3月4日，中國振華（集團）科技股份有限公司（下文簡稱“振華科技”）在投資者關系平臺表示，“十四五”期間，公司大力發(fā)展以SiC、GaN為代表的第三代半導體。SiC方面，未來公司將具備芯片自主設計、封測能力，實現(xiàn)SiC SBD系列產品自制，同時開展SiC VDMOS系列產品的設計開發(fā)工作，形成SiC VDMOS設計能力。
據(jù)公開資料顯示，振華科技成立于1997年，前身是國家“三線”建設的軍工電子083基地，歷經(jīng)二十多年發(fā)展已經(jīng)成為國內電子元器件行業(yè)的龍頭企業(yè)。目前公司主營業(yè)務涉及基礎元器件、混合集成電路、電子功能材料等門類。
source：振華科技
值得一提的是，振華科技既是國內軍用電子元器件龍頭企業(yè)，也是CEC旗下振華集團的唯一上市平臺。
根據(jù)振華科技2023年第三季報顯示，去年前三季度公司營收約60.29億元，同比增長5.76%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約為20.58億元，同比增長10.45%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤約為19.98億元，同比增長9.37%。
據(jù)悉，SiC SBD憑借優(yōu)異的電氣特性，如高耐壓、低正向壓降、快速恢復時間等，可以應用于電動汽車、充電樁、光伏逆變器、高鐵和智能電網(wǎng)、工業(yè)級電源以及電源管理等領域之中，應用前景廣、需求大。
振華科技此舉有望加速國內SiC器件應用的普及化，提升本土SiC功率器件自給率。
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