9月11日，英飛凌宣布，公司已成功開(kāi)發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。
source：英飛凌
英飛凌表示，公司是全球首家在現(xiàn)有可擴(kuò)展的大批量生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的公司。這一突破將極大地推動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。
英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。
基于氮化鎵的功率半導(dǎo)體在工業(yè)、汽車(chē)、消費(fèi)類(lèi)、計(jì)算和通信應(yīng)用中迅速獲得采用，涵蓋AI系統(tǒng)的電源、太陽(yáng)能逆變器、充電器、適配器以及電機(jī)控制系統(tǒng)。
先進(jìn)的氮化鎵制造工藝提高了設(shè)備性能，它實(shí)現(xiàn)了更高的效率性能、更小的尺寸、更小的重量和更低的總體成本，為客戶(hù)帶來(lái)便利。此外，12英寸氮化鎵制造通過(guò)可擴(kuò)展性確保了供應(yīng)穩(wěn)定性。
英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“這一技術(shù)突破將改變行業(yè)格局，并使公司能夠釋放氮化鎵的全部潛力。在收購(gòu)GaN Systems近一年后，英飛凌掌握了硅、碳化硅和氮化鎵三種相關(guān)材料的技術(shù)?！?/p> 
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英飛凌利用現(xiàn)有成熟生產(chǎn)12英寸硅晶圓和8英寸氮化鎵晶圓的能力，公司已成功在奧地利維拉赫的功率工廠中現(xiàn)有的12英寸硅晶圓生產(chǎn)線(xiàn)上制造12英寸氮化鎵晶圓。
后續(xù)，英飛凌將根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)一步擴(kuò)大GaN產(chǎn)能。英飛凌表示，12英寸氮化鎵晶圓的生產(chǎn)將使英飛凌在不斷增長(zhǎng)的氮化鎵市場(chǎng)中占據(jù)有利地位。
據(jù)集邦咨詢(xún)最新的《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。
目前，英飛凌正在推動(dòng)12英寸氮化鎵技術(shù)，以加強(qiáng)現(xiàn)有的解決方案和應(yīng)用領(lǐng)域，并使新的解決方案和應(yīng)用領(lǐng)域具有越來(lái)越高的成本效益價(jià)值主張，并能夠滿(mǎn)足客戶(hù)系統(tǒng)的全方位需求。后續(xù)，英飛凌將于2024年11月在慕尼黑舉辦的電子展（electronica）上向公眾展示首批12英寸氮化鎵晶圓。
英飛凌表示，12英寸氮化鎵技術(shù)的一大優(yōu)勢(shì)是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備，這是因?yàn)榈壓凸璧闹圃旃に嚪浅Ｏ嗨啤Ｓw凌現(xiàn)有的大規(guī)模12英寸硅晶圓生產(chǎn)線(xiàn)是試點(diǎn)可靠氮化鎵技術(shù)的理想選擇，有利于加快實(shí)施速度并有效利用資金。
全面規(guī)模化量產(chǎn)12英寸氮化鎵生產(chǎn)將有助于氮化鎵在RDS(on)水平上與硅的成本平價(jià)，這意味著同類(lèi)硅和氮化鎵產(chǎn)品的成本持平。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）
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