Tag Archives: 中國電科

交付/升級(jí)，2家碳化硅設(shè)備企業(yè)有新動(dòng)態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 10 日 8:45 | 分類 企業(yè)
近日，在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域，國內(nèi)兩家企業(yè)取得了新進(jìn)展——中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級(jí)，三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付。 關(guān)鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級(jí) 近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。 據(jù)中國電科官方消息，碳化硅...  [詳內(nèi)文]

中國電科：車用SiC MOSFET出貨量破1200萬只
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 12 日 14:46 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)中國電科消息，隨著中國新能源汽車生產(chǎn)量邁入2000萬輛大關(guān)，中國電科國基南方、55所研制的新能源汽車用650V-1200V碳化硅MOSFET出貨量突破1200萬只，實(shí)現(xiàn)大批量穩(wěn)定供貨。 碳化硅MOSFET能讓整車性能大幅提升，基于碳化硅的新一代新能源汽車平臺(tái)，可使充電速度提高5...  [詳內(nèi)文]

首款+全國產(chǎn)，中國電科公布碳化硅領(lǐng)域新突破
作者 |發(fā)布日期 2023 年 04 月 20 日 11:15 | 分類 碳化硅SiC
4月17日，中國電科宣布旗下55所與一汽聯(lián)合研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全國產(chǎn)1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。 報(bào)道稱，在750V碳化硅功率芯片項(xiàng)目中，雙方技術(shù)團(tuán)隊(duì)從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)、材料應(yīng)用維度開展聯(lián)合攻關(guān)，推動(dòng)碳化硅功率芯片技術(shù)達(dá)到國際...  [詳內(nèi)文]