據(jù)報道，位于福建省廈門市海滄區(qū)的士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目近日進入土方工程收尾階段，一期項目預計將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目總投資120億元，分兩期建設，其中，一期項目總投資70億元，達產(chǎn)后年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

從該項目推進情況來看，作為該項目實施主體士蘭集宏的母公司，士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作協(xié)議》。隨后在6月18日，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目在廈門市海滄區(qū)正式開工。

近期，除士蘭微8英寸碳化硅項目外，國內(nèi)外廠商還有多個8英寸碳化硅項目披露了最新進展。

其中，北京市生態(tài)環(huán)境局于8月13日公示了天科合達第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設二期項目（以下簡稱：二期項目）環(huán)評審批。二期項目用于擴大天科合達碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導電型碳化硅襯底，其中8英寸導電型碳化硅襯底13.5萬片。

8月底，重慶三安8英寸碳化硅襯底廠點亮通線。該項目投資額為70億元，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬片。

9月27日，住友金屬及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設一條新的8英寸SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅襯底。

10月13日，據(jù)韓媒報道，韓國東部高科（DB HiTek）于11日宣布，其將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)內(nèi)投資擴建半導體潔凈室，計劃先行建設8英寸碳化硅產(chǎn)線。

10月16日，在首屆SEMiBAY灣芯展開幕式上，方正微電子發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品，還表示其8英寸碳化硅產(chǎn)線將于2024年年底通線。（集邦化合物半導體Zac整理）

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根據(jù)公告，士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司（以下簡稱：廈門半導體）、廈門新翼科技實業(yè)有限公司（以下簡稱：新翼科技）于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作協(xié)議》（以下簡稱：《投資合作協(xié)議》）。

根據(jù)《投資合作協(xié)議》，士蘭微與廈門半導體分別向本次8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目的實施主體廈門士蘭集宏半導體有限公司（以下簡稱：士蘭集宏）認繳注冊資本10.6億元和10億元。截至目前，士蘭集宏的注冊資本為20.60億元。

2024年9月24日，士蘭微與廈門半導體、新翼科技、廈門新翼微成投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡稱：新翼微成）、廈門產(chǎn)投新翼科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡稱：產(chǎn)投新翼）共同簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作補充協(xié)議》（以下簡稱：《投資合作補充協(xié)議》）。

根據(jù)《投資合作補充協(xié)議》，項目公司士蘭集宏的原投資主體新翼科技變更為新翼微成和產(chǎn)投新翼。新翼科技將其在《投資合作協(xié)議》項下的權利義務，按新翼微成和產(chǎn)投新翼在《投資合作補充協(xié)議》項下的相對出資比例概括轉(zhuǎn)讓給新翼微成和產(chǎn)投新翼。其中，新翼微成繼受新翼科技對項目公司增資入股11億元的義務，產(chǎn)投新翼繼受新翼科技對項目公司增資入股10.5億元的義務。

公告顯示，士蘭微及協(xié)議各方在按照《投資合作協(xié)議》及《投資合作補充協(xié)議》完成認繳后，士蘭集宏的注冊資本將增加至42.10億元，士蘭微對士蘭集宏的持股比例將由目前的51.46%降低至25.1781%，將不再將其納入合并報表范圍。

據(jù)悉，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目計劃分兩期建設，一期投資規(guī)模約70億元，二期投資規(guī)模約50億元，兩期建設完成后，將形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的產(chǎn)能。

今年6月18日，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目在廈門市海滄區(qū)正式開工。

士蘭微表示，如本次投資事項順利實施，將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目”的建設和運營提供資金保障，為其SiC功率器件在8英寸生產(chǎn)線上的產(chǎn)業(yè)化提供產(chǎn)能保障，將進一步完善其在車規(guī)級高端功率半導體領域的戰(zhàn)略布局，增強核心競爭力，推動其主營業(yè)務持續(xù)成長。（來源：士蘭微公告，集邦化合物半導體整理）

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根據(jù)公告，士蘭集科本次擬新增注冊資本148155.0072萬元。士蘭微擬與廈門半導體投資集團有限公司（以下簡稱：廈門半導體）以貨幣方式共同出資16億元認繳士蘭集科本次新增的全部注冊資本。

其中，士蘭微出資8億元，認繳士蘭集科注冊資本74077.5036萬元；廈門半導體同樣出資8億元，認繳士蘭集科注冊資本74077.5036萬元。本次增資完成后，士蘭集科的注冊資本將由382795.3681萬元變更為530950.3753萬元。

天眼查資料顯示，士蘭集科成立于2018年2月，是一家電子設備供應商，主要研發(fā)、生產(chǎn)和銷售芯片晶圓、MEMS、功率器件以及集成電路等產(chǎn)品，致力于為行業(yè)用戶提供相關的電子產(chǎn)品及服務。

股東信息顯示，目前，士蘭集科由廈門半導體、士蘭微、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司共同持股，持股比例分別為66.626%、18.719%、14.655%。

根據(jù)士蘭微2024年半年度報告，2024年上半年，士蘭集科總計產(chǎn)出12英寸芯片22.46萬片，同比減少約5%，實現(xiàn)營收11.21億元，同比增加約6%。近期隨著IGBT芯片產(chǎn)能的進一步釋放，士蘭集科產(chǎn)能利用率已處于較高水平。

士蘭微表示，如本次增資事項順利實施，將進一步增加士蘭集科的資本充足率，為士蘭集科12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線的建設和運營提供資金保障；有利于進一步提升士蘭集科的生產(chǎn)能力，為士蘭微提供產(chǎn)能保障。

據(jù)集邦化合物半導體了解，今年以來，除士蘭微外，還有另外兩家化合物半導體廠商披露了增資相關動態(tài)，分別是中車時代半導體和長光華芯。

4月26日，中車時代半導體增資引入戰(zhàn)略投資者簽約儀式在株洲舉行。根據(jù)中車時代半導體母公司時代電氣在今年3月底發(fā)布的公告，中車時代半導體本次增資擴股擬引入株洲市國創(chuàng)田芯創(chuàng)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等26名戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺株洲芯發(fā)展零號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），增資金額為人民幣43.278億元。本次增資完成后，時代電氣持有中車時代半導體的股權比例從96.1680%變更為77.7771%，仍為中車時代半導體的控股股東。

隨后在7月12日晚間，長光華芯發(fā)布公告宣布子公司擬增資惟清半導體，后者股東之一為碳化硅功率器件廠商清純半導體。具體來看，長光華芯全資子公司蘇州長光華芯半導體激光創(chuàng)新研究院有限公司（以下簡稱：研究院）擬出資1億元認購關聯(lián)方惟清半導體新增注冊資本1333.33萬元。本次增資前，研究院持有惟清半導體29%的股權，增資完成后，研究院將持有惟清半導體31.61%的股權。（集邦化合物半導體Zac整理）

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士蘭微上半年虧損收窄，IGBT和碳化硅營收增長

8月19日晚間，士蘭微公布了2024年半年度報告。2024年上半年，士蘭微實現(xiàn)營收52.74億元，同比增長17.83%，虧損同比收窄。

士蘭微報告期內(nèi)凈利潤出現(xiàn)虧損，主要原因有兩方面：一是公司持有的其他非流動金融資產(chǎn)中，昱能科技和安路科技的股票價格下跌，導致公允價值變動產(chǎn)生稅后凈損失達1.62億元；二是子公司士蘭明鎵的6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線仍處于產(chǎn)能爬坡期，產(chǎn)量較低，同時資產(chǎn)折舊等固定成本較高，進一步加劇了虧損。

盡管歸母凈利潤仍處于虧損，但士蘭微總體營收同比增長約18%。這一增長得益于公司持續(xù)加大模擬電路、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM功率模塊、碳化硅功率模塊、超結MOSFET器件、MCU電路、化合物芯片和器件等產(chǎn)品在大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場的推廣力度。

碳化硅業(yè)務方面，2024年上半年，士蘭微IGBT和碳化硅（模塊、器件）的營業(yè)收入已達到7.83億元，較去年同期增長30%以上。

產(chǎn)能方面，2024年上半年，士蘭微加快推進“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目的建設。截至目前士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6英寸碳化硅MOSFET芯片的生產(chǎn)能力，預計三季度末產(chǎn)能將達到9000片/月，預計2024年年底產(chǎn)能將達到12000片/月。

技術研發(fā)方面，上半年，基于士蘭微自主研發(fā)的Ⅱ代碳化硅MOSFET芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊，已通過吉利、匯川等客戶驗證，并開始實現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。其已初步完成第Ⅲ代平面柵碳化硅MOSFET技術的開發(fā)，正在加快產(chǎn)能建設和升級，推動第Ⅲ代平面柵碳化硅MOSFET芯片導入量產(chǎn)。

晶盛機電上半年實現(xiàn)營收101.47億元，推進8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡

8月20日晚間，晶盛機電公布了2024年半年度報告。2024年上半年，晶盛機電實現(xiàn)營收101.47億元，同比增長20.71%；歸母凈利潤20.96億元，同比減少4.97%。

晶盛機電業(yè)務涉及半導體、光伏設備領域以及半導體材料細分領域的藍寶石材料和碳化硅材料等。

半導體設備業(yè)務方面，晶盛機電所生產(chǎn)的設備主要用于半導體晶體的生長和加工，屬于硅片制造環(huán)節(jié)設備，同時在部分工藝環(huán)節(jié)布局至芯片制造和封裝制造端?；诋a(chǎn)業(yè)鏈延伸，晶盛機電在功率半導體領域開發(fā)了8-12英寸常壓硅外延設備，以及6-8英寸碳化硅長晶設備、切片設備、減薄設備、拋光設備、外延設備等，實現(xiàn)碳化硅外延設備的國產(chǎn)替代，并創(chuàng)新性推出雙片式碳化硅外延設備，大幅提升外延產(chǎn)能。

材料業(yè)務方面，晶盛機電在泛半導體領域積極布局新材料業(yè)務，逐步發(fā)展了高純石英坩堝、藍寶石材料、碳化硅材料、以及金剛線等具有廣闊應用場景的材料業(yè)務。

報告期內(nèi)，受益于新能源車的持續(xù)發(fā)展，碳化硅材料需求快速增加，產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能逐步向8英寸轉(zhuǎn)移。公司緊抓行業(yè)發(fā)展趨勢，快速推進8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡，同時積極拓展國內(nèi)外客戶，市場拓展成果顯著，產(chǎn)能和出貨量快速增加。

目前，晶盛機電掌握了6-8英寸碳化硅材料的生長及加工技術，并正在建設實施年產(chǎn)25萬片6英寸及5萬片8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化項目，加速推進大尺寸碳化硅襯底材料的產(chǎn)業(yè)化進程。（集邦化合物半導體Zac、Mia整理）

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晶升股份預計上半年凈利潤增長118.72-141.92%

7月9日晚間，晶升股份發(fā)布2024年半年度業(yè)績預告稱，預計2024年上半年實現(xiàn)歸母凈利潤3300-3650萬元，同比將增加1791.23-2141.23萬元，同比增加118.72%-141.92%；預計2024年上半年實現(xiàn)歸母扣非凈利潤1610-1850萬元，同比將增加808.84-1048.84萬元，同比增加100.96%-130.92%。

公告顯示，2023年上半年，晶升股份實現(xiàn)歸母凈利潤1508.77萬元，歸母扣非凈利潤801.16萬元。

關于業(yè)績變動原因，晶升股份表示，2024年上半年，其實現(xiàn)歸母凈利潤、歸母扣非凈利潤較上年同期有較大幅度增長，主要原因系：公司主營業(yè)務穩(wěn)健發(fā)展，客戶合作的深入與技術應用領域的拓展為公司創(chuàng)造收入增長；同時，公司不斷加強內(nèi)部經(jīng)營管理，持續(xù)降本增效，綜合盈利能力得到提升。

目前，晶升股份8英寸SiC長晶設備已實現(xiàn)批量出貨，其中包含PVT感應加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類別產(chǎn)品，下游應用完整覆蓋主流導電型/半絕緣型SiC晶體生長及襯底制備。

得益于在晶體生長設備領域形成豐富的產(chǎn)品序列，能夠滿足客戶差異化、定制化的晶體生長制造工藝需求，晶升股份逐步發(fā)展成為國內(nèi)具有較強競爭力的半導體級晶體生長設備供應商，并在2023年陸續(xù)開拓了三安光電、東尼電子、比亞迪、合晶科技、上海新昇、金瑞泓、神工股份等客戶。

聞泰科技Q2半導體業(yè)務收入及綜合毛利率環(huán)比改善

7月9日晚間，聞泰科技發(fā)布2024年半年度業(yè)績預告稱，預計2024年上半年實現(xiàn)歸母凈利潤1.3-1.95億元，同比將減少10.63-11.28億元，同比減少84%-90%。

關于業(yè)績變動原因，聞泰科技表示，受行業(yè)周期性影響，2024年上半年半導體業(yè)務的收入及綜合毛利率同比下降。從2024年第二季度來看，受部分市場需求回暖及公司降本增效等因素影響，半導體業(yè)務收入及綜合毛利率相較于2024年第一季度環(huán)比改善。

聞泰科技是集研發(fā)設計和生產(chǎn)制造于一體的半導體產(chǎn)品集成企業(yè)。其半導體業(yè)務采用IDM模式，產(chǎn)品包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOS器件、GaN FET、SiC二極管與MOS、IGBT以及模擬IC和邏輯IC。

2023年，在三代半領域，聞泰科技實現(xiàn)了GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品工業(yè)和消費領域的銷售，同時E-M產(chǎn)品通過所有測試認證，于2024年開始銷售；實現(xiàn)了SiC整流管的工業(yè)消費級的量產(chǎn)和MOS的工業(yè)消費級的測試驗證，SiC?MOS產(chǎn)品線的建立，讓其進入三代半1200V高壓市場，拓展新的增長空間。

士蘭微上半年6英寸SiC功率器件芯片處于產(chǎn)能爬坡階段

7月10日晚間，士蘭微發(fā)布2024年半年度業(yè)績預告稱，預計2024年上半年實現(xiàn)歸母凈利潤為-3000萬元到-2000萬元，同比將減少虧損1122萬元到2122萬元；預計2024年上半年實現(xiàn)歸母扣非凈利潤為12189萬元到13189萬元，同比將減少3070萬元到4070萬元，同比減少19%到25%。

關于業(yè)績變動原因，士蘭微表示，報告期內(nèi)，其子公司士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線尚處于產(chǎn)能爬坡階段，SiC芯片產(chǎn)出相對較少，資產(chǎn)折舊等固定生產(chǎn)成本相對較高，導致其虧損較大。目前士蘭明鎵SiC芯片生產(chǎn)線已處于較快上量中，隨著產(chǎn)出持續(xù)增加，預計其下半年虧損將逐步減少。

同時，報告期內(nèi)，其持續(xù)加大對模擬電路、功率器件、功率模塊、MEMS傳感器、SiC MOSFET等新產(chǎn)品的研發(fā)投入，加快汽車級、工業(yè)級電路和器件芯片工藝平臺的建設進度，加大汽車級功率模塊和新能源功率模塊的研發(fā)投入，公司研發(fā)費用同比增加34%左右。

6月18日上午，士蘭微旗下士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線在廈門海滄區(qū)開工。該項目總投資120億元，分兩期建設，兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力，將較好滿足國內(nèi)新能源汽車所需的SiC芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的SiC芯片。

東尼電子預計2024年上半年虧損同比收窄

7月9日晚間，東尼電子發(fā)布2024年半年度業(yè)績預告稱，預計2024年上半年實現(xiàn)歸母凈利潤-6800萬元到-4800萬元，將出現(xiàn)虧損；預計2024年上半年實現(xiàn)歸母扣非凈利潤-12600萬元到-10600萬元。

關于業(yè)績變動原因，東尼電子表示，2024年上半年，其母公司經(jīng)營情況良好，實現(xiàn)盈利，但控股子公司湖州東尼半導體科技有限公司預計將計提大額資產(chǎn)減值損失，研發(fā)費用較大。故本報告期其歸母凈利潤將出現(xiàn)虧損，但與上年同期相比虧損收窄。

今年上半年，東尼電子在SiC擴產(chǎn)方面有新進展。東尼電子2021年非公開發(fā)行募投項目“年產(chǎn)12萬片碳化硅半導體材料”已于2023年上半年實施完畢，其計劃在該募投項目基礎上進一步擴建。根據(jù)今年3月湖州市生態(tài)環(huán)境局公示的對東尼電子擴建SiC項目的環(huán)評文件審批意見，東尼半導體計劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實施擴建年產(chǎn)20萬片6英寸SiC襯底材料項目。

立昂微預計上半年營收同比增長8.7%

7月9日晚間，立昂微發(fā)布2024年半年度業(yè)績預告稱，預計2024年上半年實現(xiàn)營收14.59億元左右，同比增長8.7%左右；預計實現(xiàn)歸母凈利潤為-7350萬元至-5950萬元，同比將減少23314.88萬元至24714.88萬元。

關于業(yè)績變動原因，立昂微表示，報告期內(nèi)，其歸母凈利潤下降的主要原因在于綜合毛利率大幅減少所致，綜合毛利率下降較多的主要原因：一是隨著2023年擴產(chǎn)項目陸續(xù)轉(zhuǎn)產(chǎn)，本報告期折舊成本同比增加12090萬元；二是為了拓展市場份額，硅片產(chǎn)品和功率芯片產(chǎn)品的銷售單價有所下降。另外，報告期內(nèi)公司持有的上市公司股票股價下跌產(chǎn)生公允價值變動損失3804.71萬元（去年同期為公允價值變動收益2420.43萬元）。

立昂微于2002年3月注冊成立，專注于集成電路用半導體材料、半導體功率芯片、集成電路芯片設計、開發(fā)、制造和銷售。目前，立昂微擁有杭州、寧波、衢州、嘉興、海寧五大經(jīng)營基地，旗下?lián)碛泻贾萘簴|芯微電子有限公司、海寧立昂東芯微電子有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、金瑞泓科技（衢州）有限公司、金瑞泓微電子（衢州）有限公司、金瑞泓微電子（嘉興）有限公司、杭州立昂半導體技術有限公司、衢州金瑞泓半導體科技有限公司八家子公司。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據(jù)集邦化合物半導體了解，此次上海光伏展，三安半導體、士蘭微、鍇威特、基本半導體、杰平方、芯聯(lián)集成、瑞能半導體、飛锃半導體、阿基米德半導體、宏微科技、矽迪半導體、派恩杰、蘇州固锝等13家廠商帶來了豐富多樣的SiC功率器件產(chǎn)品，應用范圍涵蓋新能源汽車、光儲充、工業(yè)控制等多個領域。

三安半導體

本次展會，三安半導體帶來了SiC晶錠、襯底、外延、芯片、器件等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品。

展會現(xiàn)場，三安半導體重點展示了8英寸SiC晶圓，以及可應用在光伏逆變器、儲能變流器、充電樁電源模塊等領域的650V-1700V SiC二極管和MOSFET，包含多種封裝類型及規(guī)格型號。

士蘭微

本次光伏展，士蘭微展示了應用于光伏場景的SiC MOS、IGBT、DPMOS、SGT LVMOS等功率器件產(chǎn)品。

其中，士蘭微推出的1200V SiC芯片性能指標已達到國際先進水平，并同時研發(fā)650V、1700V、2000V等電壓段高性能SiC MOSFET芯片，包含TO-247B-4L、TO-263-7L、TOLL、D4等多種封裝形式，適配光伏儲能逆變器應用場景。

華潤微

本次展會，華潤微重點展示了SiC MOS模塊。

source：華潤微

華潤微展示的SiC MOS模塊可應用于電動汽車充電器、太陽能、高速轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機和牽引驅(qū)動器、智能電網(wǎng)、并網(wǎng)分布式發(fā)電、車載OBC、汽車主驅(qū)等領域，具有低Rdson、低Qg、超低損耗、高頻工作等特點。

鍇威特

本次展會，鍇威特帶來了超結MOSFET、中高壓平面MOSFET、650-1700V SiC MOSFET、600-1200V SiC SBD、智能功率IC等系列產(chǎn)品。

其中，鍇威特全新的第三代SiC SBD產(chǎn)品，結合先進的薄片技術和抗浪涌技術，在顯著提升產(chǎn)品電流密度、降低正向?qū)▔航档耐瑫r，仍保持高的浪涌電流以及低的反向漏電。合理的可靠性設計及規(guī)范的產(chǎn)品管控，使產(chǎn)品能穩(wěn)定工作于多種嚴苛工況下，在650-1200V電壓等級滿足各種應用需求。

同時，鍇威特量產(chǎn)的平面型SiC MOSFET，立足于6英寸SiC功率芯片工藝線，優(yōu)化元胞結構和柵氧工藝，產(chǎn)品具有更高的阻斷電壓、更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小系統(tǒng)電感、電容、變壓器等無源器件的尺寸，提高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率。該系列產(chǎn)品支持15V-18V棚極驅(qū)動電壓，最高結溫高達175℃。

基本半導體

此次展會，基本半導體攜2000V/1700V系列高壓SiC MOSFET、第三代SiC MOSFET、工業(yè)級SiC功率模塊Pcore 2 E1B、工業(yè)級SiC半橋頂部散熱MOSFET模塊等系列新品，以及旗下全系列SiC二極管、門極驅(qū)動芯片、功率器件驅(qū)動器等產(chǎn)品亮相。

其中，基本半導體展出的Pcore 2 E1B工業(yè)級SiC半橋MOSFET模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、PressFit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化硅AMB，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

杰平方

本次展會，杰平方半導體帶來了第三代SiC MOSFET和SBD、工業(yè)級SiC功率模塊、1200V 8mΩ SiC晶圓等系列產(chǎn)品，展示了杰平方半導體在SiC領域的創(chuàng)新技術實力。

芯聯(lián)集成

本次展會，芯聯(lián)集成帶來了650V-2300V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備低導通損耗，低開關損耗；高可靠性，通過車規(guī)級驗證；參數(shù)一致性好，良率高等特點。在工業(yè)控制方面，可應用于光伏、儲能、充電樁、輸配電等場景；在汽車電子方面，可應用于OBC、DC-DC、逆變器等產(chǎn)品中。

瑞能半導體

本次展會，瑞能半導體展示了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊等系列產(chǎn)品。

飛锃半導體

此次展會，飛锃半導體帶來了一系列創(chuàng)新成果，涵蓋第三代1200V SiC MOSFET、750V SiC? MOSFET、1200V大電流SiC二極管、6英寸SiC MOSFET晶圓等產(chǎn)品，以及在光伏儲能、新能源汽車等領域的前沿應用解決方案。

其中，飛锃半導體針對新能源汽車的創(chuàng)新應用方案，利用車規(guī)級1200V與650V SiC MOSFET，為智能汽車打造安全、高效、智能的核心動力系統(tǒng)。

宏微科技

本次展會，宏微科技展示了1200/20A SiC SBD系列產(chǎn)品。

宏微科技推出的風光儲功率器件產(chǎn)品，具有高度的可靠性和優(yōu)異的性能，能夠滿足新能源行業(yè)對高效、安全、可靠的電力轉(zhuǎn)換和控制的需求。此外，宏微科技的風光儲功率器件產(chǎn)品還具有廣泛的適用性，可廣泛應用于太陽能光伏電站、風力發(fā)電站、儲能系統(tǒng)等場景。

矽迪半導體

本次展會，矽迪半導體展示了高性能和差異化的SiC系統(tǒng)解決方案，包括30KW Buck-Boost全SiC解決方案、40KW xBooster IGBT并聯(lián)SIC MOSFET解決方案等，可應用于光伏逆變器、儲能逆變器、工業(yè)電源等場景。

阿基米德半導體

本次展會，阿基米德半導體展示了SiC MOSFET/IGBT單管、半橋IGBT模塊、三電平IGBT模塊、SiC模塊等眾多產(chǎn)品，廣泛應用于直流快充/超充、工業(yè)電源、感應加熱、光伏逆變器、儲能PCS、新能源汽車等領域。

其中，對于215KW儲能，現(xiàn)有產(chǎn)品體積大、效率低，阿基米德推出的1200V 400A混合SiC單模塊解決方案，助力縮小產(chǎn)品體積，提升功率密度，同時集成SiC器件，大幅度降低了功率損耗，提升了充放電效率，模塊滿載效率高達99%。

派恩杰

本次展會，派恩杰半導體帶來了SiC功率器件、芯片設計路線以及1700V高壓器件應用方案等系列產(chǎn)品，為工業(yè)應用以及新能源車用方案等提供了一個新的方向。

其中，派恩杰半導體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品。派恩杰半導體的量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動汽車，IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應用等領域廣泛使用，為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨。

蘇州固锝

本次展會，蘇州固锝帶來了光伏旁路二極管在太陽能面板集線盒、以及功率二極管、MOS管、IGBT、SiC SBD等功率器件在光伏逆變器、輔助電源等新能源市場的應用方案。

除上述SiC功率器件廠商外，連城數(shù)控、晶升股份、晶盛機電、宇晶股份、先導智能、微導納米、高測股份、弘元綠能、邁為股份等SiC設備相關廠商也在本次上海光伏展上精彩亮相，這些廠商將共同推動SiC產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：士蘭微

該項目總投資120億元，分兩期建設，兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。這條生產(chǎn)線投產(chǎn)后將成為國內(nèi)第一條擁有完全自主知識產(chǎn)權、產(chǎn)能規(guī)模最大的8英寸碳化硅功率器件芯片生產(chǎn)線。將較好滿足國內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片，同時促進國內(nèi)8吋碳化硅襯底及相關工藝裝備的協(xié)同發(fā)展。

此次士蘭集宏8英寸制造生產(chǎn)項目是繼士蘭集科“12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線”和士蘭明鎵“先進化合物半導體器件生產(chǎn)線”兩個重要項目后，士蘭微電子落地廈門海滄的第三個重要項目。（來源：廈門廣電網(wǎng)）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

士蘭微8英寸SiC功率器件項目落地廈門

5月21日，士蘭微與廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府在廈門市簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》（以下簡稱協(xié)議協(xié)議）。

根據(jù)協(xié)議，各方合作在廈門市海滄區(qū)投資建設一條以SiC MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項目分兩期建設，項目一期投資規(guī)模約70億元，規(guī)劃產(chǎn)能3.5萬片/月，二期投資規(guī)模約50億元，規(guī)劃產(chǎn)能2.5萬片/月，兩期建設完成后，將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。

為主導項目實施，士蘭微已于2024年3月6日在廈門市海滄區(qū)先行設立了項目公司廈門士蘭集宏半導體有限公司（以下簡稱士蘭集宏），士蘭集宏注冊資本為0.6億元，全部由士蘭微出資。

為推進項目實施，士蘭微擬與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司共同向子公司士蘭集宏增資41.5億元并簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作協(xié)議》。

士蘭集宏本次新增注冊資本41.5億元，由士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司以貨幣方式共同認繳，其中：士蘭微認繳10億元，廈門半導體投資集團有限公司認繳10億元，廈門新翼科技實業(yè)有限公司認繳21.50億元。本次增資完成后，士蘭集宏的注冊資本將由0.6億元增加至42.1億元。

士蘭微表示，如本次投資事項順利實施，將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目”的建設和運營提供資金保障，有利于加快實現(xiàn)士蘭微SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)化，完善其在車規(guī)級高端功率半導體領域的戰(zhàn)略布局，增強核心競爭力。

安建功率半導體模塊封裝項目簽約浙江海寧

5月20日，2024年二季度海寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)、海昌街道項目集中簽約儀式在浙江海寧(中國)泛半導體產(chǎn)業(yè)園服務中心舉行，寧波安建半導體有限公司（以下簡稱安建半導體）功率半導體模塊封裝項目簽約落地海寧經(jīng)開區(qū)，總投資1億元。

作為一家功率半導體元器件產(chǎn)品設計、研發(fā)及銷售公司，安建半導體現(xiàn)有低電壓的SGT MOSFET（分裂柵金屬氧化物場效應晶體管）、高電壓的SJ MOSFET（超結金屬氧化物場效應晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產(chǎn)品線。其高電壓產(chǎn)品主要應用于高鐵、電動汽車、新能源、工業(yè)控制等領域；低電壓產(chǎn)品主要應用于5G基站、電能轉(zhuǎn)換、綠色家電、消費電子等領域。

在第三代半導體領域，安建半導體目前已推出具有完全自主產(chǎn)權的1200V 17mΩ SiC MOSFET，正在同步建設SiC模塊封裝產(chǎn)線和開發(fā)新一代GaN技術和產(chǎn)品。

在SiC業(yè)務方面，安建半導體在去年12月與積塔半導體就加速完成安建在積塔代工的平面型SiC MOSFET器件開發(fā)，并攜手邁進新一代溝槽型SiC MOSFET器件開發(fā)達成合作。

智新半導體800V SiC模塊產(chǎn)線預計7月批量投產(chǎn)

5月20日，據(jù)湖北日報消息，智新半導體第二條生產(chǎn)線兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊，預計7月份批量投產(chǎn)，10月份大批量投用。

據(jù)悉，為加速車規(guī)級功率半導體模塊國產(chǎn)替代，東風公司在2019年6月與中國中車成立智新半導體，開始自主研發(fā)生產(chǎn)車規(guī)級IGBT模塊。

2021年7月，智新半導體以先進的第6代IGBT芯片技術為基礎的生產(chǎn)線啟動量產(chǎn)，華中地區(qū)首批自主生產(chǎn)的車規(guī)級IGBT模塊產(chǎn)品正式下線。一期產(chǎn)能30萬只，主要生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊。

而在今年4月，智新半導體第二條生產(chǎn)線啟用，規(guī)劃產(chǎn)能40萬只，兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊，產(chǎn)線國產(chǎn)化率達到70%。
智新半導體表示，其800V SiC模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，可將能量轉(zhuǎn)化效率提高3%，與同樣性能的國外產(chǎn)品相比，該模塊成本降低了30%。（集邦化合物半導體Zac整理）

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安世半導體2023年營收21.5億美元

4月6日，安世半導體（Nexperia）公布了2023年財務業(yè)績。2023年，Nexperia實現(xiàn)營收21.5億美元，2022年同期為23.6億美元。盡管收入略有下降，市場需求疲軟，但2023年Nexperia傳統(tǒng)強勢的汽車業(yè)務收入大幅增長。

Nexperia首席財務官Stefan Tilger表示，Nexperia在2023年進行了非常多的投資，旨在升級和擴充功率分立器件、模塊、模擬和功率IC方面的產(chǎn)品組合，這些投資占據(jù)公司收入的13%。展望2024年，盡管歐洲和北美的不確定性依然存在，但是亞洲需求水平的提高令他感到鼓舞。

據(jù)悉，2023年11月30日，Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200V分立器件，RDS（on）分別為40mΩ和80mΩ。

這兩款器件是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，可用性高，可滿足電動汽車（EV）充電樁、不間斷電源（UPS）以及太陽能和儲能系統(tǒng)（ESS）逆變器等汽車和工業(yè)應用對高性能SiC MOSFET的需求。

納芯微2023年營收13.11億，SiC MOSFET已送樣

4月25日晚間，納芯微發(fā)布2023年年度報告。2023年，納芯微實現(xiàn)營收13.11億元，同比下滑21.52%；歸母凈利潤-3.05億元，歸母扣非凈利潤-3.93億元。

2023年，納芯微圍繞新能源汽車、光儲、快充消費等下游應用，積極布局第三代功率半導體SiC MOSFET相關器件。報告期內(nèi)，納芯微推出了與GaN適配的驅(qū)動芯片及power stage集成產(chǎn)品；1200V SiC二極管系列已全面量產(chǎn)；650V/1200V SiC MOSFET系列已全面送樣。納芯微SiC MOSFET產(chǎn)品將經(jīng)過全面的車規(guī)級驗證，確保符合汽車級應用的要求。

關于業(yè)績變動原因，納芯微表示，受整體宏觀經(jīng)濟以及市場競爭加劇的影響，其產(chǎn)品售價承壓，毛利率有所下降；2023年度，汽車電子領域整體需求穩(wěn)健增長，消費電子領域景氣度改善，但工業(yè)市場和光伏、儲能市場仍處于去庫存和逐步恢復階段；綜合影響下，納芯微銷售量同比上升但營業(yè)收入同比下降。

同時，報告期內(nèi)納芯微持續(xù)保持高力度的研發(fā)投入，2023年度研發(fā)費用為5.22億元，同比增長29.17%；剔除股份支付費用后的研發(fā)費用為3.49億元，同比增長46.50%。

近日，納芯微、士蘭微、賽微電子、捷捷微電、斯達半導體發(fā)布了2024年第一季度業(yè)績。其中，捷捷微電在2024年Q1實現(xiàn)營收凈利雙雙增長。

捷捷微電Q1營收5.20億，凈利同比增長189.51%

4月24日晚間，捷捷微電發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1，捷捷微電實現(xiàn)營收5.20億元，同比增長28.80%；歸母凈利潤0.92億元，同比增長189.51%；歸母扣非凈利潤0.50億元，同比增長80.88%。

作為一家功率半導體芯片和器件的研發(fā)、設計、生產(chǎn)和銷售廠商，捷捷微電主營產(chǎn)品為各類電力電子器件和芯片，包括IGBT器件及組件、SiC器件等。

據(jù)悉，2023年初，捷捷微電功率半導體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化項目已開工，建設期在2年左右。該項目總投資為133395.95萬元，擬投入募集資金119500萬元，主要從事車規(guī)級大功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，建設完成后可達年產(chǎn)1900kk車規(guī)級大功率器件DFN系列產(chǎn)品、120kk車規(guī)級大功率器件TOLL系列產(chǎn)品、90kk車規(guī)級大功率器件LFPACK系列產(chǎn)品以及60kkWCSP電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

賽微電子Q1營收2.70億，同比增長41.62%

4月25日晚間，賽微電子發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1，賽微電子實現(xiàn)營收2.70億元，同比增長41.62%；歸母凈利潤-0.12億元，歸母扣非凈利潤-0.14億元。

賽微電子以半導體業(yè)務為核心，一方面重點發(fā)展MEMS工藝開發(fā)與晶圓制造業(yè)務，一方面積極布局GaN材料與器件業(yè)務。賽微電子目前的主要產(chǎn)品及業(yè)務包括MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造、GaN外延材料生長與器件設計，下游應用領域包括通信、生物醫(yī)療、工業(yè)科學、消費電子等。

2024年4月10日，賽微電子與北京市懷柔區(qū)簽署了《戰(zhàn)略合作協(xié)議》，擬在懷柔科學城產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化示范區(qū)建設高水平的6/8英寸MEMS圓中試生產(chǎn)線和研發(fā)平臺。

士蘭微Q1營收24.65億，同比增長19.30%

4月29日晚間，士蘭微發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1，士蘭微實現(xiàn)營收24.65億元，同比增長19.30%；歸母凈利潤-0.15億元；歸母扣非凈利潤1.33億元，同比增長17.27%。

關于業(yè)績變動原因，士蘭微表示，其歸母凈利潤出現(xiàn)虧損的主要原因是，報告期內(nèi)，其持有的其他非流動金融資產(chǎn)中昱能科技、安路科技股票價格下跌，導致其公允價值變動產(chǎn)生稅后凈收益-1.52億元。

同時，在IPM智能功率模塊、車規(guī)級PIM功率模塊、AC-DC電路、32位MCU電路、IGBT器件、SiC MOSFET器件、MEDPMOS器件、發(fā)光二極管器件等產(chǎn)品出貨量大幅增長的帶動下，其營收繼續(xù)保持了較快的增長態(tài)勢。其產(chǎn)品綜合毛利率為22.10%，環(huán)比上升了3.18個百分點。

納芯微Q1營收3.62億，同比下滑23.04%

4月25日晚間，納芯微發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1，納芯微實現(xiàn)營收3.62億元，同比下滑23.04%；歸母凈利潤-1.50億元，歸母扣非凈利潤-1.59億元。

關于業(yè)績變動原因，納芯微表示，受整體宏觀經(jīng)濟以及市場競爭加劇的影響，其產(chǎn)品售價承壓，毛利率有所下降；汽車電子領域整體需求穩(wěn)健增長，消費電子領域景氣度改善，但工業(yè)市場和光伏、儲能市場仍處于去庫存和逐步恢復階段；綜合影響下，其營收同比下降。

同時，納芯微注重在行業(yè)下行周期的人才積累，在市場開拓、供應鏈體系、質(zhì)量管理、人才建設等多方面持續(xù)的資源投入，使得銷售費用、管理費用同比上升。

4月17日，納芯微官微消息顯示，其推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。

據(jù)介紹，納芯微的SiC MOSFET具有RDSon溫度穩(wěn)定性、門極驅(qū)動電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動汽車（EV）OBC/DC-DC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲能系統(tǒng)（ESS）以及不間斷電源（UPS）等領域。

斯達半導體Q1營收8.05億，同比微增

4月29日晚間，斯達半導體發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1，斯達半導體實現(xiàn)營收8.05億元，同比增長3.17%；歸母凈利潤1.63億元，同比下滑21.14%；歸母扣非凈利潤1.62億元，同比下滑18.58%。

斯達半導體主營業(yè)務是以IGBT和SiC為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。斯達半導體長期致力于IGBT、快恢復二極管、MOSFET等功率芯片的設計和工藝及IGBT、SiC?MOSFET等功率模塊的設計、制造和測試，產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)控制和電源、光伏、新能源汽車、白色家電等領域。

SiC業(yè)務方面，2023年，斯達半導體應用于新能源汽車主控制器的車規(guī)級SiC MOSFET模塊大批量裝車應用，同時新增多個使用車規(guī)級SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機控制器項目定點，將推動其2024-2030年主控制器用車規(guī)級SiC MOSFET模塊銷售增長。2023年，斯達半導體自主的車規(guī)級SiC MOSFET芯片在公司多個車用功率模塊封裝平臺通過多家客戶整車驗證并開始批量出貨。

此外，2023年，斯達半導體和深藍汽車合資成立重慶安達半導體有限公司，研發(fā)生產(chǎn)高性能、高可靠性的車規(guī)級IGBT模塊和車規(guī)級SiC MOSFET模塊，預計2024年完成廠房建設并開始生產(chǎn)。（集邦化合物半導體Zac整理）

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士蘭微表示，2023年其歸母凈利潤出現(xiàn)虧損的主要原因，系其持有的其他非流動金融資產(chǎn)中昱能科技、安路科技股票價格下跌，導致其公允價值變動產(chǎn)生稅后凈收益-45227萬元。

作為一家專業(yè)從事集成電路以及半導體微電子相關產(chǎn)品的設計、生產(chǎn)與銷售的企業(yè)，士蘭微主要產(chǎn)品為集成電路以及相關的應用系統(tǒng)和方案，主要集中在以下三個領域：以消費類數(shù)字音視頻應用領域為目標的集成電路產(chǎn)品，包括以光盤伺服為基礎的芯片和系統(tǒng)，量大面廣的消費類集成電路產(chǎn)品，以及基于公司投資的集成電路芯片生產(chǎn)線的雙極、BiCMOS和BCD工藝為基礎的模擬、數(shù)字混合集成電路產(chǎn)品。

目前，士蘭微兩項新興業(yè)務半導體分立器件及高亮藍綠芯片呈快速增長態(tài)勢，半導體分立器件與LED芯片收入在公司收入結構中所占比重也逐年上升。

集成電路業(yè)務營收同比增長14.88%

2023年，士蘭微集成電路業(yè)務營收31.29億元，同比增長14.88%，其集成電路營收增加的主要原因是：IPM模塊、DC-DC電路、LED及低壓電機驅(qū)動電路、32位MCU電路、快充電路等產(chǎn)品的出貨量明顯加快。

其中，士蘭微2023年IPM模塊的營收達到19.83億元人民幣，同比增長37%。目前，其IPM模塊已廣泛應用到下游家電、工業(yè)和汽車客戶的變頻產(chǎn)品上。2023年，國內(nèi)多家主流的白電整機廠商在變頻空調(diào)等白電整機上使用了超過1億顆士 蘭IPM模塊，較上年同期增加38%。預期今后士蘭微IPM模塊的營收將會繼續(xù)快速成長。

士蘭明鎵6英寸SiC MOS芯片月產(chǎn)能已達6000片

2023年，士蘭微分立器件產(chǎn)品營收48.32億元，同比增長8.18%。分立器件產(chǎn)品中，超結MOS、IGBT器件、IGBT大功率模塊（PIM）等產(chǎn)品的增長較快，其超結MOS、IGBT、FRD、高性能低壓分離柵MOS、SiC MOS等分立器件的技術平臺研發(fā)持續(xù)獲得較快進展，產(chǎn)品性能達到業(yè)內(nèi)先進水平。士蘭微分立器件和大功率模塊除了加快在大型白電、工業(yè)控制等市場拓展外，已開始加快進入電動汽車、新能源等市場，預期今后其分立器件產(chǎn)品營收也將繼續(xù)快速成長。

2023年，士蘭微加快推進“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目的建設。截至目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6英寸SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力，預計2024年年底將形成月產(chǎn)12000片6英寸SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。

目前，公司已完成第Ⅲ代平面柵SiC MOS技術的開發(fā)，性能指標達到業(yè)內(nèi)同類器件結構的先進水平?；诠咀灾餮邪l(fā)的Ⅱ代SiC MOS芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊，已通過部分客戶測試，已在2024年一季度開始實現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付，預計全年應用于汽車主驅(qū)的碳化硅PIM模塊的銷售額將達到10億元人民幣。2023年，士蘭微還推出了SiC和IGBT的混合并聯(lián)驅(qū)動方案（包括隔離柵驅(qū)動電路）。

兩大子公司擁有月產(chǎn)14-15萬片4英寸LED芯片產(chǎn)能

2023年，士蘭微發(fā)光二極管產(chǎn)品（包括士蘭明芯、士蘭明鎵的LED芯片和美卡樂光電的LED彩屏像素管）的營收為7.42億元，同比增加1.28%。

士蘭微表示，2023年，受LED芯片市場價格競爭加劇的影響，其LED芯片價格較去年年末下降10%-15%，導致控股子公司士蘭明芯、士蘭明鎵出現(xiàn)較大的經(jīng)營性虧損。對此，士蘭微在加快推出mini-顯示芯片新產(chǎn)品、穩(wěn)固彩屏芯片市場份額的同時，加快植物照明芯片、汽車照明芯片、高端光耦芯片、大功率照明芯片、安防補光照明芯片等新產(chǎn)品上量。二季度開始，士蘭微LED芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能利用率持續(xù)提升、已接近滿產(chǎn)。2023年全年其LED芯片銷售額較去年同期有一定幅度的增長。截至目前，士蘭明芯、士蘭明鎵合計擁有月產(chǎn)14-15萬片4英寸LED芯片的產(chǎn)能。

此外，2023年，受國內(nèi)外LED彩色顯示屏市場需求放緩的影響，士蘭微子公司美卡樂光電公司的營收同比下降約20%。對此，美卡樂公司在進一步提升產(chǎn)品質(zhì)量的同時，加強成本管控，保持了經(jīng)營獲利能力。2024年，隨著國內(nèi)外LED彩色顯示屏市場需求進一步回升，預計美卡樂公司營收將會較快增長，其盈利水平也將得以提升。（集邦化合物半導體Zac整理）

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