Transphorm近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備市場(chǎng)上主流的代工e-mode氮化鎵缺乏的高壓動(dòng)態(tài)(開(kāi)關(guān))導(dǎo)通電阻可靠性。
source:Transphorm
據(jù)介紹，這三款表面貼裝型器件(SMD)可支持平均運(yùn)行功率范圍為1至3千瓦的較高功率應(yīng)用，這樣的電力系統(tǒng)常用于高性能領(lǐng)域，如計(jì)算（人工智能、服務(wù)器、電信、數(shù)據(jù)中心）、能源和工業(yè)（光伏逆變器、伺服電機(jī)）以及其他廣泛的工業(yè)市場(chǎng)。值得關(guān)注的是，該新型功率器件是目前快速發(fā)展的人工智能(AI)系統(tǒng)最佳解決方案，AI系統(tǒng)依賴于GPU，而GPU的功耗是傳統(tǒng)CPU的10到15倍。
該650V SuperGaN TOLL 封裝器件性能穩(wěn)健，且已獲得JEDEC資格認(rèn)證。由于常閉型d-mode平臺(tái)是將GaN HEMT與低電壓硅管配對(duì)，因此，SuperGaN FET 可以簡(jiǎn)單的選擇使用常用市售柵極驅(qū)動(dòng)，應(yīng)用于各種軟/硬開(kāi)關(guān)的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓?fù)渲?，提高功率密度，同時(shí)減小系統(tǒng)尺寸、重量和總成本。
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目前，各種高性能領(lǐng)域的主流客戶開(kāi)始采用Transphorm的高功率氮化鎵器件，為其高性能系統(tǒng)提供電力支持，應(yīng)用領(lǐng)域包括數(shù)據(jù)中心電源、高功率電競(jìng)PSU、UPS和微型逆變器等。在核心SuperGaN芯片通過(guò)汽車(chē)行業(yè)(AEC-Q101)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證后，新型TOLL封裝器件也能夠用于電動(dòng)汽車(chē)的DC-DC轉(zhuǎn)換器和車(chē)載充電器應(yīng)用。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。
許多廠商早已將目光轉(zhuǎn)向工業(yè)市場(chǎng)，其中數(shù)據(jù)中心為關(guān)鍵場(chǎng)景。ChatGPT已掀起AI云端服務(wù)器建置浪潮，GaN將助力數(shù)據(jù)中心降低運(yùn)營(yíng)成本，并提高服務(wù)器運(yùn)行效率。
與此同時(shí)，汽車(chē)市場(chǎng)亦不容忽視，OEM與Tier1早已察覺(jué)GaN潛力所在，預(yù)計(jì)至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，再遠(yuǎn)到2030年，OEM或考慮將該技術(shù)移入到牽引逆變器。
對(duì)于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局，以去年GaN功率元件業(yè)務(wù)營(yíng)收來(lái)看，市場(chǎng)基本由Power integrations、Navitas、英諾賽科、EPC、GaN Systems、Transphorm所占據(jù)。近期，Infineon完成了對(duì)GaN Systems的收購(gòu)，這對(duì)目前市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局有何影響，還得看后續(xù)企業(yè)動(dòng)作。
化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Rick整理
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