亚洲乱亚洲乱妇18p,一级A爱做片免费观看国产 http://fortresscml.com 集邦化合物半導體是化合物半導體行業(yè)門戶網站,提供SiC、GaN等化合物半導體產業(yè)資訊、研討會以及分析報告。 Mon, 11 Mar 2024 03:01:52 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 東芝開始量產第三代1700V SiC MOSFET模塊 http://fortresscml.com/Company/newsdetail-67294.html Mon, 11 Mar 2024 03:01:52 +0000 http://fortresscml.com/?p=67294 3月6日,東芝電子元件及存儲裝置株式會社(下文簡稱“東芝”)宣布,公司已開始批量生產用于工業(yè)設備的第三代碳化硅(SiC)1700 V、漏極電流(DC)額定值為250 A的SiC MOSFET模塊“MG250V2YMS3”,并擴大了產品陣容。

source:東芝

據介紹,新產品MG250V2YMS3具有低導通損耗和0.8 V的低漏源導通電壓。它還具有低開關損耗,導通開關損耗低至18 mJ,關斷開關損耗低至 11 mJ。這有助于減小設備的功率損耗和冷卻裝置的尺寸。
MG250V2YMS3 具有12 nH的低雜散電感,并且能夠進行高速開關。此外,它還能抑制開關操作時的浪涌電壓。因此,它可用于高頻隔離型DC-DC轉換器。

目前,使用東芝2-153A1A封裝的SiC MOSFET模塊有四種產品:MG250YD2YMS3(2200 V / 250 A)、MG400V2YMS3(1700 V / 400 A)和MG600Q2YMS3(1200 V / 600 A),以及本次發(fā)布的新產品。這給客戶提供了更廣泛的產品選擇。

集邦化合物半導體Morty編譯

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。

]]>
193億,羅姆和東芝攜手生產SiC功率器件 http://fortresscml.com/power/newsdetail-66489.html Fri, 08 Dec 2023 09:27:11 +0000 http://fortresscml.com/?p=66489 12月7日,根據外國媒體報道,為鞏固自身在電動汽車零部件領域的地位,羅姆(ROHM)和東芝宣布將合作生產碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半導體器件,這一計劃得到了日本政府的支持。

ROHM和東芝將分別對SiC和Si功率器件進行密集投資,兩者將依據對方生產力優(yōu)勢進行互補,有效提高供應能力。

兩家公司計劃在合作項目上花費3883億日元(折合人民幣約193億元),其中日本政府可提供最高1294億日元(折合人民幣約64億元)的補貼,資金占比高達1/3。羅姆旗下位于宮崎縣的工廠將負責生產SiC功率器件和SiC晶圓,而東芝旗下位于石川縣的工廠將以生產Si芯片為主。

source:Rohm

據悉,制作SiC功率器件是ROHM的強項,產品的能量轉換效率高。而東芝在傳統(tǒng)的Si器件領域實力雄厚,可為包括鐵路和電力公司在內的多個客戶提供服務。未來,這兩家公司將在產品開發(fā)、生產和銷售方面進行緊密協(xié)作。

值得一提的是,東芝將于12月20日實現(xiàn)私有化,由Japan Industrial Partners牽頭的日本國內財團斥資2萬億日元(折合人民幣約994億元)收購。而ROHM是該財團最大的投資者,將出資3000億日元(折合人民幣約149億元)購買優(yōu)先股和普通股。

此外,ROHM計劃在2027財年之前,對SiC業(yè)務整體投資5100億日元(折合人民幣約254億元),到2027財年,SiC功率器件的銷售額將增長到2700億日元(折合人民幣約134億元),是2022財年的9倍。由東芝負責傳統(tǒng)的Si半導體業(yè)務將使羅姆公司能夠把投資重點放在更尖端的SiC產品上。(集邦化合物半導體Rick編譯)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。

]]>
【上周要聞速遞】東芝及氮矽推新產品/士蘭微獲控股股東增持/基本半導體獲專利授權…… http://fortresscml.com/Company/newsdetail-65778.html Mon, 23 Oct 2023 06:32:23 +0000 http://fortresscml.com/?p=65778 除了每日推送有關化合物半導體市場的熱點文章,我們也整理了上周行業(yè)內的一些看點作為拓展:

東芝推出 SiC MOSFET 新品

東芝推出的第3代TWxxNxxxC系列,共有10款產品,包括5款1200V和5款650V產品。

source:東芝半導體

這些新一代MOSFET內置了與SiC MOSFET內部PN結二極管并聯(lián)的碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD),可提高可靠性。新產品開關損耗約降低約20%,有助于提高設備效率。此外,由于柵極驅動電路設計簡單,可防止開關噪聲引起的故障。

據悉,東芝650V和1200V第3代碳化硅MOSFET擁有更低的功耗,適用于大功率且高效、高功率密度的各類應用,如開關電源(數據中心、服務器、通信設備等)、不間斷電源(UPS)、光伏逆變器、電動汽車充電站等。

來源:東芝半導體官方公眾號

氮矽科技推出全新低壓GaN集成芯片

氮矽科技推出了一款具有工業(yè)級可靠性的低100V GaN集成產品DXC6010S1C。

據悉,氮矽科技DXC6010S1C是一款驅動集成GaN芯片,該芯片耐壓100V,內部集成了一顆增強型低壓硅基氮化鎵(GaN-on-Si)和單通道高速驅動器。采用DFN5×6封裝,占板面積小,無反向恢復電荷,并且導通電阻極低。為最高功率密度應用提供超小型化的解決方案。

DXC6010S1C適用于多種場景,如高頻高功率密度降壓轉換器、DC/DC轉換、AC/DC充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器、電機驅動器和D類音頻放大器等。它也適用于AI、服務器、通信、數據中心等應用場景,特別適合48V工作電壓的USB PD 3.1快充和戶外電源相關應用。

信息來源:充電頭網

士蘭微:控股股東擬1000萬至2000萬元增持股份

士蘭微于17日發(fā)布公告稱,控股股東杭州士蘭控股有限公司擬自本公告披露之日起6個月內通過上海證 券交易所允許的方式(包括但不限于集中競價、大宗交易等)增持公司股份, 增持金額為不低于人民幣1000萬元且不超過人民幣2000萬元(以下簡稱“本次增持計劃”)。

本次增持價格不超過30 元/股,資金來源為士蘭控股自有資金 及自籌資金。

信息來源:士蘭微官網

基本半導體獲得“功率模塊”專利授權

天眼查顯示,深圳基本半導體有限公司“功率模塊”專利獲授權,授權公告號為CN219832642U,授權公告日為10月13日。

source:國家知識產權局

據摘要介紹,本實用新型涉及半導體設備技術領域,具體是涉及功率模塊,包括:散熱組件以及功率組件,所述散熱組件貼設在所述功率組件的底部,所述散熱組件一體成型,所述散熱組件內部具有腔體,所述散熱組件的兩側分別設有進液口以及出液口,所述進液口和所述出液口分別與所述腔體連通,所述腔體內部設有多個散熱針翅,所述腔體靠近所述進液口設有用于引導冷卻液從所述進液口均勻分流至所述腔體的第一導流槽,所述腔體靠近所述出液口設有用于引導所述冷卻液從所述腔體匯流至所述出液口的第二導流槽。

本實用新型使得冷卻液由進液口進入后可以均勻地通過整個腔體,從而達到對功率模塊所有芯片的均勻散熱效果;散熱針翅也進一步提高了提高散熱效果。

來源:國家知識產權局

美企Axcelis宣布向日本SiC企業(yè)交付Purion EXE Power系列離子注入機

美企Axcelis于18日發(fā)布公告稱,公司的Purion EXE SiC Power系列8英寸高能離子注入機已向日本領先的SiC功率器件芯片制造商發(fā)貨。該系列產品將用于汽車用SiC功率器件的大批量生產。
據悉,離子注入是IC制造過程中最關鍵的步驟之一,Axcelis致力于離子注入系統(tǒng)的設計、制造以及在離子注入系統(tǒng)生命周期內提供支持服務。

信息來源:Axcelis官網

TrendForce集邦咨詢新推出《2023中國SiC功率半導體市場分析報告》,聚焦中國市場發(fā)展,重點分析供應鏈各環(huán)節(jié)發(fā)展情況及主要廠商動態(tài)。以下為報告目錄:

]]>
東芝推出第三代650V SiC肖特基勢壘二極管 http://fortresscml.com/SiC/newsdetail-64608.html Fri, 14 Jul 2023 09:13:33 +0000 http://fortresscml.com/?p=64608 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出最新一代用于工業(yè)設備的碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)——“TRSxxx65H系列”。首批12款產品(均為650V)中有7款產品采用TO-220-2L封裝,其余5款采用DFN8×8封裝,于今日開始支持批量出貨。

新產品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬,優(yōu)化了第2代產品的結勢壘肖特基(JBS)結構[2]。它們實現(xiàn)業(yè)界領先[3]的1.2V(典型值)低正向電壓,比上一代的1.45V(典型值)低17%。此外,新產品還在正向電壓與總電容電荷之間以及正向電壓與反向電流之間取得了平衡,從而在降低了功耗的同時提高了設備效率。

今年2月,東芝總裁佐藤裕之表示,公司的主要產品是用于控制汽車和家電功率的功率半導體,目前正在擴大產能。

佐藤裕之表示,車用功率半導體的性能非常好,公司認為需要擴產。目前生產場地不夠用,要建新廠房。據悉,東芝電子計劃在姬路半導體工廠(位于兵庫縣太子町)建設新廠房,并將于2025年春季投產,建成后該工廠的汽車產品產能將增加一倍以上。

圖片來源:拍信網正版圖庫

未來,半導體市場將擴大,并且用途也逐漸明了。以汽車為例,隨著電氣化的推進,使用的半導體數量不斷增加。佐藤裕之表示,未來東芝電子在半導體設備投資可能會增加。

此外,佐藤裕之表示公司將會大力發(fā)展節(jié)能性好、采用“碳化硅(SiC)”材料的功率半導體,并透露量產應該在2025年開始,但日本和國外的客戶都希望提前量產,公司方面將會討論是否有可能推進進程。

SiC是第三代化合物半導體的典型代表,具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢,廣泛應用于電力電子與射頻等下游。

SiC相比硅基材料具有寬禁帶、電子飽和漂移速率高、熱導系數高和熔點高等優(yōu)勢,可有效突破傳統(tǒng)硅基半導體器件及其材料的物理極限,作為襯底開發(fā)出更適應高溫、高壓、高頻率和大功率等條件的半導體器件,廣泛應用于新能源車、光伏及射頻領域。

其中,新能源汽車可以說是目前碳化硅應用最火熱的賽道。根據TrendForce集邦咨詢《第三代半導體功率應用市場分析報告》內容顯示,隨著越來越多車企開始在電驅系統(tǒng)中導入SiC技術,預估2022年車用SiC功率元件市場規(guī)模將達到10.7億美元,至2026年將攀升至39.4億美元。(文:集邦化合物半導體 Amber整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。

]]>
東芝將分拆為兩家公司,出售照明等非核心資產 http://fortresscml.com/info/newsdetail-59774.html Wed, 16 Feb 2022 02:24:04 +0000 http://fortresscml.com/?p=59774 日本東芝(Toshiba)2月7日宣布新的分拆計劃,去年11月原本打算依照集團整體業(yè)務內容進行一拆三,在這回改為一拆二,只有半導體相關的“裝置業(yè)務”將分拆、獨立,保留發(fā)電設備相關的“基礎事業(yè)服務”。

東芝2021年11月宣布的分拆計劃,原本打算將裝置業(yè)務和基礎事業(yè)服務分拆出去,但是也引來大股東等的批評聲浪。這回經過修正,分拆、獨立的公司減少,相關作業(yè)及股票上市手續(xù)的成本降低,省下的費用也將用于成長投資及股票分紅。

圖片來源:拍信網正版圖庫

東芝原本打算在今后兩年實施1000億日圓規(guī)模的股票分紅,而這次則希望拉高至3000億日圓規(guī)模。東芝還透露,他們已要求鎧俠(Kioxia)盡早實施IPO,鎧俠約有4成資金來自東芝。東芝在3月將召開股東大會,提案內容將清楚記載,從鎧俠股票取得的資金要全額用在股票分紅。

東芝也在同日宣布,集團旗下空調子公司東芝開利(ToshibaCarrier)的55%已發(fā)行股票,將轉讓給合資伙伴的美國空調大廠開利(CARR-US),金額約1000億日圓。除此之外,東芝還要出售電梯及照明業(yè)務,手續(xù)也已經展開,目標在2022年度內(至2023年3月底)談妥條件。

另外東芝也宣布,提供POS系統(tǒng)的子公司、東芝特科(ToshibaTec)將不再是業(yè)務的發(fā)展重點,要通過事業(yè)的篩選和集中,來提升企業(yè)價值。(來源:鉅亨網)

更多LED相關資訊,請點擊LED網或關注微信公眾賬號(cnledw2013) 。

]]>