9月16日，據(jù)臺媒報道，鉆石功率半導體由合成鉆石制成，由于熱導性和其他特性，被稱為“終極半導體材料”。其性能比現(xiàn)有材料超出一個量級，隨著日本廠商研究取得進展，鉆石功率半導體正逐漸接近商業(yè)化。
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據(jù)報道，鉆石特別適合用于功率半導體，因為其電氣強度約是硅的33倍。鉆石功率半導體可在約五倍熱的環(huán)境中運行，電力損耗可減少到硅制產(chǎn)品的五萬分之一。
碳化硅和氮化鎵同樣也是備受關注的下一代半導體材料，但鉆石性能遠高于兩者。以巴利加優(yōu)值（Baliga figure of merit，BFOM）來看，鉆石性能是碳化硅的80倍以上，是氮化鎵的10倍以上。
鉆石半導體有望用于需要大量穩(wěn)定電源的應用，包括電動車、飛行汽車和發(fā)電站；其耐高溫和抗輻射特性也有望用于核能和太空等領域。然而，鉆石作為半導體材料也面臨諸多困難，如硬度關系，很難按電子設備所需的精度進行研磨和加工，同時長時間用于半導體也可能變質，此外成本也影響商業(yè)化進程。
但據(jù)日經(jīng)報導，隨著長時間發(fā)展，鉆石半導體有望明年至?2030?年間進入商業(yè)化階段，日本廠商在該研發(fā)領域進展較快。
2023?年，日本佐賀大學團隊成功開發(fā)世界上第一個采用鉆石半導體的功率電路；東京精密元件制造商Orbray已開發(fā)2英寸鉆石晶片的量產(chǎn)技術，很快將開發(fā)4英寸晶圓；日本初創(chuàng)公司Power Diamond Systems開發(fā)出一種鉆石元件，可處理世界領先的6.8安培電流，計劃幾年內開始出樣品；另外一家初創(chuàng)公司Ookuma Diamond Device在福島縣建廠，將量產(chǎn)鉆石半導體，目標2026財年開始營運。
值得一提的是，研究制造精密設備的JTEC Corporation擁有電漿拋光高硬度材料表面的獨特技術，其已成功拋光世界領先尺寸的單晶鉆石基礎材料，并獲得加工鉆石材料的開發(fā)設備訂單。（集邦化合物半導體整理）
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