7月16日，微導(dǎo)納米發(fā)布官方消息，公司的首臺(tái)半導(dǎo)體CVD薄膜沉積設(shè)備順利發(fā)貨。微導(dǎo)納米的iTronix?系列CVD薄膜沉積設(shè)備，主要用于制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等不同種類薄膜，可應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝、顯示器件以及化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域芯片制造。
CVD設(shè)備需求提升
薄膜沉積分為物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）兩大類，前者使用物理的方法（如蒸發(fā)、濺射等）使鍍膜材料汽化，在基體表面沉積成膜，后者則利用氣態(tài)或蒸汽態(tài)的物質(zhì)在氣相或氣固界面上發(fā)生反應(yīng)生成固態(tài)沉積物。
當(dāng)前SiC薄膜生長(zhǎng)主要是以CVD為主，包括分子束外延、磁控濺射和脈沖激光淀積等,CVD的優(yōu)勢(shì)在于可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長(zhǎng)速度適中、過(guò)程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是目前已經(jīng)成功商業(yè)化的SiC外延技術(shù)。
評(píng)價(jià)一款碳化硅CVD的核心指標(biāo)，主要從外延生長(zhǎng)性能（厚度均勻性、摻雜均勻性、缺陷率和生長(zhǎng)速率），設(shè)備本身溫度性能（升溫/降溫速率、最高溫度、溫度均勻性），和設(shè)備性價(jià)比三個(gè)方面進(jìn)行評(píng)判。
從整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)來(lái)看，當(dāng)前國(guó)內(nèi) CVD 的國(guó)產(chǎn)化率還處于較低水平，從整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)來(lái)看，美國(guó)的應(yīng)用材料（Applied Materials）、泛林（Lam Research）和日本的東京電子（TEL）是全球CVD的主要供應(yīng)商。
而在碳化硅領(lǐng)域，僅考慮外延環(huán)節(jié)，CVD設(shè)備的主要供應(yīng)商為德國(guó)的Aixtron、意大利的LPE、日本的東京電子（TEL）和Nuflare。
且根據(jù)相關(guān)信息，6英寸外延設(shè)備集中在意大利的LPE 和日本的 NuFlare，而 NuFlare主要是供給Wolfspeed 和 II-VI（更名為Coherent），且數(shù)量?jī)H為十余臺(tái)每年，其在中國(guó)出售已經(jīng)排至 2023下半年，每臺(tái)設(shè)計(jì)產(chǎn)能為 1800 片/月。日本東京電子（TEL）的設(shè)備主要采用雙腔體，對(duì)提高產(chǎn)量有一定的作用，但因價(jià)格和技術(shù)IP等問(wèn)題，較少出現(xiàn)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中。
國(guó)產(chǎn)碳化硅外延設(shè)備最新進(jìn)展
今年2月，晶盛機(jī)電發(fā)布了6英寸雙片式SiC外延設(shè)備，該設(shè)備通過(guò)對(duì)反應(yīng)室石墨件的改造，采用上下層疊加的方式，單爐可以生長(zhǎng)兩片外延片，且上下層工藝氣體可以單獨(dú)調(diào)控，溫差≤5℃，有效彌補(bǔ)了單片水平式外延爐產(chǎn)能不足的劣勢(shì)。
5月，粵升公司宣布其自主研發(fā)的4/6吋SiC外延設(shè)備，已無(wú)故障連續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行近300小時(shí)，生長(zhǎng)的4/6吋SiC外延片質(zhì)量均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，滿足MOSFET和SBD器件的制備要求。
同月，“長(zhǎng)城控股招標(biāo)中心”發(fā)文稱，其已啟動(dòng)“精工自動(dòng)化碳化硅外延廠房改造設(shè)計(jì)項(xiàng)目”，目前正在進(jìn)行招標(biāo)工作。
此外，鹽城市鹽都區(qū)人民政府報(bào)道提到，漢印機(jī)電2022年投資了10億元，啟動(dòng)漢印半導(dǎo)體裝備項(xiàng)目，新上40臺(tái)（套）第三代半導(dǎo)體碳外延設(shè)備，可年產(chǎn)20萬(wàn)片碳化硅外延片。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jump）
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