8月14日，據(jù)外媒報道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內(nèi)在印度建立三個半導體制造工廠，分別專注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。
LTSCT為L&T的全資子公司，是一家無晶圓廠公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋MEMS傳感器、功率、模擬混合信號和射頻產(chǎn)品，以支持汽車、工業(yè)、能源和電信領(lǐng)域。
公司首席執(zhí)行官Sandeep Kumar表示，LTSCT從類似高通或聯(lián)發(fā)科的系統(tǒng)級芯片（SoC）設(shè)計公司向芯片制造實體的轉(zhuǎn)型，將建立在公司實現(xiàn)10億美元營收目標的基礎(chǔ)之上。LTSCT預(yù)估這一營收目標將在未來2~3年內(nèi)實現(xiàn)，屆時將著手建設(shè)晶圓廠。
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Kumar進一步解釋道，該公司涉足各種技術(shù)，包括高端硅芯片以及中低端碳化硅和氮化鎵芯片。因此，隨著時間的推移，公司計劃建立三個不同的晶圓廠，每個晶圓廠都需要不同程度的投資。資金分配方面，LTSCT對硅的投資或?qū)⒊^100億美元，對碳化硅的投資額在10億美元以上，對氮化鎵的投資額則在5億美元左右。
“在硅材料方面，所有合作伙伴的細節(jié)都已就緒。在氮化鎵方面，已經(jīng)完成了一半工作，而碳化硅方面，在未來三個月內(nèi)，公司將確定與誰合作。”Kumar補充道。
據(jù)悉，LTSCT的碳化硅芯片由兩家日本合作伙伴生產(chǎn)，而基于氮化鎵的射頻和功率器件芯片將由格芯和中國臺灣的世界先進生產(chǎn)。（集邦化合物半導體Rick編譯）
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