6月28日，據(jù)蘇州納米城官微消息，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱鎵仁半導體）近日與蘇州邁姆思半導體科技有限公司（以下簡稱邁姆思）于杭州簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在先進半導體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域展開深度合作。
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據(jù)悉，邁姆思將與鎵仁半導體協(xié)作實現(xiàn)SiC和氧化鎵的鍵合，用SiC出色的散熱性能來彌補氧化鎵散熱性能的不足，同時通過氧化鎵和硅的鍵合，大幅度降低成本，推動氧化鎵作為功率器件的量產(chǎn)化。
據(jù)了解，本次合作是將第三代半導體材料與第四代半導體材料進行融合研發(fā)的戰(zhàn)略合作。
官網(wǎng)資料顯示，鎵仁半導體成立于2022年9月，是一家專注于超寬禁帶半導體材料氧化鎵研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的廠商。
技術(shù)研發(fā)方面，鎵仁半導體開創(chuàng)了氧化鎵單晶生長新技術(shù)，擁有國際、國內(nèi)發(fā)明專利十余項，突破了美國、德國、日本等西方國家在氧化鎵襯底材料上的壟斷和封鎖。
產(chǎn)品方面，鎵仁半導體產(chǎn)品包括不同尺寸、晶向和電阻率的氧化鎵拋光片，可定制的氧化鎵籽晶等，主要應(yīng)用于面向國家電網(wǎng)、新能源汽車、軌道交通、5G通信等領(lǐng)域的電力電子器件。目前，鎵仁半導體已掌握從設(shè)備開發(fā)、熱場設(shè)計、晶體生長、晶體加工等全鏈條的核心技術(shù)，可提供完全具有自主知識產(chǎn)權(quán)的氧化鎵襯底。
今年4月9日，鎵仁半導體宣布正式推出2英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底。鎵仁半導體指出，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)：（010）襯底熱導率較高，有利于提升功率器件性能；（010）襯底還具有較快的外延生長速率。
邁姆思則于2022年在蘇州工業(yè)園區(qū)建立公司總部作為生產(chǎn)中心，用于大規(guī)模量產(chǎn)SOI晶圓和開發(fā)新的晶圓材料。邁姆思在國外已經(jīng)研究開發(fā)SOI晶圓材料超過15年，并在技術(shù)上取得了實質(zhì)性進展，填補了國內(nèi)在SOI加工領(lǐng)域高級工藝技術(shù)的空白。（集邦化合物半導體Zac整理）
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