6月28日，浙江杭州市余杭區(qū)舉行2024年二季度重大項目集中簽約暨重點工程現(xiàn)場推進會。會議現(xiàn)場，浙江余杭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)簽約重大產(chǎn)業(yè)項目12個，總投資約82.4億元，其中包括50億元以上項目1個、10億元以上項目3個，涉及第三代半導體等熱門賽道。
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其中，中順通利半導體產(chǎn)業(yè)化項目作為此次簽約的項目之一，計劃總投資達50億元，擬建設(shè)特種及車規(guī)級功率器件封裝測試生產(chǎn)線、集團企業(yè)總部集群等。
浙江余杭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)消息顯示，中順通利控股集團有限公司與哈爾濱工業(yè)大學極端環(huán)境材料和器件研究中心合作，在高端抗輻射功率器件產(chǎn)品設(shè)計領(lǐng)域已達到國內(nèi)先進水平，實現(xiàn)了特種及車規(guī)級芯片更高要求的可靠性及安全性。
據(jù)悉，自2023年下半年以來，已有多個功率器件項目簽約落地杭州，其中包括正齊半導體SiC功率模塊項目等。
2023年10月，正齊半導體年產(chǎn)6萬顆高階功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目在杭州開發(fā)區(qū)舉行簽約儀式。正齊半導體杭州項目將在開發(fā)區(qū)投資建設(shè)第三代半導體模塊工廠。項目首期投資3000萬美元（約2.18億人民幣），總投資額將達10億元人民幣，規(guī)劃建設(shè)10條智能化模塊封裝生產(chǎn)與組裝線，滿足車規(guī)級與航天級的模塊生產(chǎn)線要求，每年將生產(chǎn)6萬顆高端航天及車規(guī)級IGBT與SiC芯片、模塊及器件等產(chǎn)品。（集邦化合物半導體Zac整理）
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