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東部高科某高層表示，這項投資將利用Sangwoo園區(qū)的一個閑置廠房，建立半導體生產(chǎn)基礎，該公司預計到2027年10月末將投入總計2500億韓元（約13億人民幣）、到2030年投入1.7萬億韓元（約89億人民幣）。

目前，東部高科已進入建立8英寸試點工藝的最后階段。據(jù)悉，潔凈室的擴建工作將從下個月（11月）開始進行廠房設計，并計劃在明年年末完成內(nèi)部施工和各項設備安裝。計劃從2026年開始，東部高科將投入生產(chǎn)設備，建立正式的量產(chǎn)體系。

產(chǎn)能方面，項目投產(chǎn)后，東部高科8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)能將達3.5萬片/月，這將使其月生產(chǎn)能力從目前的15.4萬張?zhí)岣?3%，達到19萬片。

公開資料顯示，東部高科是一家專門從事晶圓代工的公司，主要業(yè)務包括半導體芯片的設計與制造，是韓國第二大芯片代工廠商。

近年來，東部高科加大了在碳化硅和氮化鎵半導體領域的布局力度，以支持未來的業(yè)務增長。

在碳化硅方面，擁有8英寸晶圓廠的東部高科正計劃進軍8英寸碳化硅市場，作為政府政策舉措的一部分，東部高科正在與釜山科技園合作開發(fā)碳化硅。

氮化鎵方面，2023年底，有業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請了安森美前技術開發(fā)高級總監(jiān)Ali Salih，并讓他負責氮化鎵工藝開發(fā)，以加快氮化鎵業(yè)務的技術開發(fā)和商業(yè)化。

在氮化鎵半導體制造方面，東部高科正在與無晶圓廠公司A-PRO Semicon合作，以優(yōu)化代工工藝。（集邦化合物半導體Zac整理）

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業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請了安森美半導體前技術開發(fā)高級總監(jiān)Ali Salih，并讓他負責氮化鎵（GaN）工藝開發(fā)。

Salih是一位功率半導體工藝開發(fā)人員，擁有約20年的行業(yè)經(jīng)驗，曾在電氣與電子工程師學會 (IEEE) 上發(fā)表過有關功率半導體的重要論文。東部高科聘請Salih是為了加快GaN業(yè)務的技術開發(fā)和商業(yè)化。

這項任命旨在加強第三代功率半導體業(yè)務的技術開發(fā)和商業(yè)化。功率半導體業(yè)務目前占東部高科半導體制造（代工）業(yè)務的很大一部分，該業(yè)務正在從硅（Si）擴展到GaN和碳化硅（SiC）材料，為此聘請該位具有相關技術開發(fā)經(jīng)驗的外部專家。

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據(jù)悉，東部高科正努力確保第三代功率半導體的制作工藝達到可以建設生產(chǎn)線的水平。目前，公司正在考慮訂購GaN和SiC生產(chǎn)設備，為新建一條產(chǎn)線做準備。

東部高科計劃分別從Aprosemicon和SK Siltron的美國子公司SK Siltron CSS 采購GaN和SiC晶圓。根據(jù)市場需求，公司將確定初步生產(chǎn)規(guī)模，并于明年開始建設生產(chǎn)線。與SiC相比，GaN功率半導體的技術難度相對較低，預計將首先投入生產(chǎn)。

近來，東部高科有關加大SiC和GaN研發(fā)生產(chǎn)的消息不斷，從宣布進軍該領域，購置核心設備到引入相關人才，可以看到其進軍第三代半導體領域的決心。

韓企之中想要在第三代半導體領域大展拳腳的并不只有東部高科。三星此前也通過購置SiC/GaN設備和聘請擁有豐富經(jīng)驗的外部專家，來加速推進其第三代半導體代工業(yè)務。

韓國的半導體產(chǎn)業(yè)在世界范圍來說都可以算得上高水準，但在以SiC為代表的第三代功率半導體市場中卻并沒有出現(xiàn)國際龍頭。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2022年SiC功率半導體主要廠商的市場份額占比TOP5分別是意法半導體（36.5%）、英飛凌（17.9%）、Wolfspeed（16.3%）、安森美（11.6%）、羅姆（8.1%），剩余廠商僅占9.6%。

在此背景下，近年來，韓國政府高度重視第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，制定了一系列政策和計劃來推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新。例如，韓國政府計劃在未來幾年內(nèi)向半導體產(chǎn)業(yè)投入數(shù)十億美元，以支持研發(fā)和擴大產(chǎn)能。

現(xiàn)今，有不少韓企已經(jīng)意識到第三代半導體的巨大市場，開始有意加強SiC/GaN產(chǎn)業(yè)的建設和升級。韓國的主要半導體企業(yè)，如三星和LX Semicon，都在積極投資第三代半導體技術。這些公司不僅在研發(fā)方面投入巨資，還在全球范圍內(nèi)尋求合作和收購，以加速技術進步和市場拓展。

此外，韓國本土還有現(xiàn)代、起亞、通用等國際知名車企，隨著世界汽車向電車發(fā)展，以SiC為代表的車載第三代功率半導體擁有廣闊的發(fā)揮空間。

除了東部高科和三星，還有一些與第三代半導體產(chǎn)業(yè)相關的韓企在國際上擁有一定知名度：生產(chǎn)襯底的SK Siltron、Scenic；制造SiC長晶設備的STI和生產(chǎn)功率器件的TRinno Technology、Yes Power Technics（現(xiàn)已更名為“SK Powertech”）。

韓國企業(yè)近來在SiC/GaN功率半導體領域持續(xù)加碼，想要在第三代半導體市場分得一杯羹，但這些企業(yè)能否在強者眾多的國際市場上擁有一席之地，還需要時間來驗證。（文：集邦化合物半導體Rick）

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資料顯示，超高壓功率半導體可廣泛應用于家電、汽車、通信和工業(yè)等領域。相關人士表示，東部高科將以其具有競爭力的功率半導體技術為基礎，向高附加值、高增長的超高壓功率半導體方向發(fā)展，增強整體競爭力。

通過觀察東部高科近兩年在功率半導體方面的動作不難發(fā)現(xiàn)，東部高科進軍超高壓功率半導體業(yè)務已是水到渠成。

2021年11月底，據(jù)韓媒報道，東部高科將在2022年第一季度開發(fā)基于第三代半導體材料的功率半導體，這是其首次進軍功率半導體業(yè)務。報道稱，東部高科彼時正在開發(fā)基于碳化硅（SiC）的6-8英寸功率半導體，目標是2022年第一季度推出。

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隨后在2022年6月，東部高科再次引發(fā)外界關注。多家韓媒指出，東部高科將挑戰(zhàn)8英寸SiC晶圓代工事業(yè)。韓媒消息顯示，東部高科將在位于忠清北道Eumseong-gun，Gamgok-myeon的8英寸半導體工廠建造第三代功率半導體生產(chǎn)線，目標是在2025年內(nèi)生產(chǎn)和供應首批1200伏SiC MOSFET。

整個2022年，東部高科計劃投入更多資金，進行8英寸晶圓設備的替換升級，目標是將8英寸產(chǎn)能由每月13.8萬片提高到每月15萬片。

時間進入2023年，東部高科持續(xù)投入，不僅宣布正在加大力度研發(fā)SiC功率半導體器件等產(chǎn)品，還為此引進了生產(chǎn)所需的核心設備。

由此可見，東部高科正聚焦功率半導體業(yè)務，并且在源源不斷的輸血和打磨之下，已在行業(yè)內(nèi)站穩(wěn)腳跟，產(chǎn)能可觀，為進軍超高壓功率半導體業(yè)務打下了良好基礎。（文：集邦化合物半導體Zac整理）

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據(jù)了解，東部高科專業(yè)從事8英寸晶圓代工，于2021年底宣布將在2022年一季度開發(fā)基于下一代半導體材料的功率半導體，同步發(fā)展SiC和GaN技術。

在GaN領域，東部高科在2022年初公布了在硅晶圓上生長8英寸GaN半導體元件的計劃。據(jù)其介紹，采用硅基GaN技術可提升半導體制造的競爭力，從而簡化晶圓工藝，提高晶圓代工廠的盈利能力。為此，東部高科積極推進這個計劃，并于2022年9月與韓國半導體公司A-pro Semicon達成合作，雙方正在協(xié)同開發(fā)8英寸GaN功率半導體技術。

在SiC領域，東部高科主要專注于開發(fā)6-8英寸SiC功率半導體，正在積極建設相關產(chǎn)線，并已參與韓國國家政策項目，與釜山技術園合作開發(fā)SiC。針對汽車應用市場，盡管目前6英寸晶圓是主流，但東部高科的目標主要還是在于8英寸晶圓。

據(jù)悉，由于市場復蘇緩慢，東部高科的8英寸晶圓廠運營預計將受到影響，而轉向12英寸晶圓廠運營的問題仍然存在。在此背景下，東部高科未來的發(fā)展將集中在GaN和SiC等下一代功率半導體上。

不難發(fā)現(xiàn)，韓國另一大晶圓代工廠三星今年也持續(xù)加大了對第三代半導體市場的布局，可以看到，第三代半導體這一賽道有利于韓國廠商拓寬利潤增長點，在韓國政府對第三代半導體的大力支持和推動下，包括三星、東部高科在內(nèi)的韓國廠商有望加速取得技術突破和拓展業(yè)務，進一步縮短與歐美廠商之間的差距。（化合物半導體市場Jenny整理）

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