口將隨著電動車放量持續(xù)擴(kuò)大。

另在今年8月初據(jù)外媒報道，安森美計(jì)劃于今年晚些時候推出8英寸碳化硅晶圓，并于2025年投產(chǎn)。

安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury稱：“我們?nèi)匀话从?jì)劃推進(jìn)，今年將完成8英寸晶圓的認(rèn)證，這包括從襯底到晶圓廠的整個流程。8英寸碳化硅的認(rèn)證將在今年通過，明年開始的收入將符合我們的預(yù)期?！?/p>

針對8英寸碳化硅，安森美于2023年10月完成其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠的擴(kuò)建。據(jù)悉，該工廠滿載時，每年能生產(chǎn)超過100萬片8英寸碳化硅晶圓。富川碳化硅生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)完成8英寸碳化硅工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)8英寸晶圓。

2024年以來，安森美進(jìn)一步加碼碳化硅投資。6月19日，安森美宣布將在捷克共和國建造先進(jìn)的垂直整合碳化硅制造工廠。該工廠將生產(chǎn)安森美的智能功率半導(dǎo)體，這些功率半導(dǎo)體有助于提高電動汽車等應(yīng)用的能效。

安森美計(jì)劃通過一項(xiàng)高達(dá)20億美元（約141.79億人民幣）的多年期投資來擴(kuò)大碳化硅生產(chǎn)，這是該公司之前披露的長期資本支出目標(biāo)的一部分。這項(xiàng)投資將以安森美目前在捷克共和國的業(yè)務(wù)為基礎(chǔ)，包括硅晶體生長、硅和SiC晶片制造（拋光和 EPI）以及硅晶片工廠。目前，該廠每年可生產(chǎn)300多萬片硅片，其中包括10億多個功率器件。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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安森美將于2024年完成8英寸SiC晶圓認(rèn)證

據(jù)外媒報道，安森美計(jì)劃于今年晚些時候推出8英寸SiC晶圓，并于2025年投產(chǎn)。

安森美Q2營收為17.35億美元，比上年第一季度下降1.3億美元，比去年第二季度下降2.65億美元。

安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury說：“我們?nèi)匀话从?jì)劃推進(jìn)，今年將完成8英寸晶圓的認(rèn)證，這包括從襯底到晶圓廠的整個流程。8英寸SiC的認(rèn)證將在今年通過，明年開始的收入將符合我們的預(yù)期?！?/p>

“正如我們最近與大眾汽車集團(tuán)達(dá)成的供應(yīng)協(xié)議所反映的那樣，我們也在繼續(xù)加強(qiáng)我們在汽車領(lǐng)域的碳化硅地位，同時與歐洲、北美和中國的領(lǐng)先全球原始設(shè)備制造商（OEM）一起擴(kuò)大生產(chǎn)。”

然而，安森美本季度的庫存有所增加，部分原因是近年來晶圓廠的出售所致。在市場不明朗的時期，許多公司的需求都在下降，因此第三季度預(yù)測持平。

“幾年前，我們剝離了4家晶圓廠，隨著需求回升，我們將開始在現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)內(nèi)生產(chǎn)這些產(chǎn)品，這筆固定成本高達(dá)1.6億美元，”El-Khoury表示：“我們必須消化這些晶圓廠轉(zhuǎn)型而積累的庫存，隨著我們將其轉(zhuǎn)移到公司的網(wǎng)絡(luò)中，我們開始看到有益的一面?！?/p>

“正如在第一季度所指出的那樣，我們的核心市場需求正在趨于穩(wěn)定。由于客戶在2024 年保持謹(jǐn)慎態(tài)度，去庫存仍在繼續(xù)，部分地區(qū)的情況有所改善，”他說。

針對8英寸SiC，安森美于2023年10月完成其位于韓國富川的先進(jìn)SiC超大型制造工廠的擴(kuò)建。據(jù)悉，該工廠滿載時，每年能生產(chǎn)超過100萬片8英寸SiC晶圓。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)完成8英寸SiC工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)8英寸晶圓。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

Resonac 8英寸SiC外延片即將商業(yè)化

據(jù)日媒報道，Resonac的8英寸SiC外延片品質(zhì)已經(jīng)達(dá)到了6英寸產(chǎn)品的同等水平。目前，公司正在通過提高生產(chǎn)效率來降低成本，樣品評估已經(jīng)進(jìn)入商業(yè)化的最后階段。預(yù)計(jì)一旦成本優(yōu)勢超過6英寸產(chǎn)品，Resonac就會開始轉(zhuǎn)型生產(chǎn)8英寸產(chǎn)品。

Resonac憑借在SiC單晶襯底上形成SiC外延層的技術(shù)優(yōu)勢，擁有非?？捎^的SiC外延片市場份額，并向高端市場供應(yīng)SiC外延片。Resonac開發(fā)的8英寸產(chǎn)品與其供應(yīng)給高端市場的6英寸SiC外延片擁有相同品質(zhì)。Resonac目前面臨的挑戰(zhàn)僅有成本問題，公司正通過設(shè)置最佳參數(shù)和用料，來縮短生產(chǎn)時間并提高產(chǎn)量。

值得一提的是，除了量產(chǎn)8英寸SiC外延片外，Resonac還將在2025年開始量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。（
文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

安森美Q2營收17.352億美元，與大眾簽署多年協(xié)議

7月30日，安森美公布了2024年第二季度業(yè)績。2024年Q2，安森美實(shí)現(xiàn)營收17.352億美元（約125.82億人民幣），按照美國通用會計(jì)準(zhǔn)則（GAAP）和非GAAP計(jì)算的毛利率分別為45.2%和45.3%，GAAP營業(yè)利潤率和非GAAP營業(yè)利潤率分別為22.4%和27.5%，GAAP應(yīng)占收入凈額和非GAAP應(yīng)占收入凈額分別為3.38億美元和4.12億美元，GAAP每股攤薄收益為0.78美元，非GAAP每股攤薄收益為0.96美元。

分業(yè)務(wù)來看，2024年Q2，安森美電源方案部（PSG）、模擬與混合信號部（AMG）、智能感知部（ISG）營收分別為8.35億美元、6.48億美元和2.52億美元。

關(guān)于業(yè)績表現(xiàn)，安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示，隨著安森美在歐洲、北美和中國配合整車廠商（OEM）擴(kuò)產(chǎn)，將不斷鞏固其在汽車領(lǐng)域的碳化硅功率器件領(lǐng)導(dǎo)地位。

7月23日，據(jù)安森美官微消息，安森美近日宣布與大眾汽車集團(tuán)簽署了一項(xiàng)多年協(xié)議，成為其可擴(kuò)展系統(tǒng)平臺（SSP）下一代主驅(qū)逆變器的主要供應(yīng)商，提供完整的電源箱解決方案。該解決方案在集成模塊中采用了基于碳化硅的技術(shù)，可擴(kuò)展至所有功率級別的主驅(qū)逆變器，兼容所有車輛類別。

安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示，這種涵蓋整個功率子組件的完整電源系統(tǒng)解決方案可以在不影響性能的前提下，為不同車輛定制功率需求和增加特性，同時降低成本。

此外，安森美近日推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺EliteSiC M3e MOSFET，并計(jì)劃在2030年前推出多代新產(chǎn)品。EliteSiC M3e MOSFET在可靠且經(jīng)過實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)上顯著降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺能夠?qū)?dǎo)通損耗降低30%，并將關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%。

展望2024年Q3，安森美預(yù)計(jì)GAAP收入17億美元-18億美元，毛利率44.3%-46.3%，營運(yùn)支出3.29億美元-3.44億美元，每股攤薄收益0.85美元-0.97美元。

工業(yè)和碳化硅業(yè)務(wù)疲軟，X-Fab營收下滑

7月25日，X-Fab公布了2024年第二季度業(yè)績。2024年Q2，X-Fab實(shí)現(xiàn)營收2.051億美元（約14.87億人民幣），符合預(yù)期的2億-2.1億美元，同比下降9%，環(huán)比下降4%，主要是由于工業(yè)和碳化硅業(yè)務(wù)疲軟；訂單量為2.484億美元，同比增長12%；息稅折舊攤銷前利潤（EBITDA）為4790萬美元，同比下降23%，EBITDA利潤率為23.3%；息稅前利潤（EBIT）為2280萬美元，同比下降44%。

2024年Q2，X-FAB的核心業(yè)務(wù)汽車、工業(yè)和醫(yī)療收入達(dá)到了1.901億美元，同比下降4%，占總收入的比重為94%。

X-Fab表示，和預(yù)期一樣，由于第一季度訂單量較低，第二季度碳化硅收入同比下降33%，為1160萬美元。預(yù)計(jì)當(dāng)前的疲軟將在第三季度觸底。根據(jù)客戶反饋，X-Fab預(yù)計(jì)其碳化硅業(yè)務(wù)將在第四季度開始復(fù)蘇，2025年將恢復(fù)強(qiáng)勁增長。

目前，X-Fab正在大力擴(kuò)產(chǎn)碳化硅，其2024年的主要支出將包括馬來西亞砂拉越的產(chǎn)能擴(kuò)張項(xiàng)目、法國的持續(xù)產(chǎn)能轉(zhuǎn)換以及德克薩斯州盧伯克碳化硅生產(chǎn)線的進(jìn)一步擴(kuò)建。

2023年，X-FAB在德克薩斯的碳化硅晶圓產(chǎn)量比上一年增加了58%。在砂拉越，X-FAB旨在增加該工廠每月10000片晶圓產(chǎn)能的建筑施工預(yù)計(jì)將在夏季之后完成，并計(jì)劃在今年第四季度開始搬入設(shè)備。

展望未來，X-Fab預(yù)計(jì)2024年Q3收入2.05億-2.15億美元，EBITDA利潤率在24-27%之間。X-FAB將全年預(yù)期收入從9億-9.7億美元調(diào)整至8.6億-8.8億美元，主要由于碳化硅功率器件市場整體復(fù)蘇的延遲；在下調(diào)預(yù)期收入的同時，X-FAB全年EBITDA利潤率預(yù)期范圍已收窄至25-28%。

Aehr公司季度收入反彈，碳化硅成為關(guān)鍵驅(qū)動力

7月29日，Aehr公司公布了2024財年第四季度（截至5月底）業(yè)績。報告期內(nèi)，Aehr實(shí)現(xiàn)營收1660萬美元（約1.2億人民幣），超出了預(yù)期的1540萬美元，去年同期為2230萬美元，上個季度為756萬美元。

其全年?duì)I收從2023財年的6500萬美元增長至2024財年的6620萬美元，超過了預(yù)期的6500萬美元，但低于2023年1月初預(yù)期的7500萬-8500萬美元，以及2023年7月中旬預(yù)期的超過1億美元，原因是自2023年底以來由于電動汽車需求放緩導(dǎo)致的碳化硅器件應(yīng)用的訂單推遲。

按非GAAP計(jì)算，Aehr季度凈收入為2470萬美元（每股攤薄收益0.84美元），較去年同期的680萬美元（每股攤薄收益0.23美元）有所增長，與上個季度的凈虧損0.88萬美元（每股攤薄虧損0.03美元）相比也有顯著改善。因此，Aehr 2024財年全年凈收入為3580萬美元（每股攤薄收益1.21美元），是2023財年1730萬美元（每股攤薄收益0.59美元）的兩倍多。

關(guān)于業(yè)績表現(xiàn)，Aehr總裁兼首席執(zhí)行官Gayn Erickson表示，在過去一年，用于電動汽車碳化硅功率半導(dǎo)體的晶圓級測試和老化設(shè)備是其業(yè)務(wù)的關(guān)鍵驅(qū)動力，預(yù)計(jì)碳化硅將繼續(xù)成為推動當(dāng)前財年及以后收入增長的關(guān)鍵因素。

在季度收入實(shí)現(xiàn)反彈的同時，Aehr持續(xù)收獲訂單。7月16日，Aehr宣布獲得一個碳化硅測試和老化客戶的新訂單，價值1270萬美元，用于支持生產(chǎn)用于電動汽車的碳化硅功率器件的FOX晶圓級全晶圓接觸器，將在接下來的三個月內(nèi)交付。目前。Aehr正在積極與大量新的碳化硅器件和模塊供應(yīng)商接觸，并尋求滿足他們從2025年開始上線的預(yù)期產(chǎn)能。

展望未來，Aehr預(yù)計(jì)在2025財年及以后有顯著的增長機(jī)會。對于2025財年（截至5月），Aehr預(yù)計(jì)收入將增長至新紀(jì)錄，至少為7000萬美元，稅前凈利潤至少占總收入的10%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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當(dāng)前碳化硅這條康莊大道熱鬧非凡。市場最新消息，昨天（7月23日），全球碳化硅大廠安森美（onsemi）向外公布，已與大眾汽車締結(jié)合作關(guān)系。

碳化硅大廠又拿下一單

根據(jù)介紹，安森美（onsemi）與大眾汽車集團(tuán)簽署了一項(xiàng)多年期協(xié)議，成為其可擴(kuò)展系統(tǒng)平臺（SSP）下一代主驅(qū)逆變器的主要供應(yīng)商，提供完整的電源箱解決方案。該解決方案在集成模塊中采用了基于碳化硅的技術(shù)，可擴(kuò)展至所有功率級別的主驅(qū)逆變器，兼容所有車輛類別。

同時，安森美工廠的鄰近優(yōu)勢將加強(qiáng)大眾汽車集團(tuán)的供應(yīng)鏈。大眾汽車集團(tuán)將受益于安森美在捷克共和國擴(kuò)大碳化硅生產(chǎn)的投資計(jì)劃，這項(xiàng)投資將在歐洲建立一個主驅(qū)逆變器電源系統(tǒng)的端到端生產(chǎn)基地。今年6月19日，安森美宣布將在捷克共和國建造先進(jìn)的垂直整合碳化硅制造工廠，該工廠將生產(chǎn)安森美的智能功率半導(dǎo)體，這些功率半導(dǎo)體有助于提高電動汽車、可再生能源和AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的能效。

大眾汽車集團(tuán)動力總成采購高級副總裁Till von Bothmer補(bǔ)充指出，除了垂直整合之外，安森美還依托其亞洲、歐洲和美國等地區(qū)布局碳化硅（SiC）晶圓廠，進(jìn)一步提出了彈性供應(yīng)概念。此外，安森美將不斷提供最新一代的碳化硅技術(shù)，以確保其在市場上的競爭力。

除了大眾汽車，安森美的后端體系鏈還搭上了理想汽車。1月9日，安森美宣布與理想汽車?yán)m(xù)簽長期供貨協(xié)議。協(xié)議簽訂后，理想汽車將在其下一代800V高壓純電車型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片。安森美EliteSiC 1200V產(chǎn)品擁有更高能效、更輕量的設(shè)計(jì)，可增加汽車的續(xù)航里程和加快充電速度，裸芯片產(chǎn)品則便于客戶根據(jù)特定應(yīng)用需求進(jìn)行差異化封裝設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品技術(shù)上，安森美近日推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺EliteSiC M3e MOSFET，并計(jì)劃在2030年前推出多代新產(chǎn)品。EliteSiC M3e MOSFET在可靠且經(jīng)過實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)上顯著降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺能夠?qū)?dǎo)通損耗降低30%，并將關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%?；贓liteSiC M3e MOSFET，安森美的電源箱解決方案能夠在更小的封裝內(nèi)處理更大功率，并能顯著降低能耗。

M3e晶圓（圖片來源：安森美）

據(jù)TrendForce集邦咨詢此前指出，近年來，安森美SiC業(yè)務(wù)進(jìn)展迅速，這主要?dú)w功于其車用EliteSiC系列產(chǎn)品。onsemi位于韓國富川的SiC晶圓廠在2023年完成擴(kuò)建，并計(jì)劃在2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后轉(zhuǎn)為8英寸。自完成對GTAT收購后，目前onsemi的SiC襯底材料自給率已超過50%，隨著內(nèi)部材料產(chǎn)能的提升，公司正在朝著毛利率達(dá)到50%的目標(biāo)前進(jìn)。

值得一提的是，本月初，安森美（onsemi）宣布已完成對SWIR Vision Systems?的收購，通過此次收購，安森美將把硅基CMOS傳感器和制造專長與CQD技術(shù)相結(jié)合，以更低的成本和更高的產(chǎn)量提供高度集成的SWIR傳感器。這將帶來結(jié)構(gòu)更緊湊、成本效益更高的成像系統(tǒng)，具有更寬的光譜，可廣泛應(yīng)用于商業(yè)和工業(yè)領(lǐng)域。

SWIR Vision Systems現(xiàn)已成為安森美的全資子公司，其技術(shù)團(tuán)隊(duì)將并入安森美的智能感知事業(yè)群，該團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)在北卡羅來納州運(yùn)營。安森美表示，此次收購預(yù)計(jì)不會對安森美近期至中期的財務(wù)展望產(chǎn)生重大影響。

從市場地位上看，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動汽車應(yīng)用的驅(qū)動下保持強(qiáng)勁成長，前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營收91.9%，其中意法半導(dǎo)體以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，安森美（onsemi）則是由2022年的第四名上升至第二名。

碳化硅相關(guān)訂單“狂熱”簽署

除了碳化硅制造商之外，搜羅近期訂單情況，包括Axus、愛思強(qiáng)、Aehr、優(yōu)睿譜等多家碳化硅設(shè)備廠商陸續(xù)發(fā)出簽單好消息。

1、Axus簽單頻繁

其中，化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備（CMP）廠商Axus Technology宣布其Capstone CS200系列的銷售勢頭強(qiáng)勁。這家公司這幾個月陸續(xù)收到了來自歐洲、亞洲和北美的碳化硅（SiC）半導(dǎo)體制造商的訂單。

Axus的Capstone訂單包括研發(fā)/工程和即時生產(chǎn)工具，后者配置用于150mm和200mm晶圓的大規(guī)模生產(chǎn)。據(jù)介紹，Capstone是Axus首個新型150/200mm CMP平臺，也是第一個能夠同時處理兩種不同晶圓尺寸的平臺，該設(shè)備可夠提供高吞吐量和產(chǎn)量。自2020年，Axus推出Capstone平臺以來，其不斷豐富產(chǎn)品，推出了針對SiC優(yōu)化的新晶圓載體。

展望市場，Axus工藝技術(shù)總監(jiān)Catherine Bullock表示，得益于對人工智能數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車等電力電子應(yīng)用的需求，碳化硅正在快速增長。

2、愛思強(qiáng)搭上安世半導(dǎo)體

7月16日，愛思強(qiáng)宣布安世半導(dǎo)體訂購了愛思強(qiáng)用于8英寸碳化硅量產(chǎn)的新型G10-SiC設(shè)備，安世半導(dǎo)體還訂購了愛思強(qiáng)的G10-GaN設(shè)備。G10-SiC設(shè)備發(fā)布于2022年9月。

除了安世半導(dǎo)體，今年4月，愛思強(qiáng)曾表示，Wolfspeed在2023年Q3-Q4期間與其簽訂了多個碳化硅設(shè)備訂單。G10-SiC設(shè)備為Wolfspeed的8英寸材料工廠John Palmour碳化硅制造中心提供支持，助力Wolfspeed進(jìn)一步加大、加快8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)。

氮化鎵設(shè)備方面，半導(dǎo)體代工廠BelGaN在去年底宣布將采購愛思強(qiáng)的G10-GaN設(shè)備。

3、Aehr又獲得新訂單

7月16日，Aehr宣布，一家碳化硅測試和預(yù)燒客戶向其訂購了多套WaferPak?全晶圓接觸器，價值1270萬美元（折合人民幣約0.91億元），用于滿足電動汽車市場碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓級預(yù)燒和篩選的生產(chǎn)需求，預(yù)計(jì)將在未來三個月內(nèi)交付。

4月2日，Aehr表示其已收到客戶的初步訂單，訂購一套FOX-NP晶圓級測試和老化系統(tǒng)、多臺WaferPak接觸器和一臺FOX WaferPak對準(zhǔn)器，這些設(shè)備將用于碳化硅器件的工程設(shè)計(jì)、認(rèn)證和小批量生產(chǎn)晶圓級測試和老化，計(jì)劃在未來幾個月內(nèi)發(fā)貨。

資料顯示，Aehr Test Systems是一家位于弗里蒙特的半導(dǎo)體測試及老化設(shè)備供應(yīng)商。其FOX-NP系統(tǒng)配置了新的雙極電壓通道模塊（BVCM）和超高電壓通道模塊（VHVCM），可使用Aehr專有的WaferPak全晶圓接觸器為SiC功率半導(dǎo)體提供新的高級測試及老化功能。

4、優(yōu)睿譜成功交付境外客戶

7月中旬，上海優(yōu)睿譜半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（簡稱“優(yōu)睿譜”）成功交付境外客戶一款碳化硅襯底晶圓位錯及微管檢測的全自動設(shè)備，即SICD200設(shè)備。

優(yōu)睿譜致力于打造半導(dǎo)體前道量測設(shè)備。今年6月，該公司成功交付客戶一款晶圓邊緣檢測設(shè)備SICE200，該設(shè)備可用于硅基以及化合物半導(dǎo)體襯底及外延晶圓的邊緣缺陷檢測。

同時，除了上面的兩款SICE200、SICD200，優(yōu)睿譜另一款SICV200晶圓電阻率量測設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了完全對標(biāo)國外供應(yīng)商測試性能及設(shè)備供應(yīng)鏈的國產(chǎn)化目標(biāo)。同時，針對碳化硅外延晶圓CV測量后有金屬殘留及壓痕的行業(yè)痛點(diǎn)做了針對性創(chuàng)新開發(fā)，成功解決該行業(yè)痛點(diǎn)，目前已得到多家客戶的訂單。

結(jié) 語

總體而言，SiC功率器件具備耐高壓，耐高溫，低能耗，小型化的特點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于電動/混動汽車、充電樁/充電站、高鐵軌交、光伏逆變器中。業(yè)界認(rèn)為，碳化硅已發(fā)展成為綜合性能最好、產(chǎn)業(yè)化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料。目前，碳化硅正處于一個快速成長和高度競爭的市場，規(guī)模經(jīng)濟(jì)比任何其他因素更為重要。未來隨著市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，碳化硅之爭將愈演愈烈，在此之下，相關(guān)廠商也將被市場帶飛，受益不斷。（文：全球半導(dǎo)體觀察）

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source：安森美

安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示，這種涵蓋整個功率子組件的完整電源系統(tǒng)解決方案可以在不影響性能的前提下，為不同車輛定制功率需求和增加特性，同時降低成本。

據(jù)了解，安森美近日推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺EliteSiC M3e MOSFET，并計(jì)劃在2030年前推出多代新產(chǎn)品。憑借安森美獨(dú)特的設(shè)計(jì)和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET在可靠且經(jīng)過實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)上顯著降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺能夠?qū)?dǎo)通損耗降低30%，并將關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%。

據(jù)介紹，基于EliteSiC M3e MOSFET，安森美獨(dú)特的電源箱解決方案能夠在更小的封裝內(nèi)處理更大功率，并能顯著降低能耗。三個集成的半橋模塊安裝在冷卻通道上，通過確保熱量從半導(dǎo)體器件到冷卻液外殼的高效管理，進(jìn)一步提高了系統(tǒng)效率。該解決方案能夠帶來更好的性能、更佳的散熱控制和更高的效率，從而提高電動汽車的續(xù)航里程。

值得一提的是，大眾汽車集團(tuán)也將受益于安森美在捷克共和國擴(kuò)大碳化硅生產(chǎn)的投資計(jì)劃，這項(xiàng)投資將在歐洲建立一個主驅(qū)逆變器電源系統(tǒng)的端到端生產(chǎn)基地。今年6月19日，安森美宣布將在捷克共和國建造先進(jìn)的垂直整合碳化硅制造工廠，該工廠將生產(chǎn)安森美的智能功率半導(dǎo)體，這些功率半導(dǎo)體有助于提高電動汽車、可再生能源和AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的能效。安森美工廠的鄰近優(yōu)勢將加強(qiáng)大眾汽車集團(tuán)的供應(yīng)鏈。

今年以來，安森美加快碳化硅技術(shù)和產(chǎn)品“上車”進(jìn)程，除了本次成為大眾汽車供應(yīng)商外，安森美此前還與理想汽車簽約。1月9日，安森美正式宣布與理想汽車?yán)m(xù)簽長期供貨協(xié)議。

據(jù)悉，此次協(xié)議簽訂后，理想汽車將在其下一代800V高壓純電車型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片。安森美介紹稱，其EliteSiC 1200V產(chǎn)品擁有更高能效、更輕量的設(shè)計(jì)，可增加汽車的續(xù)航里程和加快充電速度，裸芯片產(chǎn)品則便于客戶根據(jù)特定應(yīng)用需求進(jìn)行差異化封裝設(shè)計(jì)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動汽車應(yīng)用的驅(qū)動下保持強(qiáng)勁成長，前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營收91.9%，其中意法半導(dǎo)體以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。

走在前列的ST意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體是全球最早進(jìn)入SiC市場的公司之一，在SiC領(lǐng)域擁有超過20年的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。今年5月末，其宣布投資50億歐元在意大利卡塔尼亞建設(shè)世界首個全流程垂直集成的SiC工廠。據(jù)悉，意大利政府將在歐盟《芯片法案》框架內(nèi)向意法半導(dǎo)體提供20億歐元的補(bǔ)貼。該工廠將于2026年開始生產(chǎn)，并實(shí)現(xiàn)首創(chuàng)的8英寸SiC晶圓的量產(chǎn)，目標(biāo)是到2033年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，滿負(fù)荷生產(chǎn)時每周可生產(chǎn)多達(dá)15000片晶圓，年產(chǎn)能48萬片。

意法半導(dǎo)體2023年SiC產(chǎn)品領(lǐng)域的財報十分亮眼。數(shù)據(jù)顯示，2023年意法半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品營收超11億美元，同比增長60%以上。這一業(yè)績反映了SiC市場的快速增長，以及意法半導(dǎo)體在這一市場的領(lǐng)先地位。并且，意法半導(dǎo)體對其SiC業(yè)務(wù)的未來充滿信心，認(rèn)為SiC市場將繼續(xù)保持高速增長，尤其是在汽車和飛機(jī)電氣化方面的需求將持續(xù)增加。公司設(shè)定了明確的SiC營收目標(biāo)，即在2025年實(shí)現(xiàn)SiC產(chǎn)品營收達(dá)20億美元，到2030年達(dá)到50億美元。

意法半導(dǎo)體的擴(kuò)產(chǎn)步伐一直走在前列，除了上述在意大利卡塔尼亞投資50億歐元建設(shè)世界首個全流程垂直集成的SiC工廠之外，其也在新加坡的工廠增添了前端設(shè)備，并提高了摩洛哥和中國工廠的后端產(chǎn)能。此外，ST與三安光電在中國成立的8英寸SiC合資工廠有望最快在今年年底通線，屆時ST可結(jié)合位于當(dāng)?shù)氐暮蠖畏鉁y產(chǎn)線以及三安光電提供的配套襯底材料工廠，達(dá)到垂直整合效益。

加速趕追的onsemi安森美

onsemi十分看好SiC市場的發(fā)展前景，近三年來，其致力于推動在捷克、韓國、美國三地的擴(kuò)產(chǎn)，并一直積極加強(qiáng)與歐洲、美國、中國等本土供應(yīng)鏈的協(xié)作，以及時滿足終端客戶的需求。其中，onsemi在中國市場的發(fā)展十分值得關(guān)注，目前，onsemi已經(jīng)與中國三家領(lǐng)先的新能源汽車企業(yè)簽訂了長期供應(yīng)協(xié)議，并將這種關(guān)系擴(kuò)展到本土排名前列的傳統(tǒng)汽車制造商，還推動了國內(nèi)首款采用SiC技術(shù)的本土品牌電動車的落地。

據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，onsemi近年來SiC業(yè)務(wù)進(jìn)展迅速，這主要?dú)w功于其車用EliteSiC系列產(chǎn)品。onsemi位于韓國富川的SiC晶圓廠在2023年完成擴(kuò)建，并計(jì)劃在2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后轉(zhuǎn)為8英寸。自完成對GTAT收購后，目前onsemi的SiC襯底材料自給率已超過50%，隨著內(nèi)部材料產(chǎn)能的提升，公司正在朝著毛利率達(dá)到50%的目標(biāo)前進(jìn)。

近期市場最新消息顯示，onsemi將投資高達(dá)20億美元提高其在捷克共和國的半導(dǎo)體產(chǎn)量，以擴(kuò)大該公司在歐洲的產(chǎn)能，因?yàn)闅W盟正在尋求關(guān)鍵供應(yīng)的自給自足。據(jù)悉，該項(xiàng)目將成為捷克共和國最大的一次性直接外國投資。

圖片來源：安森美官方截圖

公開資料顯示，這是onsemi之前披露的長期資本支出目標(biāo)的一部分，這項(xiàng)投資將以該公司在捷克共和國的現(xiàn)有業(yè)務(wù)為基礎(chǔ)，包括硅晶體生長、硅和SiC晶片制造（拋光和 EPI）以及硅晶片工廠。如今，該工廠每年可生產(chǎn)超過300萬片晶片，包括超過10億個功率器件。項(xiàng)目建成后，onsemi將擴(kuò)大其在東部城鎮(zhèn)羅茲諾夫·波德拉德霍斯泰姆的業(yè)務(wù)，以容納SiC半導(dǎo)體的完整生產(chǎn)鏈，包括用于汽車和可再生能源領(lǐng)域的最終芯片模塊。

onsemi電源解決方案部門負(fù)責(zé)人Simon Keeton向路透社透露，新投資的項(xiàng)目可能于 2027 年開始生產(chǎn)，但沒有透露有關(guān)就業(yè)、生產(chǎn)量或預(yù)期收入的更多細(xì)節(jié)。

據(jù)悉，除了上述最新一次擴(kuò)產(chǎn)外，onsemi在捷克的工廠此前已歷經(jīng)3次擴(kuò)產(chǎn)。2022年9月，onsemi宣布未來兩年將投資4.5 億美元（近32億元人民幣），將捷克工廠SiC晶圓拋光和外延片的產(chǎn)能提高16倍。2019和2021年，onsemi分別2次擴(kuò)建捷克工廠，合計(jì)投資超過1.5億美元（約10.6億元人民幣）。

另外，onsemi美國工廠方面，2022年8月，onsemi哈德遜的SiC新工廠已完成擴(kuò)建，計(jì)劃將襯底產(chǎn)能擴(kuò)充5倍。據(jù)悉，2021年8月，onsemi以4.15億美元現(xiàn)金（約28億人民幣）收購了 GTAT，并著手在哈德遜工廠擴(kuò)建4萬平方英尺的工廠場地，安裝了新的SiC熔爐，目前哈德遜工廠總制造空間已達(dá)到27.2萬平方英尺。

根據(jù)onsemi 2023年財報顯示，onsemi去年SiC出貨量超過8億美元，收入同比增長4倍，并且毛利率保持在40%以上，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)了行業(yè)內(nèi)的最高增長。

工業(yè)市場起飛的Infineon英飛凌

英飛凌是行業(yè)內(nèi)十分具有競爭力的SiC技術(shù)供應(yīng)商，Infineon的SiC營收近一半來自于工業(yè)市場。近幾年，英飛凌耗費(fèi)巨資在多地進(jìn)行了英飛凌擴(kuò)產(chǎn)。6月3日，英飛凌最新消息顯示，其已獲得其位于德國德累斯頓的價值50億歐元的智能功率半導(dǎo)體工廠的最終建設(shè)許可。

英飛凌在馬來西亞居林的新晶圓廠計(jì)劃最初獲得了20億歐元的內(nèi)部資金支持，2023年中旬該廠又獲得了50億歐元的注資用于居林第三工廠的建設(shè)和設(shè)備。該工廠致力于打造全球最大的8英寸SiC功率半導(dǎo)體晶圓廠。英飛凌居林公司高級副總裁兼總經(jīng)理Ng Kok Tiong此前表示，公司新廠的一期建設(shè)將于2024年第三季度完工，并且，二期建設(shè)將在未來幾年也陸續(xù)完工。

但是TrendForce集邦咨詢分析，其馬來西亞居林工廠的主要客戶 SolarEdge陷入困境，對Infineon營運(yùn)產(chǎn)生沖擊。相較之下，Infineon的汽車業(yè)務(wù)發(fā)展較為穩(wěn)健，例如近期小米SU7的design win，另外過去相對落后的產(chǎn)能建設(shè)進(jìn)度反倒讓其在市場逆風(fēng)中處于有利地位。相較于其他幾家領(lǐng)先的SiC IDM廠商，Infineon缺少SiC晶體材料的內(nèi)部生產(chǎn)能力，因此積極推動多元化供應(yīng)商體系，以確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定。

除此之外，英飛凌位于奧地利菲拉赫（Villach）工廠的SiC產(chǎn)能還在爬坡中，預(yù)估到2025年?duì)I收可達(dá)10億歐元。英飛凌希望隨著居林超級工廠在2024年底投產(chǎn)，最終帶動其SiC營收于2030年達(dá)到70億歐元，并占據(jù)全球30% SiC器件市場份額。

亟需突破的Wolfspeed

今年3月，Wolfspeed在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour SiC制造中心”舉辦了建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉，“John Palmour SiC制造中心”總投資50億美元，將生產(chǎn)200mm SiC襯底。到2024年底，占地445英畝的一期工程預(yù)計(jì)將完工，預(yù)計(jì)2025年上半年開始生產(chǎn)。屆時，將顯著擴(kuò)大Wolfspeed的材料產(chǎn)能，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。

去年2月初，Wolfspeed宣布計(jì)劃在德國薩爾州建造全球最大、最先進(jìn)的8英寸SiC器件制造工廠，這座歐洲工廠將與莫霍克谷器件工廠（已于2022年4月開業(yè)）、John Palmour SiC制造中心（即美國北卡羅來納州SiC材料工廠）一起，共同構(gòu)成Wolfspeed公司65億美元產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃的重要組成部分。

近期行業(yè)最新消息顯示，Wolfspeed推遲了在德國建設(shè)價值30億美元的工廠的計(jì)劃。此計(jì)劃最早開始于2023年1月，汽車零部件供應(yīng)商采埃孚和Wolfspeed發(fā)出消息稱，計(jì)劃在德國薩爾州（Saarland）投資30億美元建設(shè)一座晶圓工廠，為電動汽車和其他應(yīng)用生產(chǎn)芯片。

行業(yè)消息顯示，具體原因主要與歐盟芯片制造計(jì)劃受阻相關(guān)。引援外媒報道，一位官方發(fā)言人表示，計(jì)劃在薩爾州建立的工廠將生產(chǎn)用于電動汽車的計(jì)算機(jī)芯片，該工廠尚未完全被取消，該公司仍在尋求資金。該發(fā)言人補(bǔ)充說，由于歐洲和美國電動汽車市場疲軟，總部位于北卡羅來納州的 Wolfspeed 削減了資本支出，目前正專注于提高紐約的產(chǎn)量。該公司最早要到 2025 年中期才會在德國開始建設(shè)，比原定目標(biāo)晚了兩年。

顯而易見的，Wolfspeed近年來在SiC領(lǐng)域的擴(kuò)產(chǎn)動作十分頻繁，投資金額巨大，但其近年財報利潤和股價均不太理想。據(jù)悉，自2017年至今，Wolfspeed的營收都沒有超過10億美元，并且持續(xù)虧損，盈利不及預(yù)期。而在過去一年里，Wolfspeed的股價下跌了約50%。實(shí)際上，近年來關(guān)于Wolfspeed考慮出售的消息不絕于耳，傳言中的潛在買家就包括TI德州儀器等國際大廠，歸根究底，還是Wolfspeed的經(jīng)營狀況較為低迷，凈利潤虧損較大。

雖然Wolfspeed在過去兩年里錯失了一些市場機(jī)會，功率元件業(yè)務(wù)市占有所下滑，不過，TrendForce集邦咨詢指出，Wolfspeed仍然是全球最大的SiC材料供應(yīng)商，特別是汽車級 MOSFET襯底，并在8英寸領(lǐng)域具備先發(fā)優(yōu)勢。隨著Wolfspeed的The JP工廠即將投產(chǎn)，有望顯著提高材料產(chǎn)能，并推動莫霍克谷工廠（MVF）的投產(chǎn)進(jìn)程。

穩(wěn)中求進(jìn)的ROHM羅姆

對比上述四家大廠動輒數(shù)倍的增長規(guī)模，羅姆的SiC擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃則顯得溫和許多。2009年，羅姆收購了德國SiCrystal，正式實(shí)現(xiàn)了從SiC晶圓材料到前后端芯片制造組裝等IDM（垂直統(tǒng)合型）產(chǎn)業(yè)鏈的內(nèi)部生產(chǎn)閉環(huán)。這也是羅姆在SiC領(lǐng)域構(gòu)建的技術(shù)壁壘。

去年7月，羅姆宣布收購太陽能電池生產(chǎn)商Solar Frontier在宮崎縣國富町的工廠，計(jì)劃將該工廠用于擴(kuò)大SiC功率器件的產(chǎn)能，未來還將成為羅姆的主要生產(chǎn)基地之一。Solar Frontier曾在該工廠生產(chǎn)CIS薄膜太陽能電池，但已停止運(yùn)營。據(jù)悉，該工廠占地面積約40萬平方米，建筑面積約23萬平方米，其中羅姆計(jì)劃利用現(xiàn)有11.5萬平方米的工廠建筑以及潔凈室，改造成SiC功率器件生產(chǎn)線。據(jù)悉，該工廠預(yù)計(jì)于今年年底開始運(yùn)營，這將成為羅姆第四座SiC晶圓廠。

據(jù)羅姆的估算，通過收購該工廠，2030財年達(dá)產(chǎn)后新的生產(chǎn)基地將會幫助羅姆將整體SiC產(chǎn)能提升到2021財年的35倍。為了達(dá)到這個目標(biāo)，羅姆計(jì)劃到2025年開始轉(zhuǎn)向8英寸SiC晶圓，而屆時可能也會在這次收購的工廠中引進(jìn)8英寸晶圓制造設(shè)備。去年羅姆公布過公司的投資計(jì)劃和目標(biāo)，當(dāng)時該公司計(jì)劃到2025財年（截至2026年3月）前最多向SiC領(lǐng)域投資2200億日元。

羅姆有著堅(jiān)固的營收來源，其不僅掌握了SiC晶圓的生產(chǎn)技術(shù)，更成為和信越化學(xué)以及Sumco一樣的襯底晶圓材料生產(chǎn)商，成為其他半導(dǎo)體制造業(yè)的上游供應(yīng)商。因此，羅姆的營收來源不僅局限于自家SiC半導(dǎo)體成品的生產(chǎn)銷售，這也有利于羅姆大大降低其生產(chǎn)成本。（來源：全球半導(dǎo)體市場觀察）

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6月19日，安森美宣布將在捷克共和國建造先進(jìn)的垂直整合SiC制造工廠。該工廠將生產(chǎn)安森美的智能功率半導(dǎo)體，這些功率半導(dǎo)體有助于提高電動汽車、可再生能源和AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的能效。

source：安森美

安森美計(jì)劃通過一項(xiàng)高達(dá)20億美元（約145.2億人民幣）的多年期投資來擴(kuò)大SiC生產(chǎn)，這是該公司之前披露的長期資本支出目標(biāo)的一部分。這項(xiàng)投資將以安森美目前在捷克共和國的業(yè)務(wù)為基礎(chǔ)，包括硅晶體生長、硅和SiC晶片制造（拋光和 EPI）以及硅晶片工廠。目前，該廠每年可生產(chǎn)300多萬片硅片，其中包括10億多個功率器件。

捷克總理Petr Fiala（彼得·菲亞拉）表示，安森美的這筆投資將使得該工廠現(xiàn)有的產(chǎn)能（每天1000萬顆芯片）倍增。安森美電力解決方案部門負(fù)責(zé)人則表示，新的生產(chǎn)線可能將于2027年開始投產(chǎn)，但未透露有關(guān)就產(chǎn)量或預(yù)期收入等進(jìn)一步細(xì)節(jié)。

據(jù)悉，由于下游需求的帶動，SiC功率器件市場規(guī)模將持續(xù)增長。在此背景下，安森美在SiC領(lǐng)域大力投資擴(kuò)產(chǎn)。2023年5月，安森美表示將投資20億美元，用于擴(kuò)展現(xiàn)有工廠，目標(biāo)是到2027年占據(jù)全球汽車SiC芯片市場40%的份額。

而在2023年10月，安森美宣布，其位于韓國富川的先進(jìn)SiC超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片8英寸SiC晶圓。安森美富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)6英寸SiC晶圓，在2025年完成8英寸SiC工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)8英寸晶圓。

通過本次投資擴(kuò)建在捷克的工廠，安森美將能夠更好地為全球客戶供應(yīng)SiC產(chǎn)品，進(jìn)而增加市場份額。此次整合還有望使安森美能夠利用自身在技術(shù)研發(fā)方面的最新進(jìn)展來提高制造和生產(chǎn)效率，進(jìn)一步提升企業(yè)競爭力。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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安森美Q1業(yè)績超預(yù)期

4月29日，安森美公布了2024年第一季度財務(wù)業(yè)績。財報顯示，安森美Q1營收為18.6億美元，較上年同期的19.6億美元下降5%，好于市場預(yù)期的18.5億美元。在Non-GAAP會計(jì)準(zhǔn)則下，歸屬于公司的凈利潤為4.6億美元，較上年同期的5.2億美元下降12%；攤薄后的每股收益為1.08美元，好于市場預(yù)期的1.04美元，上年同期為1.19美元。

據(jù)悉，安森美主要供應(yīng)用于電動汽車傳動系統(tǒng)的芯片，以及用于攝像頭和傳感器等駕駛輔助系統(tǒng)的產(chǎn)品。其生產(chǎn)的SiC芯片可提高效率，擴(kuò)大電動汽車?yán)m(xù)航里程。面對電動汽車市場銷售疲軟，安森美表示由于成本降低，使得毛利率保持穩(wěn)定。安森美CEO Hassane El-Khoury表示，過去三年中對業(yè)務(wù)進(jìn)行的結(jié)構(gòu)性改革，使得公司能夠在充滿挑戰(zhàn)的市場中維持毛利率。

值得一提的是，今年1月9日，安森美正式宣布與理想汽車?yán)m(xù)簽長期供貨協(xié)議。理想汽車已在其增程式電動車型（EREV）中采用安森美成熟的800萬像素圖像傳感器，而在此次協(xié)議簽訂后，理想汽車將在其下一代800V高壓純電車型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片，并繼續(xù)在其未來車型中集成安森美800萬像素高性能圖像傳感器。

展望未來，安森美預(yù)計(jì)，其第二季度營收為16.8億至17.8億美元，低于市場預(yù)期的18.2億美元；預(yù)計(jì)Non-GAAP會計(jì)準(zhǔn)則下攤薄后的每股收益為0.86美元至0.98美元，同樣不及市場預(yù)期的1.00美元。

芯聯(lián)集成Q1營收13.53億，同比增長17.19%

4月29日晚間，芯聯(lián)集成發(fā)布了2024年第一季度報告。報告期內(nèi)，芯聯(lián)集成實(shí)現(xiàn)營收13.53億元，同比增長17.19%；歸母凈利潤-2.42億元，歸母扣非凈利潤-2.99億元；經(jīng)營性現(xiàn)金流達(dá)到3.06億元，同比增長40.68%；研發(fā)投入4.70億元，占營收比重為34.75%，同比增長36.32%；EBITDA達(dá)到4.82億元，同比增長111.97%。

報告顯示，芯聯(lián)集成Q1研發(fā)投入同比增長36.32%，主要系市場需求復(fù)蘇，為了保障其在未來市場旺盛需求階段中能獲得和鞏固更多中高端技術(shù)及產(chǎn)品的市場份額，芯聯(lián)集成繼續(xù)在12英寸車規(guī)級BCD平臺、SiC MOSFET、功率模組等方面保持足夠的研發(fā)投入強(qiáng)度。

在車載領(lǐng)域，芯聯(lián)集成高壓BCD、嵌入式數(shù)模混合控制BCD等平臺發(fā)布；全新一代車載IGBT芯片和多款SiC模塊以及混碳模塊樣品已在客戶端驗(yàn)證通過，開始大規(guī)?？蛻魧?dǎo)入和量產(chǎn)起量。

在風(fēng)光儲充等工控領(lǐng)域，結(jié)合終端多款新機(jī)型應(yīng)用需求，芯聯(lián)集成研發(fā)并導(dǎo)入了多款產(chǎn)品，如大功率光伏逆變產(chǎn)品，大功率儲能PCS產(chǎn)品和面向高壓大功率風(fēng)電的高功率產(chǎn)品，為全球風(fēng)光儲充頭部企業(yè)提供高功率、高可靠性、高穩(wěn)定性的功率半導(dǎo)體IGBT、SiC芯片及模塊。

在家電應(yīng)用領(lǐng)域，芯聯(lián)集成研發(fā)出全系列智能功率模塊產(chǎn)品，產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋綠色和智能家電，已開始批量生產(chǎn)。

芯聯(lián)集成表示，這些研發(fā)成果帶動公司在報告期內(nèi)導(dǎo)入新客戶50多家，客戶覆蓋汽車領(lǐng)域的國內(nèi)外主機(jī)廠和Tier 1，以及風(fēng)光儲、家電領(lǐng)域等行業(yè)頭部，為未來收入的快速增長奠定了基礎(chǔ)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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