南砂晶圓:擬打造全國(guó)最大8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 03 月 22 日 8:56 | 分類(lèi) 企業(yè)

近日,南砂晶圓總經(jīng)理王垚浩在接受采訪時(shí)表示,公司正在積極擴(kuò)產(chǎn)濟(jì)南廠區(qū),計(jì)劃將中晶芯源打造成為全國(guó)最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地,投資額15億元,于2025年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)。

source:南砂晶圓

據(jù)悉,南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項(xiàng)目于2023年6月12日落地山東濟(jì)南,成立于2023年5月的中晶芯源是該項(xiàng)目的主建方。今年1月30日,中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式備案。

項(xiàng)目方面,南砂晶圓還在廣州南沙區(qū)布局了SiC項(xiàng)目,總投資9億元,該項(xiàng)目2023年4月已經(jīng)試投產(chǎn),達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)各類(lèi)襯底片和外延片共20萬(wàn)片。

產(chǎn)品方面,2021年,南砂晶圓正式啟動(dòng)導(dǎo)電型襯底研發(fā);2022年9月,南砂晶圓聯(lián)合山東大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備,采用物理氣相傳輸法(PVT)擴(kuò)徑制備了8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶,并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC襯底;2023年南砂晶圓導(dǎo)電型襯底對(duì)部分客戶進(jìn)入批量供貨階段。

技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè)持續(xù)深化助推南砂晶圓受到資本市場(chǎng)青睞,自2021年以來(lái),南砂晶圓已相繼完成5輪融資,投資方包括華民基金、華訊方舟基金、揚(yáng)子江基金、魯信創(chuàng)投、渾璞投資、鼎心資本、中廣投資等機(jī)構(gòu)。

隨著中晶芯源8英寸SiC項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn),南砂晶圓8英寸SiC襯底產(chǎn)能有望位居行業(yè)前列。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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