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全球有多少座8英寸碳化硅廠？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 10 日 16:23 | 分類 功率
2024年的碳化硅市場猶如一條洶涌的大河，全球各大廠家傾瀉而下、奔涌向前。我們可以看到全球各大廠在過去幾年中投資布局的8英寸碳化硅生產(chǎn)線已逐步進入落地階段，包括英飛凌在馬來西亞建設的居林新廠，安森美在韓國富川規(guī)劃的生產(chǎn)設施，三安在重慶投資的碳化硅項目等等。聚焦我國，則以碳化硅產(chǎn)業(yè)...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成與廣汽埃安簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 09 日 18:00 | 分類 企業(yè)
TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到碳化硅供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，碳化硅在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲...  [詳內(nèi)文]

北京順義第三代半導體項目披露最新進展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 09 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
10月8日，據(jù)順義區(qū)融媒體中心消息，位于北京順義區(qū)的第三代等先進半導體產(chǎn)業(yè)標準化廠房項目（二期）建設進度已過半。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目包括生產(chǎn)廠房、綜合樓、動力中心等11棟單體建筑，總投資6.3億元，總占地面積4萬平方米，總建筑面積6.47萬平方米。 目前，該項目...  [詳內(nèi)文]

針對溶液法碳化硅晶圓，OXIDE與JS Fundry達成合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 09 日 17:50 | 分類 企業(yè)
10月9日，日本材料廠商OXIDE宣布，已與日本晶圓代工廠JS Fundry達成戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將在溶液法碳化硅領域展開深入合作。 OXIDE表示，近年來，為了實現(xiàn)高性能功率半導體，作為硅的下一代功率半導體材料，碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等受到關注。OXIDE致力于溶液法碳化硅襯...  [詳內(nèi)文]

15億，臺灣8英寸氮化鎵功率廠投資案通過
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 09 日 17:50 | 分類 功率
10月4日，中國臺灣科學園區(qū)審議會第19次會議召開，會中通過冠亞半導體股份有限公司（下文簡稱“冠亞”）投資議案。 據(jù)介紹，該案投資金額達15億元新臺幣（折合人民幣約3.29億元），主要用來生產(chǎn)氮化鎵功率元件相關產(chǎn)品。 資料顯示冠亞為臺亞半導體子公司，專注于氮化鎵（GaN）功率技術...  [詳內(nèi)文]

電裝和羅姆宣布半導體領域合作計劃
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 08 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月30日，據(jù)電裝官網(wǎng)消息，電裝和羅姆宣布計劃建立專注于汽車應用的半導體合作伙伴關系。作為這一計劃的一部分，電裝將收購羅姆部分股份。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，電裝為目前幾乎所有品牌和型號的車輛開發(fā)技術和組件，羅姆則生產(chǎn)一系列功率器件和分立器件，包括碳化硅芯片和模塊，在汽...  [詳內(nèi)文]

晶馳機電、云嶺半導體、氮矽科技完成新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 08 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
第三代半導體賽道融資熱度持續(xù)高漲，近日又有3家相關廠商分別完成新一輪融資。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 碳化硅設備廠晶馳機電完成數(shù)千萬首輪融資 10月7日，據(jù)杭州晶馳機電科技有限公司（以下簡稱：晶馳機電）官微披露，晶馳機電近日完成數(shù)千萬首輪融資，由河北正茂產(chǎn)業(yè)投資有限公司（正定縣...  [詳內(nèi)文]

三安光電獲得政府補助資金1040萬元
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 08 日 18:00 | 分類 企業(yè)
繼今年6月底，三安光電發(fā)布公告，收到政府補助后，其在10月7日晚間再發(fā)布一則關于獲得政府補助的公告。 根據(jù)本次公告，2024年7月1日至2024年9月29日，三安光電及下屬子公司收到與收益相關、未履行信息披露義務且未達披露標準的政府補助款約1040萬元。 三安光電2024年第三...  [詳內(nèi)文]

鑫威源電子氮化鎵激光器芯片生產(chǎn)線通線試產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 30 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月29日，據(jù)武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡稱：鑫威源電子）官微消息，鑫威源電子近日在高性能氮化鎵半導體激光器芯片方面取得重大技術突破，同時氮化鎵半導體激光器芯片產(chǎn)線完成通線試產(chǎn)。 source：鑫威源電子 據(jù)悉，氮化鎵激光器芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器芯片。這種芯...  [詳內(nèi)文]

科友半導體實現(xiàn)8英寸高品質(zhì)碳化硅襯底批量制備
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 30 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月30日，據(jù)科友半導體官微消息，科友半導體在今年9月成功實現(xiàn)8英寸高品質(zhì)碳化硅襯底的批量制備，通過優(yōu)化電阻爐溫場、引入緩沖層優(yōu)化長晶工藝、優(yōu)化原料區(qū)域溫度分布，發(fā)揮了電阻加熱式PVT法碳化硅單晶穩(wěn)定生長的優(yōu)勢。 source：科友半導體 檢測表明，科友半導體8英寸碳化硅襯底產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]