文章分類: 企業(yè)

720萬片,華芯晶圖化合物半導體相關項目取得新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 24 日 17:05 | | 分類: 企業(yè)
20日,據(jù)山西轉型綜改示范區(qū)官微消息,位于山西轉型綜改示范區(qū)瀟河新興產業(yè)園區(qū)的山西華芯半導體晶體材料產業(yè)基地二期項目近日基建竣工,設備即將進場安裝,總占地面積約2.32萬平米。 source:山西轉型綜改示范區(qū) 據(jù)山西華芯半導體晶體材料產業(yè)基地負責人介紹,一期項目已于2022年...  [詳內文]

鎵仁半導體推出氧化鎵專用長晶設備

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 23 日 16:33 | | 分類: 企業(yè)
9月20日,杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)發(fā)布了公司首臺氧化鎵專用晶體生長設備。該設備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求,還集成了多項自主創(chuàng)新技術,是鎵仁半導體實現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術閉環(huán)的新里程碑。 source:鎵仁半導體 據(jù)介紹,鎵仁半導體此次推出的氧化鎵專...  [詳內文]

長光華芯化合物半導體項目正式封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 23 日 16:30 | | 分類: 企業(yè)
據(jù)長光華芯官微消息,9月20日,長光華芯先進化合物半導體光電子平臺項目正式封頂。 source:長光華芯 長光華芯指出,本次項目封頂標志著長光華芯在多種化合物半導體光電芯片、器件等方面的產能、研發(fā)水平、橫向擴展和縱向延伸能力都將邁上新臺階。 橫向覆蓋從可見光、近紅外、中波、長波...  [詳內文]

70億,重慶三安8英寸碳化硅襯底廠點亮通線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 20 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
車用碳化硅市場,近日再次傳出利好消息。三安光電相關負責人近日透露,重慶三安項目(系8英寸碳化硅襯底配套工廠)已實現(xiàn)襯底廠的點亮通線。 圖片來源:拍信網正版圖庫 據(jù)悉,2023年6月,三安光電和意法半導體同時官宣在重慶合資建廠,進行8英寸碳化硅芯片大規(guī)模量產計劃,成為去年在碳化硅...  [詳內文]

廣東江門新增一氮化鎵功率半導體項目

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 19 日 18:00 | | 分類: 企業(yè)
9月9日,廣東省江門市生態(tài)環(huán)境局新會分局發(fā)布了“冠鼎半導體氮化鎵功率半導體生產新建項目”的環(huán)評文件受理公告。 公告顯示,冠鼎半導體氮化鎵功率半導體生產項目選址位于江門市新會區(qū)崖門鎮(zhèn),屬于新建項目,項目總投資1.055億元,租賃江門市旭暉紡織有限公司已建廠房,廠房面積為2630平...  [詳內文]

日本礙子官宣已成功制備8英寸SiC晶圓

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 19 日 17:55 |
| 分類: 企業(yè)
9月17日,日本礙子株式會(NGK,下文簡稱日本礙子)在其官網宣布,已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓,并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關研究成果。 公開資料顯示,日本礙子成立于1919年5月5日,主要業(yè)務包括制造和銷售汽車尾氣凈化所需的...  [詳內文]

120萬套,長城汽車“第三代半導體模組封測項目”完工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 19 日 17:49 | | 分類: 企業(yè)
9月14日,水土保持網披露了長城無錫芯動半導體科技有限公司(下文簡稱“芯動半導體”)水土保持設施驗收鑒定書。文件顯示,芯動半導體年產120萬套第三代半導體功率模塊封測項目已于2024年5月完成建設,并在同月完成水土保持設施驗收工作。 資料顯示,芯動半導體無錫“第三代半導體模組封測...  [詳內文]

安森美加快8英寸碳化硅生產進度

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 18 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
9月18日,據(jù)臺媒報道,安森美將加快8英寸碳化硅晶圓的生產進度,預計從2025年開始,可根據(jù)市場需求進行產能轉換。 source:安森美 法人預估,2024年安森美整體產能約40萬片,2025年將達到60萬片。法人推算碳化硅廠商整體擴產情況,以及逆變器、OBC、DC/DC轉換器...  [詳內文]

晶旭半導體氧化鎵高頻濾波芯片生產線項目主體封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 18 日 18:00 | | 分類: 企業(yè)
9月17日,據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息,福建晶旭半導體科技有限公司(以下簡稱:晶旭半導體)二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目于2023年12月開工建設。目前,項目主體已經全部封頂,預計年底之前具備設備模擬的條件。 圖片來源:拍信網正版圖庫 該項目總投資16.8...  [詳內文]