據(jù)韓媒報(bào)道，Apro Semicon 24日宣布，公司已開(kāi)發(fā)出8英寸1200V硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片，并預(yù)計(jì)今年年底大規(guī)模投產(chǎn)。
報(bào)道稱，繼2021年引進(jìn)對(duì)8英寸GaN的發(fā)展至關(guān)重要的MOCVD設(shè)備之后，Apro Semicon一直在推動(dòng)GaN外延片的開(kāi)發(fā)。經(jīng)過(guò)約三年的研發(fā)，該公司成功開(kāi)發(fā)出了8英寸1200V GaN外延片。據(jù)介紹，該產(chǎn)品的可承受的最高電壓（擊穿電壓）為1600V，可實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換，而且外延片厚度和均勻性的質(zhì)量已提高到99%。
據(jù)悉，Apro Semicon最初計(jì)劃開(kāi)發(fā)GaN外延片是為了供應(yīng)給母公司Apro，用于其二次電池活化設(shè)備。然而，由于最近快速充電器、電源和汽車(chē)電子等產(chǎn)品對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的需求擴(kuò)大，該公司決定拓寬目標(biāo)市場(chǎng)，并開(kāi)始與多家系統(tǒng)制造商展開(kāi)全面合作。
除功率半導(dǎo)體外，Apro Semicon還在開(kāi)發(fā)用于射頻(RF)器件的外延片。據(jù)報(bào)道，該公司正在與韓國(guó)國(guó)內(nèi)射頻半導(dǎo)體公司進(jìn)行“GaN on SiC”外延片的樣品測(cè)試。
在融資方面，繼去年成功獲得50億韓元（折合人民幣約2600萬(wàn)元）的A輪投資后，Apro Semicon今年正在進(jìn)行500億韓元（折合人民幣約2.6億元）的B輪融資，用以加速GaN外延片的大規(guī)模生產(chǎn)。
Apro Semicon在建的龜尾GaN外延工廠（source：Apro Semicon）
Apro Semicon在最近獲得了約100億韓元（折合人民幣約5200萬(wàn)元）的融資，這筆款項(xiàng)計(jì)劃用來(lái)引進(jìn)新的MOCVD設(shè)備，以進(jìn)一步投資其位于龜尾的GaN外延片量產(chǎn)工廠。公司的龜尾工廠已于今年10月竣工，并將于年底投入運(yùn)營(yíng)。這里生產(chǎn)的外延片將與DB HiTeK（東部高科）等代工廠合作，生產(chǎn)GaN半導(dǎo)體芯片。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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