提升良率,科友半導(dǎo)體開展8英寸SiC完美籽晶項目

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 04 月 03 日 18:00 | 分類 企業(yè)

科友半導(dǎo)體近期剛剛與歐洲一家國際知名企業(yè)簽訂金額超2億元人民幣長單,近日其又與一家歐洲公司圍繞完美籽晶研發(fā)達成戰(zhàn)略合作。

據(jù)“科友半導(dǎo)體”官微消息,3月27日,科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,開展“8英寸SiC完美籽晶”項目合作。據(jù)稱,俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制方面有著豐富的研究經(jīng)驗,在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表高水平文章及期刊百余篇。

source:科友半導(dǎo)體

科友半導(dǎo)體提升技術(shù)壁壘

據(jù)悉,通過與俄羅斯N公司合作,科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無微管,低位錯”完美籽晶,而應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進行晶體生長,能夠大幅降低8英寸SiC晶體內(nèi)部的微管、位錯等缺陷密度,從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率,并推動SiC長晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級。

此前,科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%,晶體厚度15mm以上。本次與俄羅斯N公司合作,有望推動科友半導(dǎo)體在SiC技術(shù)升級進程中再一次實現(xiàn)突破。

作為一家主要從事半導(dǎo)體材料研發(fā)、晶體材料生長、半導(dǎo)體材料器件加工生產(chǎn)的廠商,科友半導(dǎo)體近年來在火熱的SiC領(lǐng)域持續(xù)取得重大技術(shù)進展。作為SiC賽道“多面手”,科友半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)覆蓋了長晶工藝、襯底加工、裝備研制等多個領(lǐng)域。

材料領(lǐng)域,科友半導(dǎo)體在2022年底通過自主設(shè)計制造的電阻長晶爐產(chǎn)出直徑超過8英寸的SiC單晶,晶體表面光滑無缺陷,這是科友半導(dǎo)體繼2022年10月在6英寸SiC晶體厚度上實現(xiàn)40mm突破后,在SiC晶體生長尺寸和襯底尺寸上取得的新突破。

隨后在2023年2月14日舉辦的寬禁帶半導(dǎo)體材料技術(shù)成果鑒定會上,科友半導(dǎo)體“8英寸SiC長晶設(shè)備及工藝”通過中國電子學(xué)會科技成果鑒定。2023年12月,科友半導(dǎo)體承擔(dān)的“8英寸SiC襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目通過階段驗收評審。評審專家組認為,科友半導(dǎo)體成功獲得了8英寸SiC單晶生長的新技術(shù)和新工藝,一致同意項目通過階段驗收評審。

據(jù)了解,“8英寸SiC襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目旨在推動8英寸SiC裝備國產(chǎn)化和SiC襯底產(chǎn)業(yè)化,獲得高性能8英寸SiC長晶裝備和低缺陷SiC襯底,具備批量制備能力并形成自主知識產(chǎn)權(quán)。項目通過評審,意味著科友半導(dǎo)體具有自主知識產(chǎn)權(quán)的8英寸SiC襯底已初步具備量產(chǎn)能力,躋身研發(fā)8英寸的主流SiC襯底廠商行列。

設(shè)備領(lǐng)域,科友半導(dǎo)體8英寸襯底產(chǎn)品使用的是自主研發(fā)的電阻式SiC長晶爐,該型設(shè)備長出的晶體具有應(yīng)力低、品質(zhì)高、一致性好等特點。經(jīng)過長期實驗對比,電阻爐更適合大尺寸晶體生長,其設(shè)備穩(wěn)定性好、爐次重復(fù)性高、晶體成品率高、晶體缺陷少。

得益于電阻式SiC長晶爐,科友半導(dǎo)體開發(fā)的8英寸SiC材料裝備及工藝被中國電子學(xué)會組織的專家委員會評為“國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進水平”,科友半導(dǎo)體也成為國內(nèi)首家基于電阻式長晶爐制備獲得8英寸SiC單晶的廠商。

國內(nèi)主流廠商8英寸技術(shù)進展

在SiC產(chǎn)業(yè)6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型趨勢下,包括科友半導(dǎo)體在內(nèi)的各大SiC襯底頭部廠商紛紛聚焦8英寸,并在技術(shù)方面各有千秋。

其中,天岳先進采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體,通過熱場、溶液設(shè)計和工藝創(chuàng)新突破了SiC單晶高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題。天岳先進采用最新技術(shù)制備的晶體厚度已突破60mm,對提升產(chǎn)能有積極意義。

天科合達研發(fā)團隊使用物理氣相傳輸法(PVT)通過擴徑技術(shù)制備出8英寸4H-SiC單晶,并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準8英寸SiC單晶襯底。

湖南三安依托精準熱場控制的自主PVT工藝,實現(xiàn)8英寸SiC襯底更低成本及更低缺陷密度,后續(xù)將持續(xù)提升良率。

南砂晶圓與山東大學(xué)合作,使用物理氣相傳輸法實現(xiàn)了近“零螺位錯(TSD)”密度和低基平面位錯(BPD)密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備,其中螺位錯密度為0.55cm-2,基平面位錯密度為202cm-2。研究團隊認為,近“零TSD”和低BPD密度的8英寸SiC襯底制備,有助于加快國產(chǎn)8英寸SiC襯底的產(chǎn)業(yè)化進程。

晶盛機電解決了8英寸SiC晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題。目前,晶盛機電已實現(xiàn)8英寸單片式SiC外延生長設(shè)備的自主研發(fā)與調(diào)試,外延的厚度均勻性1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性4%以內(nèi),已達到行業(yè)先進水平。

合盛硅業(yè)則在8英寸SiC襯底方面完整掌握了SiC材料的原料合成、晶體生長襯底加工等全產(chǎn)業(yè)鏈核心工藝技術(shù),突破了關(guān)鍵材料多孔石墨、涂層材料和裝備的技術(shù)壁壘。

此外,爍科晶體、同光股份、乾晶半導(dǎo)體、超芯星、粵海金、東尼電子、天成半導(dǎo)體等廠商也已經(jīng)涉足8英寸SiC襯底,未來,有望誕生更多8英寸襯底材料、設(shè)備等方面的先進技術(shù),推動國產(chǎn)化進程。

小結(jié)

TrendForce集邦咨詢此前表示,從6英寸升級到8英寸,襯底的加工成本有所增加,但可以提升芯片產(chǎn)量,8英寸能夠生產(chǎn)的芯片數(shù)量約為6英寸SiC晶圓的1.8倍,向8英寸轉(zhuǎn)型,是降低SiC器件成本的可行之法。同時8英寸襯底厚度增加有助于在加工時保持幾何形狀,減少邊緣翹曲度,降低缺陷密度,從而提升良率,采用8英寸襯底能夠大幅降低單位綜合成本。

各大廠商積極布局8英寸,技術(shù)方面持續(xù)突破,有助于推動良率提升,對于未來8英寸大規(guī)模普及意義重大。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)

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