36萬片,長飛先進碳化硅項目披露最新進展

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 05 月 08 日 17:10 | 分類 企業(yè)

近日,SiC功率半導(dǎo)體制造基地——武漢長飛先進半導(dǎo)體基地項目成功完成首榀桁架吊裝,標志著項目鋼結(jié)構(gòu)施工全面展開。該項目鋼結(jié)構(gòu)建設(shè)內(nèi)容包括鋼結(jié)構(gòu)大跨度桁架屋面2座、大跨度連廊5座、超長管廊1座,單榀桁架最重25噸,最大跨度33.7米。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉,該項目位于湖北省武漢市,總建筑面積約25.15萬平米,建成后預(yù)計年產(chǎn)6英寸SiC MOSFET晶圓36萬片、功率器件模塊6100萬個,將覆蓋新能源汽車、光儲充、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。

作為該項目主導(dǎo)方,長飛先進去年5月明確提出“All in SiC-十年黃金賽道”的發(fā)展戰(zhàn)略,全面布局SiC產(chǎn)業(yè)。項目方面,長飛先進去年8月與武漢東湖高新區(qū)管委會正式簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議。一個月后,長飛先進半導(dǎo)體武漢基地開工。該項目總投資預(yù)計200億元,一期投資100億元,可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓,包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等,一期項目預(yù)計2025年建設(shè)完成。

產(chǎn)品方面,長飛先進擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V Gen3 SiC MOSFET設(shè)計及工藝平臺,15mΩ產(chǎn)品比導(dǎo)通電阻(Ron,sp)已達3.4mΩ·cm2,躋身國際先進水平。此外,長飛先進基于該平臺的主驅(qū)SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品良率達80%。

合作方面,據(jù)透露,長飛先進正在籌建SiC功率器件應(yīng)用實驗室,計劃與安徽省內(nèi)新能源產(chǎn)業(yè)深化合作,協(xié)同發(fā)展,合力打造SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。

作為SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造廠商,長飛先進具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力,可年產(chǎn)6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管,目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。