在2024中國電動汽車百人會論壇上，三安光電總經(jīng)理林科闖先生分享了三安在汽車芯片領(lǐng)域的最新動態(tài)和未來展望。本篇專訪將深入探討三安的業(yè)務(wù)布局、技術(shù)優(yōu)勢以及對行業(yè)發(fā)展的深刻洞察。

正文：

在電動汽車產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的今天，芯片作為汽車新四化的核心部件，其重要性不言而喻。三安，作為國內(nèi)領(lǐng)先的化合物半導體制造商，近年來在汽車芯片領(lǐng)域取得了顯著成就。在百人會成立十周年理事會特別會議暨中國汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢與政策閉門研討會上，三安光電總經(jīng)理林科闖先生發(fā)表了精彩演講，闡述了三安在汽車芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局和未來愿景。

業(yè)務(wù)布局：全產(chǎn)業(yè)鏈布局，深耕化合物半導體

三安主要從事半導體新材料、外延、芯片與器件的研發(fā)。公司不僅在LED芯片領(lǐng)域占據(jù)龍頭地位，更是在碳化硅、砷化鎵、氮化鎵等第三代半導體領(lǐng)域取得了突破性進展。

林科闖先生表示：“三安的目標是打造全產(chǎn)業(yè)鏈布局，從材料生長、芯片制造到封裝測試，我們都有深入的涉足和研究。在供應(yīng)方面，三安的垂直整合模式，可以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和供應(yīng)；在規(guī)模上，三安在消費、工業(yè)和汽車市場深耕數(shù)十載，與終端市場一起成長，能夠滿足客戶期望。我們專注于提供高性能、高可靠性的產(chǎn)品和解決方案，以滿足新能源汽車對芯片的嚴苛要求?！?br /> 技術(shù)優(yōu)勢：創(chuàng)新驅(qū)動，追求國際標準化

三安在技術(shù)創(chuàng)新上不斷加大投入，力求在汽車芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國際標準化。林科闖先生強調(diào)：“我們希望通過技術(shù)創(chuàng)新，縮短產(chǎn)品從研發(fā)到終端應(yīng)用的距離。我們不追求簡單的價格競爭，而是通過性能和技術(shù)創(chuàng)新來贏得市場。” 三安已經(jīng)在LED、光器件、射頻器件、功率器件等領(lǐng)域取得了一系列技術(shù)突破，其產(chǎn)品在新能源汽車上得到了廣泛應(yīng)用。

行業(yè)洞察：開放合作，共同推動行業(yè)發(fā)展

在談到行業(yè)發(fā)展趨勢時，林科闖先生表示：“我們堅定支持開放的市場環(huán)境，通過‘引進來競爭’，與國內(nèi)外同行進行合作與競爭，共同推動行業(yè)的健康發(fā)展。我們相信，只有開放的心態(tài)和合作精神，才能為行業(yè)帶來正向的力量?！?/p>

三安在推動國內(nèi)外交流與合作方面一直走在行業(yè)前列，與國際半導體巨頭意法半導體合作，共同投資建設(shè)8英寸碳化硅外延、芯片代工廠；與新能源汽車領(lǐng)軍企業(yè)理想汽車成立合資公司，在碳化硅模塊上合作。這種既重視上游供應(yīng)鏈合作，又緊密聯(lián)系終端客戶的雙向策略，使得三安能夠更好地把握市場脈搏，同時也為半導體產(chǎn)業(yè)的進步和新能源產(chǎn)業(yè)的繁榮做出了積極貢獻。
未來展望：持續(xù)創(chuàng)新，引領(lǐng)市場發(fā)展

對于未來，三安有著清晰的規(guī)劃和目標。林科闖先生展望道：“我們將繼續(xù)加大研發(fā)投入，推動產(chǎn)品和技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新。我們希望成為汽車芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導者，不僅在國內(nèi)市場占據(jù)一席之地，更要在國際市場上展現(xiàn)中國企業(yè)的實力?！?三安將繼續(xù)深耕化合物半導體領(lǐng)域，通過技術(shù)創(chuàng)新和開放合作，為全球汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻力量。

結(jié)語：

通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和開放合作，三安有望成為推動全球汽車產(chǎn)業(yè)進步的重要力量。我們期待三安在未來能夠帶來更多令人振奮的成果，為中國乃至全球的半導體產(chǎn)業(yè)書寫新的篇章。

來源：三安光電

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第三季度，三安光電實現(xiàn)營收36.86億元，同比增長13.43%；歸母凈利潤264.36萬元，同比下降95.19%；前三季度，公司實現(xiàn)營收101.56億元，同比增長1.43%；歸母凈利潤為1.73億元，同比下降82.51%。

三安光電表示，第三季度隨著市場行情的逐步好轉(zhuǎn)，公司LED芯片銷售量較上年同期增加，雖部分芯片售價環(huán)比有所回升，但整體售價較上年同期有較大幅度下降。另外，公司設(shè)備稼動率逐步恢復(fù)中，部分產(chǎn)品生產(chǎn)成本上升；高端產(chǎn)品占比有所改善，但尚未達到預(yù)期，因此導致公司營業(yè)成本同比上升。

三安光電收入來源于LED業(yè)務(wù)、集成電路業(yè)務(wù)兩大板塊。集成電路業(yè)務(wù)涵蓋射頻前端、光技術(shù)、電力電子等三大應(yīng)用領(lǐng)域，今年上半年各細分業(yè)務(wù)實現(xiàn)穩(wěn)步成長，共實現(xiàn)銷售收入15.22億元，同比增長4.14%。毛利率方面，得益于SiC產(chǎn)能的持續(xù)釋放，成本降低，SiC業(yè)務(wù)毛利率有所提高，疊加GaAs射頻和GaN射頻業(yè)務(wù)的推進，三安光電集成電路整體毛利率增長了7.75%。

值得注意的是，在業(yè)務(wù)整合上，三安光電宣布對射頻類、光芯片類業(yè)務(wù)進行了整合，轉(zhuǎn)讓相關(guān)子公司股權(quán)，進一步明確了公司射頻業(yè)務(wù)、光芯片業(yè)務(wù)、SiC/GaN電力電子業(yè)務(wù)、LED芯片業(yè)務(wù)的發(fā)展方向。

基于對三安光電未來穩(wěn)健發(fā)展的信心，三安光電于8月獲得間接控股股東三安集團及其一致行動人增持股份，合計增持金額5,000萬至1億元，增持計劃于9月19日實施完成。增持完成后，三安集團和三安電子合計對三安光電的持股比例上升至29.338%。10月23日，三安光電宣布，三安集團及其一致行動人擬再次以自有資金通過集中競價交易方式增持三安光電股份，增持金額為人民幣5,000萬元至1億元。

華潤微：營收達75.30億元，投資未來

10月27日晚，華潤微公布2023年第三季度報告，報告顯示，今年前三季度，公司營收75.30億元，凈利潤10.56億元；第三季度營收25億元，同比增長0.57%，凈利潤2.78億元。

華潤微本年前三季度研發(fā)投入達8.69億元，同比增長40.22%。華潤微表示，公司今年的資金主要用于加大研發(fā)投入、推進深圳12吋線和封測基地的業(yè)務(wù)展開。

今年年初，位于西部（重慶）科學城西永微電園的華潤微電子重慶園區(qū)內(nèi)，每個月都有約6.5萬片8吋晶圓下線。該產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)的12吋晶圓產(chǎn)線預(yù)估將形成每月3萬-3.5萬片12吋晶圓產(chǎn)能，并配套12吋外延及薄片工藝能力。

此外，華潤微今年全力以赴推進深圳12吋特色工藝集成電路生產(chǎn)線工程建設(shè)，該項目預(yù)計2024年年底實現(xiàn)通線投產(chǎn)，滿產(chǎn)后將形成年產(chǎn)48萬片12吋功率芯片的生產(chǎn)能力。

據(jù)悉，該項目總投資規(guī)模約220億元，聚焦40納米以上模擬特色工藝，項目規(guī)劃總產(chǎn)能4萬片/月，產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車電子、新能源、工業(yè)控制、消費電子等領(lǐng)域。

近期國內(nèi)外的不少半導體企業(yè)都表示，今年下半年半導體市場下行周期或?qū)⒌竭_谷底，行業(yè)即將迎來復(fù)蘇的曙光。華潤微通過自身的超前布局，持續(xù)加大研發(fā)投入和業(yè)務(wù)開拓力度，為后續(xù)即將上升的市場需求做準備。

天岳先進：營收增長206.06%，拐點已至

10月27日晚，天岳先進披露三季報顯示，2023年前三季度，公司實現(xiàn)營收8.25億元，同比增長206.06%，超出了此前的預(yù)期。

公司第三季營收3.87億元，同比增長255.89%，凈利潤380萬元，實現(xiàn)了扭虧為盈。

在經(jīng)濟不景氣的大環(huán)境下，天岳先進為了一改此前虧損的狀態(tài)，努力調(diào)整自身業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)。今年，天岳先進除了加快推進上海臨港碳化硅半導體材料項目的建設(shè)外，還將濟南工廠的部分半絕緣產(chǎn)能調(diào)整為6英寸導電襯底，并在去年就實現(xiàn)導電型襯底的批量供貨，產(chǎn)能結(jié)構(gòu)優(yōu)化取得成效。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢新推出的《2023中國SiC功率半導體市場分析報告》顯示，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，中國的SiC功率半導體產(chǎn)值以功率元件業(yè)（包含F(xiàn)abless、IDM以及Foundry）占比最高，達42.4%，接續(xù)為襯底片制造業(yè)及外延片制造業(yè)。

TrendForce集邦咨詢預(yù)估2023年中國N-Type SiC襯底產(chǎn)能（折合6英寸）可達1020Kpcs。

此前消息，上海臨港新工廠已于今年5月開始交付6英寸SiC導電型襯底，目前產(chǎn)能和產(chǎn)量均在持續(xù)爬坡中。按照規(guī)劃，該工廠將年產(chǎn)30萬片6英寸導電型SiC襯底，原計劃2026年投產(chǎn)，但按照目前的進展來看，天岳先進預(yù)計將提前實現(xiàn)達產(chǎn)。

在此基礎(chǔ)上，天岳先進已決定通過優(yōu)化生產(chǎn)工藝、調(diào)整生產(chǎn)設(shè)備、原輔材料和公輔環(huán)保設(shè)施等方式，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量，借此將6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模擴大至96萬片/年，相當于產(chǎn)能比原計劃顯著擴大220%。

今年天岳先進前三季研發(fā)投入8730萬，同比增長41.15%。通過與國內(nèi)外企業(yè)簽訂長期合作協(xié)議，天岳先進通過快速擴大銷售規(guī)模的方式，減緩大幅增長的研發(fā)投入所帶來的資金壓力。

面對火熱的SiC市場，天岳先進重視自主自研，積累技術(shù)優(yōu)勢。去年實現(xiàn)了自主擴徑制備高品質(zhì)8英寸襯底，現(xiàn)已具備量產(chǎn)能力。今年，天岳先進通過液相法制備出了低缺陷密度的8英寸晶體，據(jù)稱屬于行業(yè)首創(chuàng)。

可以看到，通過逐步提升SiC襯底產(chǎn)能,擴大自身技術(shù)優(yōu)勢，今年第三季度的營收數(shù)據(jù)表明天岳先進營收拐點已到來。（文：集邦化合物半導體）

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圖片來源：湖南三安

三安8英寸SiC襯底已小批量生產(chǎn)及送樣

昨日（10/23）晚間，湖南三安披露，8英寸SiC襯底已完成開發(fā)，并進入小批量生產(chǎn)及送樣階段。據(jù)了解，其產(chǎn)品主要采用精準熱場控制的自主PVT工藝，可實現(xiàn)更低成本及更低缺陷密度。下一步，湖南三安的重點將放在良率的提升上，現(xiàn)已加快設(shè)備調(diào)試與工藝優(yōu)化，并持續(xù)推進湖南與重慶工廠的量產(chǎn)進程。

在重慶的投資上，湖南三安正在穩(wěn)步推進相關(guān)項目的建設(shè)，其與ST意法半導體合資成立的三安意法半導體（重慶）有限公司承建的8英寸SiC器件廠項目前期相關(guān)審批事項已成功獲批，后續(xù)隨著各項工作有序推進，預(yù)計將于2025年完成階段性建設(shè)并投產(chǎn)，2028年進入達產(chǎn)階段。作為配套，三安未來也將獨立建造及運營一個8英寸SiC襯底廠。

據(jù)化合物半導體市場了解，為推進重慶相關(guān)項目的建設(shè)，三安光電已于今年7月成立了重慶三安半導體有限責任公司（注冊資本18億元），間接持股100%。

國產(chǎn)8英寸SiC襯底整體發(fā)展速度喜人

SiC襯底是整個SiC產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)含金量最高的一個環(huán)節(jié)，從市場格局來看，依舊是國際廠商領(lǐng)先，國內(nèi)廠商追趕的局面。但不難發(fā)現(xiàn)，近兩年來，國內(nèi)廠商在SiC襯底領(lǐng)域快馬加鞭，尤其是大尺寸襯底。

從企業(yè)數(shù)量來看，按照公開信息統(tǒng)計，已有10家國內(nèi)廠商成功研發(fā)了SiC襯底。從實際生產(chǎn)和銷售情況來看，天科合達、爍科晶體、合盛硅業(yè)已分別進入小批量供貨、小批量生產(chǎn)和銷售、以及量產(chǎn)階段，加上如今的湖南三安，國內(nèi)已有4家廠商取得了實質(zhì)性的成果。另外，天岳先進近期也表示已經(jīng)具備8英寸導電型SiC襯底的量產(chǎn)能力。

從合作來看，英飛凌綁定了天科合達及天岳先進的襯底產(chǎn)能，第二階段的合作都涵蓋了8英寸襯底；而三安光電與ST的合作也側(cè)面反映其對三安SiC襯底產(chǎn)品性能和質(zhì)量的認可······國內(nèi)8英寸SiC襯底的總體量產(chǎn)潛力和實力由此可見一斑。

根據(jù)北大相關(guān)研究者的了解，在SiC產(chǎn)業(yè)鏈當中，除了一些特別高端的襯底材料以外，國內(nèi)廠商跟國際廠商差距最小的環(huán)節(jié)就是SiC襯底，總體來看，國內(nèi)企業(yè)的襯底技術(shù)已經(jīng)達到了相當高的水平。由此推測，隨著國產(chǎn)技術(shù)的進一步突破以及國內(nèi)產(chǎn)業(yè)配套的逐步完善，國內(nèi)廠商也有望進一步縮短與國際廠商在SiC器件領(lǐng)域的差距。

三安車規(guī)級MOS驗證提速

就目前來看，SiC器件廠在產(chǎn)品研發(fā)、驗證以及應(yīng)用上也按下了“快進鍵”，尤其是在車規(guī)SiC領(lǐng)域，今年以來便傳來了不少關(guān)于產(chǎn)品驗證送樣、收獲訂單的消息。同樣以湖南三安為例，其車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品的驗證已提速。

據(jù)悉，湖南三安全新推出了650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET。其中，1200V/75mΩ MOSFET主要匹配新能源汽車OBC的需求，而1700V/1000mΩ MOSFET則主要面向光伏逆變器的輔助電源應(yīng)用。據(jù)透露，目前這兩款產(chǎn)品均處于客戶端導入階段，將逐步批量供貨。此外，1200V /16mΩ的車規(guī)級芯片已在戰(zhàn)略客戶處進行模塊驗證。

總的來看，在當前SiC最大的應(yīng)用市場——新能源汽車領(lǐng)域，湖南三安的SiC產(chǎn)品已經(jīng)取得階段性進展，部分產(chǎn)品已進入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。

當下，湖南三安已經(jīng)是三安光電的一個重要收入來源。今年上半年，在SiC市場需求強勁增長的驅(qū)動下，湖南三安實現(xiàn)營收5.82億元，同比增長178.86%；實現(xiàn)凈利潤3.32億元，同比大幅增長266.99%。而且，湖南三安的SiC業(yè)務(wù)毛利率也有所提高，另加上GaAs射頻和GaN射頻業(yè)務(wù)的推進，三安光電集成電路業(yè)務(wù)整體毛利率增長了7.75%。

而基于對三安光電發(fā)展前景及長期穩(wěn)定增長的信心，三安光電的間接控股股東三安集團及其一致行動人今年擬兩次增持三安光電的股份。

第一次增持計劃已于9月實施完畢，增持金額5,000萬元至1億元。自此，三安集團有三安光電的股權(quán)比例上升至5.0081%。第二次增持計劃剛于昨日公布，本次預(yù)計增持的金額同樣是5,000萬元至1億元，三安集團及其一致行動人擬在接下來1個月內(nèi)通過集中競價交易方式增持三安光電股份。

小結(jié)

從湖南三安8英寸襯底的進展速度和成果可見，國產(chǎn)SiC襯底廠在全球舞臺的競爭力正在逐漸增強；從其車規(guī)級SiC MOS器件的進展也可窺知，國產(chǎn)SiC器件廠的實力也正在一步一步獲得全球車企客戶的認可，未來皆可期。（文：集邦化合物半導體Jenny）

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國內(nèi)廠商

本屆PCIM展會，多家國內(nèi)廠商攜新品新技術(shù)亮相，如英諾賽科、三安半導體、基本半導體、瑞能半導體、芯聚能、致瞻科技、宏微科技等，其中，部分廠商亮點匯總?cè)缦拢?/p>

英諾賽科

作為全球少數(shù)的GaN IDM廠商，英諾賽科帶來了晶圓和芯片等多系列產(chǎn)品以及面向消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車等不同應(yīng)用的InnoGaN解決方案。

• GaN晶圓、芯片

產(chǎn)品部分，英諾賽科展示了硅基GaN晶圓及高中低壓30V-700V GaN芯片，以40V VGaN雙向?qū)ㄏ盗?、SolidGaN半橋合封系列及全新封裝Toll/TO等封裝新品為重點。

據(jù)介紹，VGaN系列是行業(yè)首創(chuàng)的雙向?qū)óa(chǎn)品，采用WLCSP封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)以一替二（Si），目前，該系列產(chǎn)品已導入到oppo/realme等手機主板，節(jié)省手機PCBA空間，降低手機充電溫度，實現(xiàn)更高效、更安全的充電方式。其中，采用VGaN的realme GT2手機就在英諾賽科的生活區(qū)消費領(lǐng)域展出。

• GaN消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車解決方案

針對消費電子應(yīng)用，英諾賽科展示了多款快充產(chǎn)品，除了realme GT2手機，還有安克65W全氮化鎵（All-GaN）快充，閃極、倍思、綠聯(lián)、貝爾金、努比亞等30-65W小體積快充產(chǎn)品，以及30-300W的氮化鎵快充及適配器高效方案。此外，消費類產(chǎn)品還包括：200W LED電源，2kW戶外儲能電源等方案。

針對數(shù)據(jù)中心應(yīng)用，英諾賽科已開發(fā)了全鏈路的GaN供電解決方案，本次就展出了PSU電源的AC→DC環(huán)節(jié)的2KW PSU和4KW PFC方案，還有48V→12V環(huán)節(jié)的420W/600W/1000W 電源模塊，以及Oring，Hotswap，Vcore電源等方案。英諾賽科表示，該系列產(chǎn)品可提升供電鏈路的功率密度和效率，降低50%的系統(tǒng)損耗。

針對電動汽車應(yīng)用，英諾賽科率先在車載激光雷達領(lǐng)域展開布局并開花結(jié)果，同步開拓主驅(qū)逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、OBC等應(yīng)用場景。本次展會上，英諾賽科便帶來采用其100V低壓芯片的激光雷達器、2.4 kW 48V雙向DCDC電源模塊、1kW電機驅(qū)動、150W車載/筆電車充等方案，可助力全面降低系統(tǒng)損耗。

三安半導體

三安半導體本次重點展示“碳化硅 (SiC) 全產(chǎn)業(yè)鏈體系”的全線產(chǎn)品（覆蓋晶錠、襯底、外延、芯片、器件）和“深入行業(yè)應(yīng)用”的新能源汽車、光伏儲能、通信基站、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化、家用電器、消費類電子功率半導體的解決方案。具體展品如下：

• 6英寸SiC晶碇、襯底、外延

在晶錠生長技術(shù)上，三安半導體采用6/8英寸兼容大尺寸單晶生長平臺，依托精準熱場控制的自主PVT工藝，實現(xiàn)更低的成本及更低的缺陷密度。

SiC襯底技術(shù)門檻高，工藝難度大，但據(jù)介紹，三安半導體目前擁有高效率、低損耗的切割技術(shù)，精準控性、高平坦度的研磨技術(shù)，以及高表面質(zhì)量、低缺陷的拋光和清洗技術(shù)，基于此，其6英寸SiC襯底的品質(zhì)和良率在逐步提升。

在外延環(huán)節(jié)，缺陷密度、波長均勻性是SiC外延環(huán)節(jié)的主要技術(shù)難點，這兩大問題與外延片的可靠性和成本息息相關(guān)。目前，三安半導體采用650V-1700V寬電壓區(qū)間外延平臺和領(lǐng)先的多層外延技術(shù)，在外延環(huán)節(jié)實現(xiàn)了低缺陷密度、高一致性與高可靠性，成本管控良好。

• SiC功率 (SBD/MOS) 芯片、器件

功率芯片方面，本次展出的二極管及MOS芯片均通過了AEC-Q101認證，基于更好的Vth控制技術(shù)和減薄晶圓平臺，產(chǎn)品具備高電流密度高浪涌能力，以及極低損耗和低寄生參數(shù)。

器件方面，三安半導體展出來650V/1200V全產(chǎn)品系列SiC功率二極管及MOS器件，通過了AEC-Q101認證/AQG-324認證，以高性能、高一致性和高可靠性為特點，可以根據(jù)客制化要求，提供多種靈活工藝方案。

基本半導體

基本半導體在本屆PCIM Europe上正式發(fā)布了第2代SiC MOSFET系列新品，該系列產(chǎn)品基于6英寸晶圓平臺進行了自主研發(fā)和迭代升級，性能和可靠性得到了大幅度提高，器件開關(guān)損耗進一步降低。同步展出的還有SiC晶圓、器件、模塊、驅(qū)動器和驅(qū)動IC等。

• SiC晶圓、器件

晶圓和器件部分展示了SiC MOSFET/SBD晶圓、SiC MOSFET及肖特基二極管器件。

• 車用全碳化硅功率模塊

基本半導體帶來的車用SiC產(chǎn)品備受關(guān)注，據(jù)介紹，車用全碳化硅功率模塊分全橋式和半橋式，覆蓋750V和1200V，電流最大達800A。

據(jù)悉，Pcore?6、Pcore?2模塊均采用全銀燒結(jié)、DTS+TCB（Die Top System + Thick Cu Bonding）等封裝技術(shù)，在柵極輸入電容、內(nèi)部寄生電感、熱阻等多項參數(shù)上達到國際先進水平，可顯著提升整車效率，降低制造和使用成本。

今年4月，基本半導體車規(guī)級SiC芯片產(chǎn)線正式通線，達產(chǎn)后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求。目前，基本半導體已獲得近20家整車廠和Tier1電控客戶的定點。

• SiC MOSFET/IGBT門極驅(qū)動解決方案

本次展位也同步呈現(xiàn)了基本半導體旗下青銅劍技術(shù)的SiC MOSFET和IGBT門極驅(qū)動解決方案，包括適配HPD封裝的SiC MOSFET模塊驅(qū)動器，IGBT驅(qū)動核、即插即用驅(qū)動器，以及適配各種封裝形式的定制化驅(qū)動解決方案。

瑞能半導體

瑞能半導體本次帶來了硅基、SiC功率器件在充電樁、車載充電器的應(yīng)用及在可再生能源市場的產(chǎn)品突破，具體展品包含SiC器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET, IGBT，保護器件以及功率模塊等。其中，SiC產(chǎn)品主要介紹兩種規(guī)格的MOS管。

• 1200V和1700V SiC MOSFETs

據(jù)介紹，1200V和1700V SiC MOSFETs具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的FOM（RDS(on)*QG）指數(shù)，安全的開啟電壓以及可靠的柵極氧化層設(shè)計，同時可以實現(xiàn)更加穩(wěn)定的導通電阻高溫性能。產(chǎn)品采用更高晶胞單位密度的先進工藝和優(yōu)化的晶胞結(jié)構(gòu)，在導通電阻和柵極電荷特性方面能做到更好的平衡，降低變換器的損耗和器件溫升，提升變換效率。

除了上述廠商，芯聚能、致瞻科技、宏微科技等也帶來了豐富的SiC器件、模塊產(chǎn)品。

海外廠商

海外市場方面，第三代半導體主力軍幾乎無一缺席，Wolfspeed、羅姆、安森美、英飛凌、東芝、納微半導體、Transphorm、GaN Systems、EPC、CGD等悉數(shù)亮相，看點頗多，部分企業(yè)的亮點匯總?cè)缦拢?/p>

納微

納微在本屆PCIM Europe重點展示了高壓高效的GeneSiC功率產(chǎn)品和集GaN功率器件、傳感和控制為一體的GaNFast功率芯片，展位上劃分了電動汽車、太陽能、儲能、家電和工業(yè)驅(qū)動等不同展區(qū)。

• 電動汽車

納微展出了豐富的車用SiC和GaN解決方案。其中，針對OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，納微重點介紹了3-in-1雙向OBC+DC-DC解決方案，尺寸僅210 x 192 x 61 mm <2.5 L。據(jù)悉，納微的GaN和SiC方案可應(yīng)用于充電樁、OBC、DC-DC轉(zhuǎn)換器等眾多場景。

• 太陽能/微電網(wǎng)

在太陽能、微電網(wǎng)領(lǐng)域，納微展示了數(shù)款SiC和GaN解決方案，可用于微型逆變器、儲能等多種應(yīng)用。據(jù)悉，納微的650/700V GaN功率芯片目前已用在微型逆變器中。另外，KATEK集團的coolcept flex系列的Steca太陽能逆變器采用了納微的GeneSiC MOSFET，峰值效率高達98.6%，減少了功耗和熱量，體積和重量也都得到了優(yōu)化。

• 消費類

納微展示了消費電子設(shè)備的GaN快充，包括：手機快充、超快充、基于GaNSense技術(shù)的GaNFast半橋功率芯片、搭載GaNSense Control的33W/65W GaN充電器方案、搭載GaNSense功率芯片的140W/240W PD3.1充電器方案、搭載GaNFast功率芯片的300W充電器方案。

其中，采用GaNSense Halfbridge技術(shù)的GaNFast半橋功率芯片是納微最新的產(chǎn)品線，集成了完整的半橋功率級，據(jù)說是數(shù)據(jù)中心、電動機及電動汽車應(yīng)用中逆變器、轉(zhuǎn)換器的基本結(jié)構(gòu)單元。

GaNSense半橋功率芯片采用兩顆GaN FETs，結(jié)合驅(qū)動、控制、感測、自動保護及電平偏移隔離，是電力電子應(yīng)用的基本功率級結(jié)構(gòu)單元。

另外，生活消費類展區(qū)也同步展示了多款家電驅(qū)動機的GaN解決方案：包括60 W備用電源、400W搭載了電動機、1kW洗衣機電動機，以及400W TV電源解決方案。

• 數(shù)據(jù)中心

納微帶來了兩款數(shù)據(jù)中心電源解決方案，一款是2.7kW的鈦金牌服務(wù)器電源解決方案，相較傳統(tǒng)的硅方案，頻率快6倍，峰值效率高于96%，并能實現(xiàn)50%節(jié)能，同時還大大縮小了尺寸；另一款是1kW的高壓數(shù)據(jù)中心電源解決方案，僅有1/4塊磚塊電源的大小，相較傳統(tǒng)750W的傳統(tǒng)硅方案，頻率快4倍，尺寸減小4倍，功率密度高4倍。

Transphorm

• 消費電子應(yīng)用

Transphorm重點介紹了WT7162RHUG24A電源轉(zhuǎn)換器控制芯片，這是其與偉詮電子（Weltrend Semiconductor Inc.）合作開發(fā)的首款系統(tǒng)級封裝(SiP) GaN電源控制芯片，與偉詮電子的高效、單級65W USB-C PD 3.0 + PPS電源適配器參考設(shè)計（內(nèi)置新型IC）一起展出，峰值功率效率約94%，功率密度達26W/in3。據(jù)悉，樣品將今年二季度推出。

此外，Transphorm展示了GaN器件產(chǎn)品組合，在現(xiàn)有的游戲筆記本電腦充電器中，用Transphorm的GaN FET替代TSMC增強型器件，可顯著提升充電器系統(tǒng)的性能。

• 可再生能源應(yīng)用

Transphorm首次展出一款3kW DC-AC非隔離全橋逆變器評估板 TDINV3000W050B-KIT，該產(chǎn)品采用Transphorm的TP65H050G4WS SuperGaN FET器件和微芯（Microchip Technology）的dsPIC33CK數(shù)字信號控制板（DSC），該控制板搭載了預(yù)編程固件，有助于SuperGaN解決方案加速在工業(yè)及可再生能源系統(tǒng)中使用。

• 電動汽車應(yīng)用

Transphorm推出了1200V GaN器件的設(shè)計資源，該系列產(chǎn)品是對其現(xiàn)有650V GaN器件產(chǎn)品線的補充，有利于Transphorm更好地滿足電動汽車領(lǐng)域的需求。

英飛凌、GaN Systems

今年3月，英飛凌宣布將以8.3億美元收購了GaN芯片頭部企業(yè)GaN Systems，雙方在第三代半導體領(lǐng)域的競爭力和影響力進一步擴大。在本屆展會上，英飛凌和GaN Systems均帶來了前沿的產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。

• 英飛凌CoolSiC、CoolGaN解決方案

本屆PCIM展，英飛凌在第三代半導體領(lǐng)域展示了基于CoolGaN的USB-C適配器和充電器，以及配備CoolGaN SG HEMTs、EiceDRIVER門極驅(qū)動IC和XENSIV傳感器的電動汽車解決方案。新型芯片技術(shù)則包括HybridPACK Drive CoolSiC第二代產(chǎn)品。

針對電動汽車應(yīng)用，英飛凌重點介紹50kW模塊化CoolSiC參考設(shè)計，用于電動汽車的快速DC充電系統(tǒng)；展位上同步展示了首個壁掛式DC充電樁——alpitronic HYC50雙向50kW充電樁。

• GaN Systems新型GaN OBC參考設(shè)計

GaN Systems本次重點推出新型11kW/800V GaN參考設(shè)計，據(jù)稱有望改變電動汽車設(shè)計的規(guī)則。該設(shè)計采用三電平飛跨電容型拓撲結(jié)構(gòu)，所用的GaN晶體管將晶體管電壓應(yīng)力降低了一半，使得650V GaN可用于該設(shè)計及其他800V應(yīng)用。與SiC晶體管設(shè)計相比，OBC的功率密度提高了36％，BOM成本降低了15％，交流/直流階段峰值效率>99％，直流/直流階段峰值效率>98.5％，降低了系統(tǒng)總功耗，同時改善了熱性能。

同時，GaN Systems也展示了DC-DC、逆變器解決方案，數(shù)據(jù)中心電源解決方案，GaN快充與適配器解決方案，以及LED及無線能量傳輸?shù)鹊膭?chuàng)新解決方案。

Wolfspeed

Wolfspeed展示了SiC功率模塊、模塊化評估平臺、電機驅(qū)動、光伏儲能系統(tǒng)等產(chǎn)品和解決方案，重點推出3300V LM SiC半橋功率模塊。

• SiC功率模塊

Wolfspeed介紹，3300V LM SiC半橋功率模塊具備優(yōu)越的性能，可幫助功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)降低熱耗，提高可靠性。這款新型SiC中壓模塊性能優(yōu)于Si產(chǎn)品，功耗降低了3倍多，整體系統(tǒng)尺寸減少達40%。

Wolfspeed還展示了WolfPACK 無基板SiC功率模塊產(chǎn)品系列，支持半橋、六管集成及全橋等多種拓撲結(jié)構(gòu)，可在中功率系統(tǒng)中提供出色的可延展性，能夠減小轉(zhuǎn)換器尺寸并降低系統(tǒng)BOM成本，對于追求在緊湊尺寸里實現(xiàn)高效率和高功率密度的設(shè)計者而言，該產(chǎn)品系列是理想選擇。

• SpeedVal Kit模塊化評估平臺

Wolfspeed介紹了最近新推的SpeedVal Kit，該平臺可以快速評估和優(yōu)化Wolfspeed碳化硅MOSFET的的高速動態(tài)開關(guān)性能以及合作伙伴提供的一系列門驅(qū)動器，還可用于開展高功率熱測試，評估實際工作點的運作情況。

• 電機驅(qū)動

Wolfspeed展示了采用其SiC技術(shù)的電機驅(qū)動器，以及基于其中壓SiC模塊技術(shù)的3300 V, 1 MVA電機逆變器。

• 光伏儲能系統(tǒng)

光伏及儲能應(yīng)用部分，Wolfspeed展示了25kW三相逆變器，采用FM3 SiC模塊，逆變器效率提升了1.6%。

羅姆

羅姆在PCIM 2023展會上重點推出電動交通、能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能SiC和GaN解決方案，主打節(jié)能、小型化、功能安全、創(chuàng)新性及可持續(xù)性等優(yōu)點，具體亮點如下：

• 第四代SiC MOS

新一代SiC MOS具有超低導通電阻 (RDSon)，并最大程度降低了開關(guān)損耗，支持15V和18V柵極源極電壓，據(jù)說有助于汽車主逆變器和各類開關(guān)電源實現(xiàn)超小型設(shè)計，降低功耗。

羅姆還展出了SCT40xxKW7第四代1200V SiC MOSFETs，相比傳統(tǒng)產(chǎn)品，導通電阻降低了40%，開關(guān)損耗減少了50%。

• 新型模壓SiC功率模塊

羅姆推出了HSDIP20及DOT247系列產(chǎn)品，兩大系列產(chǎn)品結(jié)合了最新的第四代SiC MOS 750V和1200V器件，覆蓋不同RDSon導通電阻值，并且都能達到30kW的功率應(yīng)用，具體取決于使用條件。

• 內(nèi)置的1700V SiC MOS

羅姆展示了BM2SC12xFP2-LBZ系列產(chǎn)品，據(jù)說這是一款準諧振（Quasi-Resonant）AC/DC轉(zhuǎn)換器，可為各種帶有電源插座的產(chǎn)品提供最佳系統(tǒng)。

• 150V GaN HEMT

針對工業(yè)和通訊設(shè)備應(yīng)用，羅姆優(yōu)化了其150V GaN HEMT GNE10xxT產(chǎn)品，據(jù)稱具有行業(yè)最高的（8V）柵極擊穿電壓技術(shù)。

• 門極驅(qū)動器

除了器件和功率模塊，羅姆同步展示了BM611x系列門極驅(qū)動器，專為xEV牽引逆變器應(yīng)用設(shè)計，已通過AEC-Q100車規(guī)級認證。該系列產(chǎn)品新增了BM6112，柵極電流達20A，適配高功率IGBT和SiC應(yīng)用。

安森美

安森美此次聚焦三大方向：綠色能源、EliteSiC生態(tài)系統(tǒng)、工業(yè)革命。EliteSiC系列相關(guān)的展品主要介紹充電樁解決方案。

• AC電動車充電樁

主要展示了EliteSiC技術(shù)在制造用于從AC電網(wǎng)充電的高效充電解決方案中起到的作用。

• 25kW DC快充評估裝備

主要展示了安森美的智能電源產(chǎn)品組合如何利用EliteSiC技術(shù)實現(xiàn)最高效率。

結(jié)語：SiC成熟度提升，GaN功率產(chǎn)品商用化提速

通過海內(nèi)外主要廠商在本屆PCIM Europe展會上的呈現(xiàn)可以看到，SiC和GaN技術(shù)和性能得到進一步的升級，產(chǎn)品應(yīng)用邊界也在加速拓寬。

值得一提的是，廠商的重點也一致落在電動汽車、工業(yè)電源、光伏儲能等功率半導體解決方案上，傳遞著SiC、GaN加速向高功率應(yīng)用領(lǐng)域滲透的積極信號，尤其是GaN。從廠商的亮點產(chǎn)品不難發(fā)現(xiàn)，GaN在電動汽車上的應(yīng)用已經(jīng)不再是喊口號，一定程度上預(yù)示著GaN將在OBC車載充電器等應(yīng)用場景與SiC正面交鋒。不過，SiC今年展現(xiàn)出了更為強勁的發(fā)展勢頭，無論是技術(shù)還是產(chǎn)品，成熟度皆有所提升，有望加快滲透更多應(yīng)用市場。

另值得一提的是，Wolfspeed、羅姆、納微、安森美、Transphorm、EPC等都將參加相關(guān)的專題討論會、座談會等。例如，納微將在PCIM上帶來多場精彩演講，其中，納微半導體企業(yè)營銷和投資者關(guān)系副總裁Stephen Oliver還將在5月11日帶來Reliability and Quality Requirements for SiC and GaN Power Devices的精彩座談會。SiC、GaN的熱度由此也可見一斑，產(chǎn)業(yè)難題有望在更多的交流和探討中進一步取得突破。（文：集邦化合物半導體Jenny）

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