文章分類： 氮化鎵GaN

賽微電子子公司聚能創(chuàng)芯將獲2.8億元增資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 05 日 17:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，賽微電子公告，根據(jù)公司GaN業(yè)務(wù)發(fā)展的實際情況，為增強控股子公司青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司（以下簡稱“聚能創(chuàng)芯”）的資本實力，擬由中金啟合、湖州人才基金、中金啟陽、鳶飛基金、傳感基金、康博電子對聚能創(chuàng)芯進行增資2.8億元。 增資完成后，公司持有聚能創(chuàng)芯股權(quán)的比例由32.02...  [詳內(nèi)文]

最新議程出爐！第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會匯集行業(yè)大咖

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 02 日 17:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2023年6月15日，TrendForce集邦咨詢將在深圳福田JW萬豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會”。 目前，最新議程出爐！會議匯集華燦光電、英諾賽科、納設(shè)智能、國星光電、天科合達、芯聚能、Wolfspeed、爍科晶體、AIXTRON、泰科天潤、珠海鎵未來、三菱電機、天域...  [詳內(nèi)文]

2023年全球IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)綜整研析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 01 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2023年第一季Top10 IC設(shè)計廠商營收表現(xiàn)皆走弱，第一～三名排名出現(xiàn)變動。 Broadcom超車NVIDIA奪下第二名位置，不過Broadcom與NVIDIA尚未公布營收，此處采用財測數(shù)字，且差距極小，因此實際排名狀況或有不同，其他排名則略有變動。 由于整體供應(yīng)鏈庫存持續(xù)修...  [詳內(nèi)文]

碳化硅與氮化鎵，誰擁有更廣闊的星辰大海

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當(dāng)下，低碳化和數(shù)字化齊頭并進的發(fā)展，帶來了萬物互聯(lián)、能源效率、未來出行等多重變革。而在這個突飛猛進的過程中，第三代半導(dǎo)體則發(fā)揮著重要作用。 同屬第三代半導(dǎo)體，碳化硅和氮化鎵近年來不斷發(fā)光發(fā)熱，成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的“流量明星”。那么，這兩種材料，誰的市場前景更大呢？ 碳化硅和氮化鎵：在...  [詳內(nèi)文]

【會議預(yù)告】國星光電：GaN的SIP封裝及其應(yīng)用

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN
SIP（系統(tǒng)級封裝）技術(shù)是通過將多個裸片及無源器件整合在單個封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)。在后摩爾時代，SiP技術(shù)可以幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗。 國星光電已開發(fā)出多款使用SIP封裝的GaN-IC產(chǎn)品，可在LED驅(qū)動電源、LED顯示器驅(qū)動電源、墻體插座快充、移動排插...  [詳內(nèi)文]

第一季全球新能源車銷量達265.6萬輛，特斯拉市占回升

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:21 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2023年第一季全球新能源車（NEV；包含純電動車、插電混合式電動車、氫燃料電池車）銷售總量為265.6萬輛，年增28%。其中純電動車（BEV）銷量為194.2萬輛，年成長26%；插電混合式電動車（PHEV）銷量71.1萬輛，年增34%。 ...  [詳內(nèi)文]

華燦光電完成650V GaN產(chǎn)品小批量出樣和測試

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 30 日 17:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，華燦光電在接受機構(gòu)調(diào)研時稱，公司目前已完成了650V GaN產(chǎn)品的小批量出樣和測試，650V GaN MOSFET出樣，性能可符合高頻AC/DC PD 65W快充應(yīng)用。 華燦光電表示，2022年，在自有外延方面，已啟動6英寸藍寶石襯底研發(fā)，初步完成650VGaN on Si...  [詳內(nèi)文]

全球InP產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 29 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
作為化合物半導(dǎo)體材料，InP（磷化銦）半導(dǎo)體元件具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，在光通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射頻元件，其在光子領(lǐng)域具...  [詳內(nèi)文]

【會議預(yù)告】AIXTRON：寬禁帶半導(dǎo)體器件量產(chǎn)解決方案

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 26 日 17:31 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著新能源汽車、5G、快充等產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，以碳化硅，氮化鎵為首的寬禁帶半導(dǎo)體下游領(lǐng)域需求不斷增加。加之國內(nèi)外政策的推動，寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在爆發(fā)巨大的發(fā)展?jié)摿Α?市場的不斷擴大，各大廠商開始“排兵布陣”，形成量產(chǎn)，設(shè)備產(chǎn)業(yè)迎來了熱潮， 寬禁帶半導(dǎo)體器件量產(chǎn)成為了產(chǎn)業(yè)聚焦的問題。 ...  [詳內(nèi)文]

多應(yīng)用驅(qū)動！SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體未來可期

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 24 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
關(guān)于第三代半導(dǎo)體的疑慮，這場研討會都有答案。 第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點，先天性能優(yōu)越，是新能源汽車、5G、光伏等領(lǐng)域的“香餑餑”。然而，現(xiàn)實與理想之間尚有較大差距，我們對第三代半導(dǎo)體的發(fā)展仍存疑慮。 為進一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)...  [詳內(nèi)文]