source:漢磊
資料顯示,漢磊位于中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園,專注于碳化硅以及氮化鎵的代工,目前企業(yè)擁有1座4/5英寸及2座6英寸晶圓廠。
近年來,隨著國(guó)際大廠與國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)相繼開始建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線,漢磊此前就有意愿布局8英寸化合物半導(dǎo)體,卻受制于自建8英寸廠房過高的成本。今年6月,有媒體曝漢磊為進(jìn)軍8英寸領(lǐng)域,考慮與現(xiàn)有8英寸廠商合作。
而世界先進(jìn)目前有5座8英寸晶圓廠,自身也有8英寸氮化鎵代工業(yè)務(wù),但缺乏碳化硅技術(shù)。雙方合作能實(shí)現(xiàn)資源互補(bǔ),并可節(jié)約成本,創(chuàng)造更多經(jīng)濟(jì)效益。
在漢磊與世界先進(jìn)的合作中,相關(guān)技術(shù)初期將由漢磊轉(zhuǎn)移,預(yù)計(jì)2026下半年開始量產(chǎn)。
漢磊董事長(zhǎng)徐建華表示:“漢磊與世界先進(jìn)的合作將在漢磊現(xiàn)有6英寸晶圓制造技術(shù)及客戶的基礎(chǔ)上,共同合作進(jìn)行8英寸碳化硅技術(shù)平臺(tái)開發(fā)及產(chǎn)能布建,以提供全球IDM及Fabless客戶具有長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案?!?/p>
世界先進(jìn)董事長(zhǎng)方略表示:“憑借公司領(lǐng)先的特殊積體電路制造專業(yè),以及漢磊在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越技術(shù),使公司基于現(xiàn)有的電源管理IC,分立器件以及氮化鎵外,再導(dǎo)入碳化硅后,更能成為具備完整第三代化合物半導(dǎo)體的8英寸晶圓廠,為拓展電源管理產(chǎn)品相關(guān)業(yè)務(wù)市場(chǎng),提供從低功耗到高功率、從低頻到高頻操作,更加完整的電源管理技術(shù)平臺(tái),有望能為客戶的產(chǎn)品提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的全方位解決方案?!保罨衔锇雽?dǎo)體Morty整理)
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]]>早在2019年,世界先進(jìn)就以2.36億美元收購(gòu)格芯在新加坡建造的一座8英寸晶圓代工廠,用于各式傳感器的生產(chǎn)。目前世界先進(jìn)有5座8英寸工廠,但旗下一直都沒有12英寸工廠。如果其在新加坡成功建廠,屆時(shí)臺(tái)積電、聯(lián)電、力積電以及世界先進(jìn)四大中國(guó)臺(tái)灣工廠都擁有自己的12英寸晶圓工廠。
據(jù)悉,世界先進(jìn)今年的資本支出將低于100億元新臺(tái)幣(3.09億美元),而2022年為194億元新臺(tái)幣(6億美元)。根據(jù)世界先進(jìn)這兩年的營(yíng)收數(shù)據(jù)看,若要投資20億美元建廠加上后期的運(yùn)營(yíng)成本,將加大公司的財(cái)務(wù)壓力。
世界先進(jìn)今年就曾表示,公司考慮在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)或者新加坡建造一座12英寸晶圓廠,但是沒有具體說明情況。業(yè)內(nèi)人士稱,世界先進(jìn)建造12英寸晶圓廠的相關(guān)事宜需要股東臺(tái)積電的技術(shù)支持,但臺(tái)積電一直沒有放行,最近獲其同意后,為降低地緣政治影響,世界先進(jìn)傾向在新加坡建廠。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
據(jù)了解,該12英寸廠鄰近世界先進(jìn)先前從格芯買下的廠區(qū),并且距離恩智浦和臺(tái)積電的合資企業(yè)SSMC約10分鐘車程。
隨著業(yè)界主流從8英寸轉(zhuǎn)向12英寸,目前僅有8英寸工廠的世界先進(jìn)無論是從制作成本還是設(shè)備獲取方面都在逐漸失去相應(yīng)的優(yōu)勢(shì)。為了獲得更多訂單,世界先進(jìn)規(guī)劃建立12英寸工廠,擺脫原先以量產(chǎn)8英寸晶圓的局面。
世界先進(jìn)一旦完成12英寸工廠的建設(shè),將有助于其獲得更多國(guó)際IDM的委外訂單,搶占更多的車用、工控市場(chǎng),將營(yíng)收進(jìn)一步擴(kuò)大。
世界先進(jìn)昨(23)日重申,對(duì)任何投資方案維持先前于法說會(huì)曾提到“不排除任何可能”的態(tài)度。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)
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