文章分類： 功率

第三代半導體項目遍地開花

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 04 日 16:37 |
| 分類: 功率
近日，多個第三代半導體項目迎來最新進展。其中，重投天科第三代半導體項目、山東菏澤砷化鎵半導體晶片項目投資資金超30億。 總投資32.7億元，重投天科第三代半導體項目在深圳寶安啟用 據(jù)濱海寶安消息，2月27日，第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用，其由深圳市重投天科半導體...  [詳內文]

SiC龍頭英飛凌重組自身業(yè)務

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 29 日 18:48 |
| 分類: 功率
2月28日，英飛凌表示，目前公司正在進一步加強和精簡其銷售組織。英飛凌宣布，從3月1日起，公司的銷售團隊將圍繞“汽車”、“工業(yè)與基礎設施”以及“消費者、計算與通信”這三個以客戶為中心的銷售領域進行組建。 source：拍信網(wǎng) 其中，分銷商和電子制造服務管理（DEM）銷售組織將繼...  [詳內文]

EPC宣布推出首款具有1mΩ導通電阻的GaN FET

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 29 日 16:42 |
| 分類: 功率
2月27日，EPC推出采用緊湊型3 mm x 5 mm QFN封裝的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，為DC-DC轉換、快速充電、電機驅動和太陽能MPPT提供更高的功率密度。 EPC稱，這是市場上導通電阻最低的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，功率密度...  [詳內文]

晶圓級立方SiC單晶生長取得突破

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 22 日 17:51 |
| 分類: 功率
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領域具有重要的應用。與目前應用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低的界面缺陷態(tài)密度(低1個數(shù)量級)和高的電子親和勢(3...  [詳內文]

GaN開啟了“無限復制”時代！

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 21 日 17:55 |
| 分類: 功率
2月21日，光州科學技術院（GIST，校長Kichul Lim）宣布，學校電氣工程與計算機科學學院的Dong-Seon Lee教授的研究團隊已經(jīng)開發(fā)出了僅采用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）的氮化鎵（GaN）半導體遠程同質外延技術。 外延技術，即在半導體制造中將半導體材料生長成...  [詳內文]

SiC營收增長93%，X-FAB全球晶圓廠將擴張

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 20 日 14:42 |
| 分類: 功率
近日，世界SiC晶圓代工龍頭X-FAB公布了其第四季度以及全年營收。 X-FAB的汽車、工業(yè)和醫(yī)療核心業(yè)務增長了31%，占總收入的91%，并且在過去五年中每年增長22%。 2024年第一季度的收入預計將在2.15億美元至2.25億美元（折合人民幣約15.5億元至16.2億元）之間...  [詳內文]

英飛凌、京瓷GaN/SiC新動作

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 19 日 11:48 |
| 分類: 功率
年關將至，國內企業(yè)準備迎接新年，而國外企業(yè)的合作動作卻不曾停下。 Worksport便攜式電源產(chǎn)品采用英飛凌GaN器件 英飛凌宣布與Worksport合作，后者將在其便攜式發(fā)電站的轉換器中使用GaN功率半導體。 該公司的COR電池系統(tǒng)可以集成到皮卡車中，也可以通過任何太陽能電池板...  [詳內文]

SiC營收增長4倍！安森美公布2023年全年業(yè)績

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 06 日 17:54 |
| 分類: 功率
2月5日，安森美在官網(wǎng)公布了2023年第四季度和全年業(yè)績。 報告顯示，安森美2023年第四季度營收為20.181億美元，符合公司此前19.5億美元-20.5億美元的預期，上季度營收為21.808億美元。 安森美2023年全年營收為82.53億美元，去年營收為83.263億美元；...  [詳內文]

昕感科技6-8吋功率半導體廠房項目全面封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 31 日 17:19 | | 分類: 功率
1月30日，昕感科技6-8吋功率半導體制造項目封頂活動在江蘇江陰高新區(qū)隆重舉行。該項目自2023年8月8日啟動以來，歷時174天，總計投資超10億元。至此，昕感科技成為國內極少數(shù)能夠兼容6-8吋晶圓特色工藝生產(chǎn)的廠商，將全面助力國產(chǎn)功率半導體的發(fā)展。 source：昕感科技 昕...  [詳內文]

首個1700V GaN HEMT器件發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 24 日 17:17 |
| 分類: 功率
近日，廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導體創(chuàng)新中心中試平臺，成功在6英寸藍寶石襯底上實現(xiàn)了1700V GaN HEMTs...  [詳內文]