濟(jì)南：新增一個(gè)氮化鎵項(xiàng)目

據(jù)濟(jì)南日?qǐng)?bào)消息，10月17日下午，在濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價(jià)值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對(duì)接會(huì)上，山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)“晶鎵半導(dǎo)體”）與濟(jì)南晶谷研究院簽約，入駐新一代半導(dǎo)體公共服務(wù)平臺(tái)項(xiàng)目。

source：濟(jì)南晶谷研究院

據(jù)悉，晶鎵半導(dǎo)體將依托山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、新一代半導(dǎo)體材料研究院研發(fā)的最新GaN單晶生長(zhǎng)與襯底加工技術(shù)成果，開(kāi)展第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。

資料顯示，濟(jì)南晶谷研究院是濟(jì)南市政府聯(lián)合山東大學(xué)發(fā)起成立的新型研發(fā)機(jī)構(gòu)，旨在面向國(guó)家所需和產(chǎn)業(yè)前沿，集科研、教育、企事業(yè)等功能于一身。該機(jī)構(gòu)總投入10億元，于2023年7月正式揭牌。
據(jù)悉，濟(jì)南晶谷研究院成立以來(lái)，先后引進(jìn)2家產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，分別為中晶芯源、晶啟光電，孵化2家小微企業(yè)，分別為山東晶鎵半導(dǎo)體和山東一芯智能科技，并成立研究院全資子公司濟(jì)南晶谷科技有限公司。

臨沂：加快氮化鎵新材料項(xiàng)目建設(shè)

據(jù)中交雄安建設(shè)有限公司官微披露，近日，山東臨沂市委書(shū)記任剛到高新廠房項(xiàng)目調(diào)研，視察了一個(gè)氮化鎵新材料項(xiàng)目。

資料顯示，該項(xiàng)目總投資5億，占地304畝，主要建設(shè)廠房（含超凈間）、行政中心、技術(shù)研發(fā)中心等，新上50條HVRE單晶生產(chǎn)線(xiàn)、晶片檢測(cè)線(xiàn)，10條晶片切割加工生產(chǎn)線(xiàn)，10條研磨、清洗封裝工藝設(shè)備生產(chǎn)線(xiàn)，10套外延片加工MOCVD設(shè)備生產(chǎn)線(xiàn)，10條圖形襯底制備生產(chǎn)線(xiàn)及配套設(shè)施。項(xiàng)目于今年6月開(kāi)工，預(yù)計(jì)2025年12月完工。

項(xiàng)目建成后與北京化工大學(xué)博士團(tuán)隊(duì)合作，引進(jìn)具有獨(dú)立產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備，生產(chǎn)的2英寸、4英寸氮化鎵單晶襯底，廣泛應(yīng)用于芯片制造、通訊基站、相控雷達(dá)等領(lǐng)域，建成后將實(shí)現(xiàn)全市第三代半導(dǎo)體材料的新突破。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

總體而言，8英寸碳化硅時(shí)代的腳步已無(wú)比臨近，本文將對(duì)全球碳化硅芯片廠以及我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)進(jìn)行盤(pán)點(diǎn)，進(jìn)一步廓清碳化硅產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

全球布局：新建14座8英寸碳化硅廠

在全球碳化硅市場(chǎng)中，意法半導(dǎo)體（ST）、安森美（Onsemi）、英飛凌（Infineon）、Wolfspeed羅姆（ROHM）、博世（BOSCH）、富士電機(jī)（Fuji Electric）、三菱電機(jī)、世界先進(jìn)和漢磊、士蘭微、芯聯(lián)集成企業(yè)紛紛宣布建設(shè)自己的8英寸碳化硅芯片廠，如下圖所示。上述廠商中的多家企業(yè)不僅在芯片廠布局完善，在上游襯底和外延等材料端也布局完善。

圖片來(lái)源：TrendForce集邦咨詢(xún)

ST意法半導(dǎo)體

ST在全球整體的SiC業(yè)務(wù)中（從晶圓到器件甚至延伸至襯底）均占據(jù)著較大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。受純電動(dòng)汽車(chē)（BEV）應(yīng)用的推動(dòng)，碳化硅功率器件行業(yè)保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)，而ST長(zhǎng)期以來(lái)在SiC功率器件的研發(fā)方面投入了大量資源，在推動(dòng)碳化硅功率器件市場(chǎng)快速發(fā)展的同時(shí)，也確立了ST在器件市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

目前ST主要在三地?fù)碛刑蓟杈A廠，其正在現(xiàn)有的意大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋的兩條6英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)上生產(chǎn)旗艦大批量碳化硅產(chǎn)品，其中ST今年5月31日宣布在意大利卡塔尼亞新建一座8英寸碳化硅工廠，整合了碳化硅生產(chǎn)流程的所有環(huán)節(jié)。新工廠計(jì)劃2026年開(kāi)始生產(chǎn)，到2033年滿(mǎn)產(chǎn)，滿(mǎn)負(fù)荷產(chǎn)能高達(dá)每周15000片晶圓，預(yù)計(jì)總投資額約為50億歐元。而與中國(guó)三安光電合資的中國(guó)重慶8英寸碳化硅制造廠將成為ST的第三個(gè)碳化硅生產(chǎn)中心，該項(xiàng)目于2023年6月7日宣布，預(yù)計(jì)于2025年第四季度開(kāi)始投產(chǎn)，并將在2028年全面建成。

而在襯底布局上，早前ST通過(guò)購(gòu)買(mǎi)SiCrystal、Wolfspeed（Cree）的襯底滿(mǎn)足其制造需求，隨后其通過(guò)并購(gòu)瑞典碳化硅襯底廠商N(yùn)orstel AB（現(xiàn)更名為“ST SiC AB”），并與Soitec合作開(kāi)發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)，自建意大利卡塔尼亞襯底產(chǎn)線(xiàn)（2022年10月）等方式，逐步完善其SiC制造版圖。

目前， ST生產(chǎn)器件所用的襯底主要由其位于瑞典北雪平和意大利卡塔尼亞的研發(fā)制造基地提供。另外其與三安光電合資的中國(guó)重慶8英寸碳化硅制造廠，三安光電則單獨(dú)建造和運(yùn)營(yíng)一個(gè)新的8英寸SiC襯底制造廠為上述合資廠提供襯底，該廠已于今年9月初點(diǎn)亮通線(xiàn)，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬(wàn)片。

安森美

從碳化硅的襯底、外延，到核心的設(shè)計(jì)和制造，再到封裝，安森美致力于打通整個(gè)功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的各個(gè)環(huán)節(jié)。綜合來(lái)看，安森美在汽車(chē)CIS領(lǐng)域、車(chē)用功率半導(dǎo)體都處于領(lǐng)導(dǎo)地位。其中安森美的車(chē)用EliteSiC系列功率器件平臺(tái)廣受行業(yè)好評(píng)，為其近幾年在碳化硅器件市場(chǎng)份額的快速提升發(fā)揮了重大作用。

在芯片廠布局上，安森美位于韓國(guó)富川的SiC晶圓廠于2023年完成擴(kuò)建，計(jì)劃于2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后過(guò)渡到8英寸生產(chǎn)，屆時(shí)產(chǎn)能將擴(kuò)大到當(dāng)前規(guī)模的10倍。另外，2024年6月19日，安森美宣布將在捷克共和國(guó)建造先進(jìn)的垂直整合碳化硅制造工廠。

在襯底外延材料的獲得上，安森美也與ST一樣主要通過(guò)外購(gòu)、收購(gòu)、自建的方式滿(mǎn)足其需求。2019年安森美與Wolfspeed（Cree）簽署了多年期協(xié)議購(gòu)買(mǎi)碳化硅（SiC）裸片和外延片。2021年安森美以415億美元收購(gòu)了專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)碳化硅襯底材料的GTAT（GT Advanced Technologies Inc）公司。至今年該公司表示SiC基板材料自給率已超過(guò)50%，隨著內(nèi)部材料產(chǎn)能的提升，安森美正朝著實(shí)現(xiàn)50%毛利率的目標(biāo)邁進(jìn)。

自建方面，2022年安森美先是實(shí)現(xiàn)了新罕布什爾州哈德遜碳化硅新工廠的落成，使安森美的SiC晶錠產(chǎn)能同比增加五倍；此外便是上述的安森美在捷克共和國(guó)羅茲諾夫的碳化硅工廠，該工廠在未來(lái)兩年將使SiC襯底和外延片的產(chǎn)能提高16倍。

英飛凌

英飛凌的碳化硅營(yíng)收近半數(shù)來(lái)自工業(yè)市場(chǎng)，其背靠強(qiáng)大的德國(guó)工業(yè)客源穩(wěn)定而深厚。英飛凌也瞄準(zhǔn)了中國(guó)飛速增長(zhǎng)的電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)，其CoolSiC系列在電動(dòng)汽車(chē)、新能源領(lǐng)域、工業(yè)電機(jī)等應(yīng)用上都占據(jù)增量和存量市場(chǎng)，而今年小米SU7上配置的便是由英飛凌提供的CoolSiC功率模塊以及裸芯片產(chǎn)品，更是將英飛凌熱度再拉高。

晶圓廠建設(shè)上，2024年8月8日，英飛凌宣布其位于馬來(lái)西亞居林的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)2025年可實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。目前英飛凌的產(chǎn)能還在持續(xù)擴(kuò)充，未來(lái)五年英飛凌將追加投資高達(dá)50億歐元大幅擴(kuò)建居林第三工廠（Module Three）的二期建設(shè)，旨在建造號(hào)稱(chēng)“全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠”。此外，英飛凌還將正在對(duì)位于德國(guó)奧地利菲拉赫（Villach）的現(xiàn)有工廠進(jìn)行8英寸改造。

在SiC晶體材料這一環(huán)節(jié)，與其他領(lǐng)先的SiC IDM制造商不同，英飛凌主要通過(guò)多元化供應(yīng)商體系以確保其供應(yīng)鏈穩(wěn)定，合作商包括Wolfspeed、 GTAT、Resonac、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、SK Siltron CSS、Coherent等。并且根據(jù)英飛凌近兩年公開(kāi)消息顯示，目前該企業(yè)還沒(méi)有建設(shè)自有的襯底廠計(jì)劃。

Wolfspeed

毫無(wú)疑問(wèn)，Wolfspeed是SiC襯底的先驅(qū)和市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，并且該公司也利用其先發(fā)優(yōu)勢(shì)率先實(shí)現(xiàn)從6英寸晶圓過(guò)渡到8英寸晶圓。

在上游襯底端，Wolfspeed在美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆制造的碳化硅材料占全球50%以上。另外，今年3月，位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”封頂，該項(xiàng)目總投資50億美元，預(yù)計(jì)2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，屆時(shí)將顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能。

在器件制造上，Wolfspeed已在美國(guó)紐約的莫霍克谷中擁有全球首家且最大的8英寸SiC工廠，該工廠于2022年4月正式開(kāi)業(yè)。今年6月官方表示，莫霍克谷廠已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了20%晶圓啟動(dòng)利用率。此外，2023年1月，Wolfspeed和汽車(chē)零部件供應(yīng)商采埃孚宣布在德國(guó)薩爾州建造全球最大、最先進(jìn)的8英寸SiC器件制造工廠，業(yè)界消息顯示，該計(jì)劃目前已延期，最早將于2025年開(kāi)始。

羅姆

背靠日本強(qiáng)大的汽車(chē)工業(yè)以及在亞洲市場(chǎng)整合供應(yīng)鏈的能力，羅姆在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域積累較深。在看到碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)市場(chǎng)等諸多領(lǐng)域的發(fā)展前景后，羅姆通過(guò)收購(gòu)和自建的方式，從器件端向襯底材料端延伸。

晶圓廠建設(shè)上，據(jù)羅姆官網(wǎng)介紹，羅姆目前在日本擁有四個(gè)基于碳化硅的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，分別位于京都總部、福岡縣筑后工廠和長(zhǎng)濱工廠以及宮崎第一工廠。2020年末，羅姆在日本福岡縣筑后工廠建設(shè)了碳化硅新廠房，已于2022年開(kāi)始量產(chǎn)，而且產(chǎn)線(xiàn)將從量產(chǎn)6英寸晶圓切換為量產(chǎn)8英寸晶圓。在今年的PCIM Asia中，羅姆的工作人員表示，公司預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)八英寸SiC，同時(shí)公司的第五代碳化硅MOSFET也將披露。

在襯底業(yè)務(wù)上，羅姆在2009年收購(gòu)了德國(guó)SiC襯底制造商SiCrystal，以滿(mǎn)足自身材料供應(yīng)。此外，2023年7月13日，羅姆宣布計(jì)劃在2024年末開(kāi)始在其位于日本宮崎縣的第二工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底，即藍(lán)碧石半導(dǎo)體宮崎第二工廠，該工廠原本是太陽(yáng)能技術(shù)公司Solar Frontier的原國(guó)富工廠。

博世（BOSCH）

博世長(zhǎng)久以來(lái)高度聚焦車(chē)用半導(dǎo)體、MEMS傳感器等領(lǐng)域，近年來(lái)博世高度看重碳化硅市場(chǎng)，也在進(jìn)行重點(diǎn)投資。

博世現(xiàn)在共有兩座碳化硅生產(chǎn)工廠，分別位于德國(guó)羅伊斯特根和美國(guó)羅斯維爾。其中，羅伊斯特根工廠于2021年投產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓，目前8英寸碳化硅晶圓便來(lái)自該工廠。羅斯維爾則是博世在2023年收購(gòu)而來(lái)，而博世也將在2026年在加州羅斯維爾實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)。

在襯底供應(yīng)上，博世主要通過(guò)與上游合作伙伴如天岳先進(jìn)簽訂長(zhǎng)期的合作關(guān)系確保后續(xù)襯底的穩(wěn)定供應(yīng)。

三菱電機(jī)

三菱電機(jī)的碳化硅業(yè)務(wù)主要依賴(lài)于工業(yè)和鐵路應(yīng)用營(yíng)收。近些年，三菱電機(jī)將目光投注于快速發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，并加強(qiáng)SiC功率模塊研發(fā)。

今年5月末，三菱電機(jī)表示位于日本熊本縣新建的8英寸SiC工廠的竣工時(shí)間將定為2025年9月，投產(chǎn)時(shí)間將從2026年4月提前至2025年11月，將主要負(fù)責(zé)8英寸 SiC晶圓的前端工藝。另外，三菱電機(jī)還將加強(qiáng)其6英寸SiC晶圓的生產(chǎn)設(shè)施，以滿(mǎn)足當(dāng)下不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

而在襯底供應(yīng)上，三菱電機(jī)主要與Coherent公司進(jìn)行垂直合作，穩(wěn)定碳化硅襯底的采購(gòu)以確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。

富士電機(jī)

富士電機(jī)在碳化硅器件的研發(fā)可以追溯到2013年，該公司在日本松本工廠就投產(chǎn)了6英寸SiC晶圓產(chǎn)線(xiàn)，2014年第一代平面型碳化硅MOSFET模塊已經(jīng)應(yīng)用在富士電機(jī)的光伏逆變器上。

今年1月，富士電機(jī)宣布在未來(lái)三年（2024至2026財(cái)年）投資2000億日元用于碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，包括在日本松本工廠建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)。此外，富士電機(jī)計(jì)劃在其位于青森縣五所川原市津輕工廠從2024年開(kāi)始量產(chǎn)6英寸碳化硅功率半導(dǎo)體。

而在碳化硅襯底、晶圓材料上，富士電機(jī)主要和天岳先進(jìn)、昭和電工等多個(gè)廠商簽署多年供應(yīng)協(xié)議以確保生產(chǎn)的穩(wěn)定性和連續(xù)性。

芯聯(lián)集成

芯聯(lián)集成在紹興越城建立了第一條8英寸碳化硅MOSFET晶圓產(chǎn)線(xiàn)，并于今年4月完成了工程批下線(xiàn)，預(yù)計(jì)明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在2024年，公司計(jì)劃將碳化硅MOSFET的生產(chǎn)能力擴(kuò)展至每月1萬(wàn)片，較當(dāng)前的5000片/月增長(zhǎng)近一倍。此外，芯聯(lián)集成計(jì)劃在2027年底前實(shí)現(xiàn)每月10萬(wàn)片12英寸晶圓的產(chǎn)能目標(biāo)，其中包括碳化硅（SiC）MOSFET等產(chǎn)品。

Silan士蘭微

今年6月18日，士蘭微在廈門(mén)海滄區(qū)正式啟動(dòng)了國(guó)內(nèi)首條8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目，項(xiàng)目名稱(chēng)為“士蘭集宏”，總投資達(dá)120億人民幣。該項(xiàng)目將分兩期建設(shè)，旨在形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。第一期項(xiàng)目投資70億元，預(yù)計(jì)在2025年第三季度末完成初步通線(xiàn)，并在第四季度實(shí)現(xiàn)試生產(chǎn)，目標(biāo)年產(chǎn)2萬(wàn)片。二期投資規(guī)模約50億元。

世界先進(jìn)&漢磊

9月10日，晶圓代工大廠世界先進(jìn)宣布，擬投資24.8億新臺(tái)幣以獲取漢磊13%的股權(quán)。雙方將進(jìn)行策略合作，共同推動(dòng)8英寸碳化硅（SiC）晶圓技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造。據(jù)悉，漢磊目前在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園擁有1座4/5英寸及2座6英寸晶圓廠，漢磊與世界先進(jìn)的合作將在漢磊現(xiàn)有6英寸晶圓制造技術(shù)及客戶(hù)的基礎(chǔ)上，共同合作進(jìn)行8英寸碳化硅技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)能布建，預(yù)計(jì)2026年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。

泰國(guó)將建首個(gè)SiC工廠

近日，泰國(guó)投資委員會(huì)宣布支持Hana Microelectronics和PTT Group成立的合資企業(yè)FT1 Corporation，投資了115億泰銖（3.5億美元）建設(shè)泰國(guó)首家SiC工廠，該工廠將使用從韓國(guó)芯片制造商轉(zhuǎn)讓的技術(shù)生產(chǎn)6英寸和8英寸晶圓。消息顯示，該工廠預(yù)計(jì)將于2027年第一季度投產(chǎn)，以滿(mǎn)足汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心和儲(chǔ)能市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的需求。

從上述披露的14座碳化硅廠房（在建12座）布局來(lái)看，短期內(nèi)僅有Wolfspeed莫霍克谷工廠能夠提供8英寸碳化硅晶圓，最早則從明年開(kāi)始陸續(xù)有廠家可以供應(yīng)上8英寸碳化硅晶圓。

中國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展情況幾何？

據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，我國(guó)近年來(lái)有超100家企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域進(jìn)行布局，其中2024年就有超50個(gè)碳化硅項(xiàng)目迎來(lái)最新進(jìn)展。如下圖所示，涉及的企業(yè)包括三安半導(dǎo)體、天科合達(dá)、重投天科、天岳先進(jìn)、晶盛機(jī)電、同光股份、東尼電子、科友半導(dǎo)體等等。其中合盛新材多家企業(yè)在8英寸襯底、外延、晶體生長(zhǎng)以及設(shè)備等多領(lǐng)域的突破值得關(guān)注。

襯底方面，國(guó)外多家大廠已與我國(guó)天科合達(dá)、天岳先進(jìn)等企業(yè)簽訂了長(zhǎng)期供貨協(xié)議。多方行業(yè)人士表示，中國(guó)的碳化硅企業(yè)特別是在襯底制備領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)襯底企業(yè)的6英寸以及8英寸產(chǎn)品，無(wú)論是從產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)能還是價(jià)格，都已經(jīng)具備了明顯的競(jìng)爭(zhēng)力。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年，國(guó)內(nèi)頭部襯底企業(yè)將成為國(guó)際市場(chǎng)8英寸襯底的主要供應(yīng)商，市場(chǎng)占比遠(yuǎn)超目前的6英寸。

今年以為我國(guó)碳化硅襯底市場(chǎng)動(dòng)態(tài)頻頻， 9月10日寧波合盛新材宣布其8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目已實(shí)現(xiàn)全線(xiàn)貫通，產(chǎn)品在微管密度、電阻率等關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)優(yōu)異；9月2日天岳先進(jìn)表示，在8英寸碳化硅襯底上，公司率先實(shí)現(xiàn)了自主擴(kuò)徑，完成從8英寸導(dǎo)電型襯底制備到產(chǎn)業(yè)化的快速布局；科友半導(dǎo)體近期則表示，該公司的8英寸碳化硅長(zhǎng)晶良率達(dá)到60%左右，8英寸碳化硅襯底加工產(chǎn)線(xiàn)于2023年底調(diào)試完畢后，正陸續(xù)提升產(chǎn)能；世紀(jì)金芯表示，8英寸碳化硅襯底片已與多家國(guó)內(nèi)外客戶(hù)完成多批次產(chǎn)品驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2024年下半年落成訂單；今年4月11日青禾晶元官方宣布，在國(guó)內(nèi)率先成功制備了8英寸碳化硅鍵合襯底。

而在碳化硅外延領(lǐng)域，天域半導(dǎo)體也在加碼擴(kuò)產(chǎn)，據(jù)悉其總部和生產(chǎn)制造中心項(xiàng)目一期即將試產(chǎn)，產(chǎn)能為17萬(wàn)片/年。另外近期官方也披露了天域半導(dǎo)體的8英寸碳化硅外延工藝技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化能力提升項(xiàng)目；此外，5月13日，希科半導(dǎo)體宣布，公司成功實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅襯底上同質(zhì)外延生長(zhǎng)，正式具備8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力；瀚天天成也在今年5月宣布，公司完成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的8英寸碳化硅外延工藝的技術(shù)開(kāi)發(fā)，瀚天天成正式具備了國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅外延晶片量產(chǎn)能力；今年4月，南京百識(shí)電子宣布正式具備國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅外延晶片量產(chǎn)能力…

而在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域，近日中國(guó)電科48所表示，其自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備已實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，通過(guò)改進(jìn)激光視覺(jué)定位、晶圓自糾偏等技術(shù)，設(shè)備自動(dòng)化性能更加成熟，提升了產(chǎn)品生產(chǎn)效率；廣州三義激光生產(chǎn)的首批6 & 8英寸碳化硅激光滾圓設(shè)備順利完成生產(chǎn)并正式交付客戶(hù)，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率；今年8月納設(shè)智能也成功研制出更大尺寸具有更多創(chuàng)新技術(shù)的8英寸碳化硅外延設(shè)備；晶升股份首批8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備已于今年7月在重慶完成交付；早在去年6月，晶盛機(jī)電就成功研發(fā)出具有國(guó)際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備；此外，我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)北方華創(chuàng)，面向8英寸襯底和外延制造已有相應(yīng)的設(shè)備產(chǎn)品下線(xiàn)…

總體而言，我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展迅速，市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，其中在上游碳化硅襯底制備技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)展，不斷縮小與國(guó)際先進(jìn)水平的差距，而在中游器件和模塊制造環(huán)節(jié)與國(guó)際大廠還存在較大差距。

第三代半導(dǎo)體應(yīng)用挺進(jìn)AI數(shù)據(jù)中心

過(guò)去幾年，關(guān)于第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的討論熱點(diǎn)，多聚焦于電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)，但近期汽車(chē)芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)趨緩引起行業(yè)擔(dān)憂(yōu)。與此同時(shí)，AI人工智能浪潮席卷全球，數(shù)據(jù)中心對(duì)算力需求的持續(xù)高漲成為了第三代半導(dǎo)體破局的關(guān)鍵。

除了新能源汽車(chē)、5G通信、工業(yè)應(yīng)用以外，數(shù)據(jù)中心或?qū)⒊蔀樘蓟璧挠忠粋€(gè)強(qiáng)有力加速引擎。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示，在接下來(lái)的3-5年，單個(gè)數(shù)據(jù)中心的容量將會(huì)從傳統(tǒng)的150MW-180MW，提升到500MW兆瓦以上,這意味著電源單元必須具備更高的功率能力，預(yù)計(jì)將從傳統(tǒng)的3kW、4kW，逐步提升至5kW、8kW，甚至10kW。而碳化硅的高功率密度和效率能夠在數(shù)據(jù)中心中發(fā)揮非常重要的作用，能夠幫助數(shù)據(jù)中心電源實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

深圳基本半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理也表示，大型計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施運(yùn)行所需的電能日益增加，需要更高功率、更高能效的電力電子設(shè)備去支撐。給AI處理器供電最高效的選擇就是氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體。具體到碳化硅的應(yīng)用而言，碳化硅具有極小的反向恢復(fù)損耗，可以有效降低能耗，主要應(yīng)用在AI服務(wù)器電源的PFC（功率因數(shù)校正）中。現(xiàn)在多數(shù)企業(yè)都在采用碳化硅二極管替代硅二極管，碳化硅MODFET替代硅MOSFET。

此外，與市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)形成鮮明對(duì)比的是，碳化硅的價(jià)格正在快速下降。市場(chǎng)消息顯示，今年碳化硅器件價(jià)格對(duì)比之前降幅達(dá)約30%。隨著8英寸SiC產(chǎn)能的逐步釋放，預(yù)計(jì)SiC單器件或單位電流密度的成本將進(jìn)一步降低，這也可能成為推動(dòng)SiC大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

行業(yè)人士表示，即便碳化硅類(lèi)產(chǎn)品降低，其價(jià)格也會(huì)遠(yuǎn)高于硅基類(lèi)產(chǎn)品。對(duì)此博世中國(guó)區(qū)總裁Norman Roth博士表示，這是由碳化硅的材料特性決定的。此外，碳化硅作為半導(dǎo)體，也存在前期投資巨大，產(chǎn)品周期長(zhǎng)的特性，整個(gè)價(jià)格走勢(shì)會(huì)呈現(xiàn)出平穩(wěn)的下降，而非斷崖式的下跌。

結(jié)語(yǔ)

總體而言，8英寸碳化硅時(shí)代即將到來(lái)，材料層的更新將推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)啟新一輪更新?lián)Q代。而對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，碳化硅領(lǐng)域是一個(gè)可以快速趕超的激情領(lǐng)域，未來(lái)大有可為。（來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)介紹，該案投資金額達(dá)15億元新臺(tái)幣（折合人民幣約3.29億元），主要用來(lái)生產(chǎn)氮化鎵功率元件相關(guān)產(chǎn)品。

資料顯示冠亞為臺(tái)亞半導(dǎo)體子公司，專(zhuān)注于氮化鎵（GaN）功率技術(shù)。公司可提供的氮化鎵功率元件包含650V（GaN on Si）以下與1200V（GaN on Sapphire/SiC）以上規(guī)格，產(chǎn)品可應(yīng)用在快速充電器、電動(dòng)車(chē)、太陽(yáng)能逆變器等新興應(yīng)用領(lǐng)域。

值得一提的是，未來(lái)冠亞或?qū)⒅匦姆旁?英寸氮化鎵業(yè)務(wù)的發(fā)展。

今年5月底，臺(tái)亞半導(dǎo)體舉行股東會(huì)，會(huì)議通過(guò)了將8英寸GaN（氮化鎵）事業(yè)群分割的計(jì)劃。

分割后，6英寸氮化鎵產(chǎn)線(xiàn)繼續(xù)保留在臺(tái)亞，產(chǎn)線(xiàn)同時(shí)生產(chǎn)感測(cè)組件，且生產(chǎn)6英寸氮化鎵是為子公司冠亞或其他廠商代工；8英寸氮化鎵事業(yè)群則在分割完成后由冠亞承接。

source：拍信網(wǎng)

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體此前報(bào)道，冠亞8英寸氮化鎵產(chǎn)線(xiàn)的第一批設(shè)備已經(jīng)全數(shù)到位，原計(jì)劃預(yù)定在第三季試產(chǎn)8英寸氮化鎵，若一切順利冠亞將在第四季前完成第一顆產(chǎn)品，第一條線(xiàn)月產(chǎn)能預(yù)估達(dá)2,000片。據(jù)了解，目前8英寸氮化鎵業(yè)務(wù)已接到客戶(hù)訂單。

本次投資案通過(guò)以后，冠亞將借助母公司臺(tái)亞半導(dǎo)體的外延技術(shù)和研發(fā)資源，進(jìn)一步整合上下游產(chǎn)業(yè)鏈，加強(qiáng)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在化合物半導(dǎo)體外延技術(shù)及相關(guān)高功率元件開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，并推動(dòng)氮化鎵長(zhǎng)晶、晶圓切片及周邊材料供應(yīng)鏈的產(chǎn)業(yè)集群的完善。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：住友金屬

住友金屬已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售6英寸SiCkrest產(chǎn)品，并且其直接鍵合技術(shù)已經(jīng)獲得許可。而在8英寸方面，盡管公司在2022年7月做出了投資開(kāi)發(fā)線(xiàn)的決策，但直到2024年9月才開(kāi)始向客戶(hù)發(fā)送樣品進(jìn)行認(rèn)證。

住友金屬預(yù)計(jì)，隨著8英寸襯底生產(chǎn)線(xiàn)的建成，到2025財(cái)年下半年，鍵合SiC襯底的月產(chǎn)能將超過(guò)10,000片（6英寸等效）。同時(shí)，Sicoxs還計(jì)劃開(kāi)始向其被許可方供應(yīng)多晶SiC支撐基板。

據(jù)悉，SiCkrest使用一種獨(dú)特的鍵合技術(shù)來(lái)創(chuàng)建兩層晶片，從而實(shí)現(xiàn)高性能和有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。通過(guò)在低電阻多晶SiC支撐基板上鍵合一層高質(zhì)量的單晶SiC薄層，這些產(chǎn)品能夠在保持單晶SiC特性的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)整個(gè)基板的低電阻和減少電流衰減。

source：住友金屬

SiC作為一種優(yōu)異的半導(dǎo)體材料，特別適用于控制電力。與傳統(tǒng)硅（Si）相比，SiC能夠承受更高的電壓，并且顯著減少能量損失。這些特性使得SiC在電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的驅(qū)動(dòng)控制器中備受青睞，尤其是在需要大電流和高耐壓的高容量領(lǐng)域，預(yù)計(jì)市場(chǎng)需求將不斷增長(zhǎng)。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)推出的《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》，作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)估2028年全球SiCPower Device市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。此外，生產(chǎn)單晶SiC需要大量電能。Sicoxs的技術(shù)通過(guò)重復(fù)使用單晶SiC來(lái)增加市場(chǎng)供應(yīng)，同時(shí)減少整體能源消耗。住友金屬礦山集團(tuán)將繼續(xù)擴(kuò)大其SiCkrest相關(guān)業(yè)務(wù)，并致力于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)和增加企業(yè)價(jià)值。

值得注意的是，近期，日本多家碳化硅廠商也紛紛采取行動(dòng)：

● 8月1日，東海碳素（Tokai Carbon）宣布計(jì)劃投資54億日元（約合人民幣2.66億元）在日本神奈川縣茅崎市建設(shè)一條多晶SiC晶圓專(zhuān)線(xiàn)，預(yù)計(jì)2024年12月完工。

● 9月17日，日本礙子宣布成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓，并在美國(guó)ICSCRM 2024上展示了相關(guān)研究成果。公司利用其陶瓷加工技術(shù)在多個(gè)襯底上生長(zhǎng)具有低BPD密度的4H-SiC晶體。通過(guò)該工藝，公司完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同時(shí)生長(zhǎng)了9個(gè)晶體的實(shí)驗(yàn)。

● 9月24日，Resonac（原昭和電工）宣布與Soitec簽署合作協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)用于功率半導(dǎo)體的8英寸SiC鍵合襯底。

這些動(dòng)態(tài)表明，日本在碳化硅領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)能力正在不斷增強(qiáng)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

其中，碳化硅原材料及碳化硅襯底項(xiàng)目簽約方為特凱斯新材料有限公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)“特凱斯”）。

公開(kāi)資料顯示，特凱斯成立于2024年5月，是一家由海外留學(xué)歸國(guó)人員創(chuàng)立的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體材料的高科技公司。公司核心團(tuán)隊(duì)從事SiC相關(guān)材料和器件的開(kāi)發(fā)累計(jì)已經(jīng)超過(guò)50年的歷史，獨(dú)有的專(zhuān)利技術(shù)能夠大幅降低第三代半導(dǎo)體器件的成本，提高性能，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體的大規(guī)模普及。

source：特凱斯

公司計(jì)劃在仙居縣建立第三代半導(dǎo)體上游產(chǎn)業(yè)中心，以進(jìn)一步擴(kuò)大其在行業(yè)中的影響力。

9月14日，特凱斯對(duì)外公布了其年產(chǎn)1200噸碳化硅粗品項(xiàng)目的環(huán)境影響評(píng)價(jià)信息。根據(jù)公告，該項(xiàng)目將在仙居經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)現(xiàn)代醫(yī)藥化工園區(qū)內(nèi)建設(shè)，包括生產(chǎn)線(xiàn)和配套的制氫項(xiàng)目。該項(xiàng)目占地120畝，總建筑面積約42150平方米，預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)1200噸碳化硅粗品和208噸氫氣（全部自用，不對(duì)外銷(xiāo)售）的生產(chǎn)能力，同時(shí)副產(chǎn)品為31%鹽酸。

值得注意的是，在碳化硅原材料領(lǐng)域，今年國(guó)內(nèi)外有多家企業(yè)取得了新進(jìn)展。

5月初，中宜創(chuàng)芯成功實(shí)現(xiàn)了500噸碳化硅半導(dǎo)體粉體的生產(chǎn)線(xiàn)，其產(chǎn)品純度高達(dá)99.99999%，并已在國(guó)內(nèi)多家企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)進(jìn)行試用和驗(yàn)證。

6月28日，冠嵐新材料宣布其年產(chǎn)1600噸碳化硅襯底材料項(xiàng)目正式簽約落地。

7月15日，合盛硅業(yè)的子公司賽盛新材料年產(chǎn)800噸碳化硅顆粒項(xiàng)目點(diǎn)火成功，標(biāo)志著項(xiàng)目從建設(shè)階段成功轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)階段。

8月1日，韓國(guó)化學(xué)材料公司Nano CMS宣布其新的碳化硅（SiC）材料加工廠已竣工并全面運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)每年加工180噸功率半導(dǎo)體晶片材料，這一項(xiàng)目被視為滿(mǎn)足韓國(guó)電力電子和半導(dǎo)體行業(yè)高需求的重要里程碑。

這些進(jìn)展不僅展示了碳化硅材料領(lǐng)域的快速發(fā)展，也預(yù)示著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的商業(yè)化和規(guī)模化生產(chǎn)正逐步成為現(xiàn)實(shí)。隨著更多新興企業(yè)的加入，碳化硅材料及其應(yīng)用將在未來(lái)幾年內(nèi)迎來(lái)更廣闊的市場(chǎng)前景。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

晶通半導(dǎo)體成立于2020年，是一家專(zhuān)注于氮化鎵功率器件、氮化鎵集成驅(qū)動(dòng)芯片和氮化鎵肖特基二極管的研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售的科技型企業(yè)，已獲國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、專(zhuān)精特新中小企業(yè)資質(zhì)認(rèn)定，也是國(guó)內(nèi)少數(shù)能提供氮化鎵功率器件和驅(qū)動(dòng)芯片共同優(yōu)化及設(shè)計(jì)集成方案的功率半導(dǎo)體公司。

公司核心團(tuán)隊(duì)來(lái)自英飛凌、意法半導(dǎo)體、PI及Cree等一線(xiàn)半導(dǎo)體原廠，歷史投資方包括矽力杰、中芯聚源、GRC富華資本等著名企業(yè)及投資機(jī)構(gòu)。公司自成立以來(lái)，始終堅(jiān)持以人才為本、誠(chéng)信立業(yè)的經(jīng)營(yíng)原則，為消費(fèi)電子、白色家電、工業(yè)電源、光伏儲(chǔ)能等應(yīng)用市場(chǎng)帶來(lái)高能源效率、高可靠性、高集成性?xún)r(jià)比的全方位產(chǎn)品解決方案。（來(lái)源：晶通半導(dǎo)體）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：昕感科技

集邦化合物半導(dǎo)體了解到，昕感科技6英寸功率半導(dǎo)體制造項(xiàng)目總計(jì)投資超10億元，一期建設(shè)6英寸廠房，總建筑面積超4.5萬(wàn)平，核心生產(chǎn)無(wú)塵室面積達(dá)1萬(wàn)平，包括主FAB廠房（分二期建設(shè)完成），以及CUB動(dòng)力站、甲/乙類(lèi)庫(kù)、供氫站等配套設(shè)施。該晶圓廠于2023年8月土建開(kāi)工，2024年8月設(shè)備正式Move-in。

公開(kāi)資料顯示，昕感科技成立于2020年9月，聚焦于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅（SiC）功率芯片和模塊設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)及制造，并分別在江陰和深圳設(shè)有芯片器件生產(chǎn)線(xiàn)和模塊模組研發(fā)中心。source：昕感科技

在產(chǎn)品端，昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺(tái)上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。截至目前昕感科技SiC MOSFET累計(jì)出貨客戶(hù)百余家，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

在融資端，天眼查顯示，昕感科技目前累計(jì)完成了7輪融資。其中僅A輪、B+輪披露了融資金額，皆超億元。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

8英寸碳化硅，布局戰(zhàn)況

憑借成本等綜合優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)對(duì)8英寸碳化硅的部署步伐不停，近期傳來(lái)許多新的聲音。

海外廠商方面，9月17日，日本礙子株式會(huì)（NGK，下文簡(jiǎn)稱(chēng)日本礙子）在其官網(wǎng)宣布，已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓，并表示公司將于本月底在美國(guó)ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關(guān)研究成果。

據(jù)日媒報(bào)道，日本企業(yè)Resonac（原昭和電工）的8英寸SiC外延片品質(zhì)已經(jīng)達(dá)到了6英寸產(chǎn)品的同等水平。目前，公司正在通過(guò)提高生產(chǎn)效率來(lái)降低成本，樣品評(píng)估已經(jīng)進(jìn)入商業(yè)化的最后階段，預(yù)計(jì)一旦成本優(yōu)勢(shì)超過(guò)6英寸產(chǎn)品，Resonac就會(huì)開(kāi)始轉(zhuǎn)型生產(chǎn)8英寸產(chǎn)品。除了量產(chǎn)8英寸SiC外延片外，Resonac還將在2025年開(kāi)始量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。

另?yè)?jù)媒體報(bào)道，安森美將加快8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)進(jìn)度，預(yù)計(jì)從2025年開(kāi)始，可根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)行產(chǎn)能轉(zhuǎn)換。該公司計(jì)劃于今年晚些時(shí)候推出8英寸碳化硅晶圓，并于2025年投產(chǎn)。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury稱(chēng)，公司仍然按計(jì)劃推進(jìn)，今年將完成8英寸晶圓的認(rèn)證，這包括從襯底到晶圓廠的整個(gè)流程。8英寸碳化硅的認(rèn)證將在今年通過(guò)，明年開(kāi)始的收入將符合預(yù)期。

8英寸碳化硅工廠布局上，安森美于2023年10月完成其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠的擴(kuò)建。該工廠滿(mǎn)載時(shí)，每年能生產(chǎn)超過(guò)100萬(wàn)片8英寸碳化硅晶圓。富川碳化硅生產(chǎn)線(xiàn)目前主力生產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)完成8英寸碳化硅工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)8英寸晶圓。

此外據(jù)悉，9月9日， Wolfspeed推出一款用于1500V直流母線(xiàn)的2300V無(wú)底板碳化硅電源模塊，采用其最先進(jìn)的8英寸碳化硅晶片技術(shù)。該產(chǎn)品旨在通過(guò)提高效率、耐用性、可靠性和可擴(kuò)展性，推動(dòng)可再生能源、儲(chǔ)能和大容量快速充電領(lǐng)域發(fā)展。

國(guó)內(nèi)廠商方面，三安光電重慶三安項(xiàng)目（系8英寸碳化硅襯底配套工廠）已實(shí)現(xiàn)襯底廠的點(diǎn)亮通線(xiàn)。襯底廠是由三安光電利用自有碳化硅襯底工藝，通過(guò)全資子公司湖南三安半導(dǎo)體在重慶設(shè)立全資子公司重慶三安半導(dǎo)體配套建設(shè)，項(xiàng)目總投資約70億元規(guī)劃生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬(wàn)片/年。

天岳先進(jìn)8英寸導(dǎo)電型于近期已經(jīng)形成規(guī)?；⑦M(jìn)入量產(chǎn)階段，產(chǎn)品在持續(xù)交付；另外，天岳先進(jìn)于今年7月擬定增募資3億元，用于投資8英寸車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅襯底制備技術(shù)提升項(xiàng)目。

天岳先進(jìn)董事長(zhǎng)、總經(jīng)理宗艷民稱(chēng)，從降本的角度，長(zhǎng)期看，8英寸晶圓將有助于碳化硅器件在更多應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化，推動(dòng)碳化硅市場(chǎng)進(jìn)入新的發(fā)展階段。目前公司在8英寸碳化硅襯底上，走在了行業(yè)前列，具備規(guī)模化生產(chǎn)能力，公司將計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)展臨港工廠8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能。

業(yè)界：8英寸碳化硅將逐步起量

作為第三代半導(dǎo)體代表材料之一，碳化硅（SiC）備受歡迎。特性方面，相比傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體材料，SiC擁有3倍的禁帶寬度、3倍的熱導(dǎo)率、近10倍的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、以及2倍的電子飽和漂移速率。理論上，相同耐壓的器件，SiC的單位面積的漂移層阻抗可以降低到Si的1/300。

碳化硅主要應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G通訊等領(lǐng)域。根據(jù)業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，就電動(dòng)汽車(chē)而言，使用SiC功率半導(dǎo)體時(shí)，行駛里程可以增加18~20%，預(yù)計(jì)未來(lái)汽車(chē)的采用率將從目前的15%提高到60%。從整車(chē)廠方向上看，目前包括蔚來(lái)、理想、小鵬、小米、嵐圖、智己、比亞迪、長(zhǎng)城等多數(shù)車(chē)企均推出了800V碳化硅高壓平臺(tái)。

展望未來(lái)，全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)表示，作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，并預(yù)測(cè)，2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元。
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。其中碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)，其生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。

圖源：全球半導(dǎo)體觀察制圖

從尺寸發(fā)展趨勢(shì)上看，“尺寸越大，單位芯片成本越低?！笔窃谔蓟枰r底開(kāi)發(fā)當(dāng)中公認(rèn)的重要降本路徑之一。根據(jù)天科合達(dá)數(shù)據(jù)，從4英寸升級(jí)到6英寸預(yù)計(jì)可將單位成本降低50%；從6英寸到8英寸成本預(yù)計(jì)還能再降低35%。

業(yè)界認(rèn)為，目前6英寸雖是碳化硅市場(chǎng)主流，但轉(zhuǎn)型8英寸已是必然趨勢(shì)，預(yù)計(jì)從2026年至2027年開(kāi)始，現(xiàn)在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將被8英寸產(chǎn)品替代。宗艷民近日在2024年上半年業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上表示，“未來(lái)幾年內(nèi)，隨著技術(shù)進(jìn)步，8英寸碳化硅將逐步起量?！?/p>

另?yè)?jù)TrendForce集邦咨詢(xún)數(shù)據(jù)顯示，8英寸的產(chǎn)品市占率不到2%，并預(yù)測(cè)2026年市場(chǎng)份額將成長(zhǎng)到15%左右。

碳化硅襯底價(jià)格下坡，未必是壞事？

據(jù)市場(chǎng)消息稱(chēng)，國(guó)內(nèi)主流6英寸碳化硅襯底報(bào)價(jià)參照國(guó)際市場(chǎng)每片750-800美元的價(jià)格，價(jià)格跌幅近三成。
TrendForce集邦咨詢(xún)分析師曾指出，這幾年間，隨著中國(guó)廠商進(jìn)入到整個(gè)碳化硅市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)之中，更是加速了整個(gè)碳化硅市場(chǎng)襯底價(jià)格的下降幅度。

針對(duì)價(jià)格變化現(xiàn)象，宗艷民稱(chēng)，碳化硅襯底價(jià)格會(huì)下降，這一方面是由于技術(shù)的提升和規(guī)?；?yīng)推動(dòng)襯底成本的下降；另一方面，目前碳化硅襯底價(jià)格比硅襯底高，而價(jià)格下降有助于下游應(yīng)用的擴(kuò)展，推動(dòng)碳化硅更加廣闊的滲透應(yīng)用。與其他半導(dǎo)體材料類(lèi)似，目前國(guó)內(nèi)外頭部企業(yè)會(huì)根據(jù)市場(chǎng)情況、自身產(chǎn)品、具體客戶(hù)等因素綜合考慮定價(jià)策略，而部分新進(jìn)參與者也會(huì)通過(guò)降價(jià)獲得市場(chǎng)，這也基本符合行業(yè)發(fā)展規(guī)律。（來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：長(zhǎng)飛先進(jìn)

據(jù)悉，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個(gè)集芯片設(shè)計(jì)、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，占地面積約22.94萬(wàn)㎡，建筑面積約30.15萬(wàn)㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動(dòng)力廠房、成品庫(kù)、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。

日前，長(zhǎng)飛先進(jìn)的晶圓廠、封測(cè)廠、外延廠、宿舍樓與綜合樓已實(shí)現(xiàn)封頂。

據(jù)介紹，10月開(kāi)始，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地將迎來(lái)首批設(shè)備搬入，并于2025年6月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線(xiàn)。項(xiàng)目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC晶圓及外延、6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域。

長(zhǎng)飛先進(jìn)專(zhuān)注于SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，具備從外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。

目前，長(zhǎng)飛先進(jìn)產(chǎn)品覆蓋650V-3300V全電壓平臺(tái)的SiC MOSFET和SBD，應(yīng)用于車(chē)載主驅(qū)、車(chē)載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業(yè)電源等全場(chǎng)景。長(zhǎng)飛先進(jìn)目前晶圓代工產(chǎn)品超過(guò)50款，自營(yíng)產(chǎn)品超過(guò)20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始導(dǎo)入市場(chǎng)，面向車(chē)載主驅(qū)逆變器應(yīng)用場(chǎng)景。（來(lái)源：集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長(zhǎng)的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開(kāi)始供應(yīng)樣品。

圖片來(lái)源：信越化學(xué)

從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產(chǎn)線(xiàn)來(lái)生產(chǎn)GaN，但由于缺乏適合GaN生長(zhǎng)的大直徑基板，因此無(wú)法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數(shù)，可實(shí)現(xiàn)大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長(zhǎng)，并抑制SEMI標(biāo)準(zhǔn)厚度的QST襯底上GaN外延層的“翹曲”或“裂紋”，從而大大降低了器件成本。

資料顯示，QSTTM襯底是美國(guó)Qromis公司開(kāi)發(fā)的專(zhuān)用于GaN生長(zhǎng)的復(fù)合材料，并于2019年授權(quán)給信越化學(xué)。QSTTM是Qromis的美國(guó)商標(biāo)（注冊(cè)號(hào)5277631）。目前，信越化學(xué)已銷(xiāo)售了150毫米（6英寸）、200毫米（8英寸）QST襯底，以及QST外延襯底上的GaN，如今公司還開(kāi)發(fā)出300mmQST基板。信越化學(xué)表示，在擴(kuò)大150mm和200mmQST基板設(shè)施的同時(shí)，公司還將致力于300mmQST基板的量產(chǎn)。

信越化學(xué)稱(chēng)，利用這一特性，許多客戶(hù)正在評(píng)估QSTTM襯底和QSTTM外延襯底上的GaN，用于功率器件、高頻器件和LED。盡管商業(yè)環(huán)境充滿(mǎn)挑戰(zhàn)，但客戶(hù)已進(jìn)入實(shí)用化開(kāi)發(fā)階段，應(yīng)對(duì)功率器件（包括數(shù)據(jù)中心電源）日益增長(zhǎng)的需求。

氮化鎵襯底廠商，動(dòng)態(tài)頻頻

氮化鎵整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈可細(xì)分為襯底、外延、晶圓代工、芯片設(shè)計(jì)四個(gè)環(huán)節(jié)，而襯底（Substrate）是產(chǎn)業(yè)鏈的源頭。從制備難度上看，不同于Si和SiC芯片，GaN的外延片通常用的是異質(zhì)襯底，藍(lán)寶石、碳化硅、硅等是氮化鎵外延片主流的異質(zhì)襯底材料。相對(duì)于常規(guī)半導(dǎo)體材料，GaN單晶的生長(zhǎng)進(jìn)展緩慢，晶體尺寸小且成本高，當(dāng)前的GaN基器件主要基于異質(zhì)襯底制作而成，使得GaN單晶襯底及同質(zhì)外延器件的發(fā)展落后于基于異質(zhì)外延器件的應(yīng)用。

目前，GaN外延技術(shù)常用的主要是HPVE（氫化物化學(xué)氣相外延）、氨熱法（Ammonothermal）、 助熔劑法/鈉流法（Na Flux Method）三種，還有一些廠商采用PVD（物理氣相傳輸法）、MOCVD（金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積）、MBE（分子束外延）、CVD（化學(xué)氣相沉積）等方法。

從市場(chǎng)格局上看，國(guó)外襯底廠商主要有日本住友化學(xué)（SCIOCS）、日本礙子（NGK）、日本三菱（Mitsubishi）、日本古河電氣（Furukawa）、波蘭Ammono、美國(guó)Kymatech。國(guó)內(nèi)襯底廠商主要是蘇州納維 (Nanowin)、東莞中鎵( Sino Nitride)。

今年來(lái)，氮化鎵襯底研發(fā)有了新動(dòng)態(tài)。今年1月，據(jù)日媒報(bào)道，住友化學(xué)已經(jīng)成功建立4英寸氮化鎵襯底的量產(chǎn)技術(shù)，將從2024年開(kāi)始與客戶(hù)協(xié)調(diào)量產(chǎn)事宜，還將提供GaN on GaN垂直型外延產(chǎn)品。

據(jù)悉，阜陽(yáng)師范大學(xué)科研處于3月1日到訪(fǎng)鎵數(shù)氮化物產(chǎn)業(yè)研究院，就“4英寸氮化鎵單晶襯底制備關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目展開(kāi)調(diào)研。該GaN項(xiàng)目為阜陽(yáng)市校合作產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院項(xiàng)目，目前鎵數(shù)中試線(xiàn)能夠順利生產(chǎn)4英寸氮化鎵單晶襯底，6英寸和更大尺寸的氮化鎵單晶尚在技術(shù)攻堅(jiān)過(guò)程中。

資料顯示，鎵數(shù)氮化物產(chǎn)業(yè)研究院成立于2022年，經(jīng)營(yíng)范圍包括新材料技術(shù)研發(fā)、半導(dǎo)體分立器件制造等。

3月8日，據(jù)日媒報(bào)道，日本大阪大學(xué)（Osaka University）、豐田合成和松下控股公司松下高清三方合作的GaN襯底開(kāi)發(fā)項(xiàng)目取得了新進(jìn)展，已成功制備高質(zhì)量6英寸GaN襯底。豐田合成借助了大阪大學(xué)新開(kāi)發(fā)的技術(shù)成功制備缺陷密度為104/ cm2的6英寸GaN襯底，該技術(shù)結(jié)合了Na助焊劑法和多點(diǎn)晶種法，兼具高質(zhì)量及易擴(kuò)徑的優(yōu)點(diǎn)。此外，以該技術(shù)為基礎(chǔ)，他們將開(kāi)發(fā)兼容8英寸或更大尺寸的晶體生長(zhǎng)設(shè)備，用于未來(lái)進(jìn)一步開(kāi)發(fā)大尺寸襯底。

氮化鎵：第二次電力電子學(xué)革命催化劑

從原理上看，氮化鎵是由鎵（原子序數(shù)31）和氮（原子序數(shù)7）結(jié)合而來(lái)的化合物，是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這里的禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量。而氮化鎵的禁帶寬度為3.4eV，是硅的3倍多，故氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。

Source:GaN Wurtzite crystal structure, Wikipedia

由于氮化鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快100倍。而由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。從氮化鎵目前的發(fā)展來(lái)看，據(jù)業(yè)界披露，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過(guò)800V的電壓，其漏極漂移區(qū)為10-20μm，或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。不過(guò)氮化鎵器件目前仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于約300V/μm的禁帶寬度極限，這意味著還有巨大的改進(jìn)和優(yōu)化空間。

此外，據(jù)業(yè)界稱(chēng)，氮化鎵的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍，并且氮化鎵功率芯片將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。據(jù)業(yè)界估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40% 的能源浪費(fèi)，相當(dāng)于節(jié)省了 100 兆瓦時(shí)太陽(yáng)能和1.25 億噸二氧化碳排放量。

圖片來(lái)源：Navitas

GaN發(fā)展，再次提速

近年來(lái)，氮化鎵已在消費(fèi)（如電源適配器）和工業(yè)如數(shù)據(jù)中心電源和太陽(yáng)能逆變器）已得到廣泛采用。從目前發(fā)展應(yīng)用情況來(lái)看，消費(fèi)電子仍是其重要的下游市場(chǎng)，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)、AI、汽車(chē)等行業(yè)對(duì)氮化鎵的需求也在不斷增強(qiáng)。

具體來(lái)看，在汽車(chē)行業(yè)，氮化鎵正成為新能源汽車(chē)領(lǐng)域中，電源轉(zhuǎn)換和電池充電的首選技術(shù)。Transphorm（現(xiàn)Renesas-瑞薩電子）于2017年發(fā)布的第一個(gè)符合汽車(chē)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的功率GaN產(chǎn)品，截至目前已有多家廠商推出豐富的汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品。TrendForce集邦咨詢(xún)稱(chēng)，雖然GaN進(jìn)入Inverter、OBC等動(dòng)力系統(tǒng)組件還面臨著多個(gè)技術(shù)問(wèn)題，但相信在英飛凌、瑞薩等汽車(chē)芯片大廠的持續(xù)投資推動(dòng)下，GaN不久就會(huì)成為汽車(chē)功率組件中的關(guān)鍵角色。

在消費(fèi)電子領(lǐng)域，TrendForce集邦咨詢(xún)認(rèn)為，消費(fèi)電子是功率GaN產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng)，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機(jī)等領(lǐng)域。具體而言，GaN已經(jīng)在低功率的手機(jī)快速充電器中被大規(guī)模采用，下一步GaN將進(jìn)入可靠性要求更為嚴(yán)格的筆電、家電電源。另外，其他蘊(yùn)藏潛力的消費(fèi)場(chǎng)景包括Class-D Audio、Smartphone OVP等。

其他領(lǐng)域，從市場(chǎng)來(lái)看，氮化鎵越來(lái)越多地出現(xiàn)在太陽(yáng)能發(fā)電裝置采用的逆變器中，以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他工業(yè)電源轉(zhuǎn)換的方案中。此外在AI領(lǐng)域，面對(duì)更高端的AI運(yùn)算，務(wù)器電源的效能、功率密度必須進(jìn)一步提高，氮化鎵因其優(yōu)秀的特性備受關(guān)注。今年，英飛凌與納微半導(dǎo)體均公布了針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心的技術(shù)路線(xiàn)圖，將液冷技術(shù)與GaN相結(jié)合，在較低結(jié)溫下具有明顯的優(yōu)勢(shì)，為數(shù)據(jù)中心提供了巨大的機(jī)會(huì)，可以最大程度地提高效率，滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的電力需求，并克服服務(wù)器發(fā)熱量不斷增加所帶來(lái)的挑戰(zhàn)。業(yè)界稱(chēng)，隨著AI應(yīng)用普及，GaN有望成為減熱增效的關(guān)鍵解決技術(shù)之一。

展望氮化鎵市場(chǎng)前景，據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。

來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。