6月6日，在東南大學建校121周年紀念日上，揚杰科技宣布與東南大學簽署合作協(xié)議，組建“東南大學—揚杰科技寬禁帶功率器件技術聯(lián)合研發(fā)中心”。
基于此研發(fā)中心，雙方將在功率半導體領域（尤其是寬禁帶功率器件領域）進行深層次合作，開發(fā)世界級水平、具有自主知識產(chǎn)權的、符合市場與應用需求的功率半導體芯片，包括發(fā)展戰(zhàn)略研究、硅基功率器件設計、寬禁帶功率器件設計等項目的開展，加速功率半導體芯片設計及應用等研究成果的產(chǎn)業(yè)化。
01、揚杰科技深耕功率半導體
除了此次與東南大學共建研發(fā)中心之外，揚杰科技近期還表示，因公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，計劃與揚州市邗江區(qū)人民政府簽署了《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，擬投資新建6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線項目，總投資約10億元。
該項目分兩期實施建設，項目全部建成投產(chǎn)后，形成碳化硅6英寸晶圓產(chǎn)能5000片/月。項目位于揚州市邗江區(qū)汽車產(chǎn)業(yè)園新甘泉東路 56 號。項目新建廠房 27,000 平方米，其中高潔凈車間（光刻區(qū)十級、操作區(qū)百級）的凈化裝修預計在 4,500 平方米。
此外，在去年6月，揚杰科技以2.95億元收購中電科四十八所持有的楚微半導體40％股權，標的主要布局中高端功率器件。
今年2月，揚杰科技又以2.94億元收購楚微半導體30％股權，若收購成功，楚微半導體將成為揚杰科技的子公司。
詳細來看，楚微半導體主要在8英寸生產(chǎn)工藝平臺生產(chǎn)及銷售半導體功率器件芯片，產(chǎn)品主要包括高、中、低壓溝槽式MOSFET芯片和溝槽式光伏二極管芯片等，后續(xù)將向SiC碳化硅芯片等產(chǎn)品拓展。
02、東南大學加速科研成果產(chǎn)業(yè)化
而東南大學方面，在近幾年來一支在加速科研技術成果的落地，與揚杰科技成立研發(fā)中心是眾多落地項目之一。目前東南大學與不同企業(yè)共建來了25個校企聯(lián)合研發(fā)中心。在第三代半導體領域，東南大學還與紫金山實驗室、南京第三代半導體技術創(chuàng)新中心有限公司。
值得一提的是，去年12月，東南大學有兩項研究成果發(fā)表在電子器件領域頂會IEDM。第一項成果題為“41% Reduction In Power Stage Area On Silicon-On-Insulator Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT Platform With Newly Developed Multiple Deep-Oxide Trench Technology”，東南大學副研究員張龍、博士生馬杰為論文共同一作。
報道了一種具有多深度氧化溝槽（MDOT）的SOI基Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT技術（圖1），集成了550V高壓LIGBT、LDMOS、FWD及中低壓CMOS、BJT等器件，實現(xiàn)了高低壓隔離、高壓互連線屏蔽以及器件漂移區(qū)的大幅縮短。采用MDOT技術能夠?qū)纹芍悄芄β市酒械墓β始壝娣e縮小約41%。
（來源：東大電子）
第二項成果題為“Hybrid Gate p-GaN Power HEMTs Technology for EnhancedVth Stability”，東南大學博士生張弛為論文第一作者。
報道了一種提高第三代功率半導體p-GaN HEMT器件閾值電壓穩(wěn)定性的技術——p-GaN柵極混合接觸勢壘技術（圖2），利用勢壘較低的局部歐姆接觸形成的“電荷泄放”路徑，有效抑制了傳統(tǒng)p-GaN HEMT中存在的“電荷存儲”效應，在維持器件低柵漏電特性的前提下增強了器件閾值穩(wěn)定性。
該技術使得器件在200V、400V反偏應力下閾值電壓漂移量分別為0.07V與0.09V；在重復非鉗位感性負載應力沖擊下，閾值電壓漂移量僅為0.03V。
（來源：東大電子）
文：集邦化合物半導體 Jump整理
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。