大會背景
半導體材料作為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的重要基石，已經(jīng)上升到大國科技競爭的核心領(lǐng)域。隨著新能源、5G通訊、人工智能以及低空經(jīng)濟等先進生產(chǎn)力的快速發(fā)展，對半導體材料的需求急劇增長，然而硅基半導體材料正面臨著摩爾定律逼近物理極限的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)并繼續(xù)推動信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與高速發(fā)展，全球科技界和產(chǎn)業(yè)界亟需打破傳統(tǒng)材料的限制，從材料或結(jié)構(gòu)角度出發(fā)，積極探索新一代半導體材料或運用先進封裝技術(shù)，以期開創(chuàng)行業(yè)新篇章。
在此背景下，第2屆第三代半導體及先進封裝技術(shù)創(chuàng)新大會暨先進半導體展應(yīng)運而生。大會以“‘芯’材料·新領(lǐng)航”為主題，聚焦于第三代半導體與先進封裝技術(shù)的發(fā)展新機遇。通過集結(jié)全球智慧，共同研討并引領(lǐng)創(chuàng)新路徑，致力于從應(yīng)用需求出發(fā)，逆向推動相關(guān)技術(shù)的研發(fā)。同時，通過產(chǎn)學研的緊密結(jié)合，推動先進電子產(chǎn)業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新。此次大會能激發(fā)出更多的創(chuàng)新思維，加強行業(yè)間的合作，為電子信息產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力。
組織單位
大會主題
“芯”材料 新領(lǐng)航
主辦單位
中國生產(chǎn)力促進中心協(xié)會新材料專業(yè)委員會
DT新材料
聯(lián)合主辦
深圳市寶安區(qū)半導體行業(yè)協(xié)會
支持單位
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
粵港澳大灣區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟
橫琴粵澳深度合作區(qū)半導體行業(yè)協(xié)會
香港科技大學深港協(xié)同創(chuàng)新研究院
香港城市大學深圳研究院
香港青年科學家協(xié)會
北京大學深圳系統(tǒng)芯片設(shè)計重點實驗室
協(xié)辦單位
深圳市半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進會
深圳市集成電路行業(yè)協(xié)會
深圳先進電子材料國際創(chuàng)新研究院
粵港澳大灣區(qū)先進電子材料技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
陜西省半導體行業(yè)協(xié)會
山東省半導體行業(yè)協(xié)會
承辦單位
深圳市德泰中研信息科技有限公司
支持媒體
DT新材料、DT芯材、DT半導體、洞見熱管理、 Carbontech、《半導體芯科技》、《化合物半導體》、 芯師爺、21ic 電子網(wǎng)、芯榜、電子發(fā)燒友、夯邦、集邦化合物半導體
時間地點
2024年11月6—8日 深圳國際會展中心（寶安）
日程安排
大會議題
主論壇：“芯”材料 新領(lǐng)航
（1）宏觀政策解讀
（2）科技前沿新突破
（3）產(chǎn)業(yè)進展與趨勢
（4）產(chǎn)業(yè)投資分析與方向
圓桌對話： AI和新能源風口下的“芯”機遇與挑戰(zhàn)
「先進封裝技術(shù)」分論壇：搶抓AI新機遇
（1）AI時代先進封裝及Chiplet應(yīng)用專場
AI時代先進封裝發(fā)展與產(chǎn)業(yè)趨勢解析
Chiplet高密度集成技術(shù)賦能AI算力提升
2.5D/3D封裝設(shè)計仿真驗證
高精度裝備創(chuàng)新助推先進封裝產(chǎn)業(yè)騰飛
先進封裝精密檢測設(shè)備創(chuàng)新應(yīng)用
圓桌對話： Chiplet互聯(lián)接口標準化落地問題探討
（2）先進封裝互連技術(shù)專場
AI芯片互連技術(shù)創(chuàng)新及挑戰(zhàn)
3D 堆疊技術(shù)中硅通孔（TSV）刻蝕與填充
3D封裝晶圓減薄中如何解決翹曲、裂片問題
先進封裝互連低溫燒結(jié)焊料的應(yīng)用
三維互連熱管理創(chuàng)新解決方案與材料選擇
多芯片高速互連接口設(shè)計挑戰(zhàn)對策與EDA解決方案
（3）面板級封裝關(guān)鍵設(shè)備及材料機遇專場
板級封裝技術(shù)成本優(yōu)勢與發(fā)展前景
面板廠商設(shè)備升級切入板級封裝的機遇
板級封裝貼片機技術(shù)突破與市場機遇
探索TGV技術(shù)推動PLP面板級封裝創(chuàng)新與發(fā)展
高端環(huán)氧樹脂技術(shù)創(chuàng)新與突破
圓桌論壇：板級封裝國產(chǎn)設(shè)備和材料新機遇
（4）TGV玻璃基板專場
先進封裝特種平板玻璃材料創(chuàng)新與應(yīng)用
玻璃通孔（TGV）技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展
玻璃通孔工藝挑戰(zhàn)和解決方案
玻璃基板電鍍重布線技術(shù)解析與探索
激光通孔技術(shù)加速TGV產(chǎn)業(yè)化落地
高密度玻璃載板：ROS技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用探索
「碳化硅半導體」分論壇：800伏快充卷動碳化硅風云
（1）800V高壓快充碳化硅市場與應(yīng)用專場
碳化硅功率器件在新能源車端的應(yīng)用
800V高壓電氣拓撲結(jié)構(gòu)設(shè)計
從高壓快充看碳化硅在電力設(shè)備中的運用
車規(guī)級碳化硅芯片/器件制造技術(shù)突破及應(yīng)用進展
碳化硅器件耐用性檢驗——芯片研發(fā)環(huán)節(jié)高溫門極偏置測試
圓桌對話：800V高壓快充碳化硅市場機遇與挑戰(zhàn)！
（2）800V高壓快充碳化硅特色封裝及可靠性驗證專場
碳化硅模塊封裝如何提升耐高溫能力——SiC特色封裝設(shè)計路線
車規(guī)級碳化硅封裝可靠性測試與驗證
碳化硅功率模塊封裝用關(guān)鍵設(shè)備及核心技術(shù)
碳化硅功率器件封裝用高熱導率陶瓷基板
碳化硅功率器件封裝用低電阻率的金屬連接件、燒結(jié)銀/銅工藝
耐高壓封裝絕緣材料、熱管理材料突破
功率模塊設(shè)計與仿真流程
（3）碳化硅晶圓（襯底與外延片）專場
8 inch SiC外延片生長技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化進展
大尺寸襯底制造難點及技術(shù)突破
碳化硅晶圓切割良率提升及翹曲防范——激光切割
8 inch碳化硅晶圓磨拋工藝方案
碳化硅垂直式6/8英寸兼容外延設(shè)備國產(chǎn)解決方案
CVD SiC陶瓷材料在半導體行業(yè)的應(yīng)用和發(fā)展
襯底片、外延片的精確測量方案
（4）碳化硅晶體生長專場
8英寸碳化硅晶體生長良率與速率控制
8英寸碳化硅晶體生長位錯控制
長晶爐設(shè)計及關(guān)鍵參數(shù)控制
熱場設(shè)計、晶體制備工藝設(shè)計——控溫技術(shù)及設(shè)備
碳化硅晶體缺陷控制——快速退火爐及技術(shù)應(yīng)用
「氮化鎵半導體」分論壇：氮化鎵AI時代開疆拓土
（1）氮化鎵功率器件設(shè)計與制造技術(shù)專場
高性能氮化鎵功率器件設(shè)計
高可靠性氮化鎵功率器件研究
氮化鎵功率器件制造關(guān)鍵挑戰(zhàn)和解決方案
氮化鎵功率器件創(chuàng)新封裝技術(shù)研究進展
氮化鎵功率器件測試技術(shù)挑戰(zhàn)及實踐
（2）氮化鎵半導體材料與設(shè)備專場
氮化鎵單晶襯底生長研究
氮化鎵晶體生長HVPE爐研究進展
功率器件用氮化鎵外延技術(shù)研究及展望
氮化鎵外延翹曲、裂紋挑戰(zhàn)與解決策略
氮化鎵外延MOCVD設(shè)備進展和突破
（3）數(shù)據(jù)中心氮化鎵功率器件應(yīng)用專場
數(shù)據(jù)中心功率器件應(yīng)用趨勢與變化（需求）
數(shù)據(jù)中心開關(guān)電源技術(shù)的挑戰(zhàn)
氮化鎵功率器件在數(shù)據(jù)中心電源的應(yīng)用實踐
數(shù)據(jù)中心氮化鎵功率器件創(chuàng)新方案
工業(yè)級氮化鎵功率器件可靠性驗證
圓桌對話：數(shù)據(jù)中心氮化鎵方案創(chuàng)新與應(yīng)用發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)
（4）氮化鎵功率器件多元應(yīng)用發(fā)展專場
氮化鎵大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵因素
氮化鎵器件在車載OBC中的應(yīng)用及技術(shù)創(chuàng)新
應(yīng)用于光伏微逆變器的氮化鎵功率器件整體方案
高壓氮化鎵功率器件為應(yīng)用創(chuàng)造更多可能性
可靠性驗證創(chuàng)新方案加速氮化鎵功率器件應(yīng)用
多物理場仿真在氮化鎵可靠性驗證領(lǐng)域的應(yīng)用
圓桌對話：氮化鎵功率器件可靠性驗證標準建設(shè)
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地 址：深圳市寶安區(qū)福永街道龍王古廟工業(yè)區(qū)深圳先進電子材料國際創(chuàng)新研究院1棟1201
