【會(huì)議預(yù)告】泰科天潤(rùn):我們需要怎樣的SiC MOSFET

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 06 月 06 日 17:26 | 分類 企業(yè)

功率半導(dǎo)體器件是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。其中,MOSFET因其具有易于驅(qū)動(dòng)、開關(guān)速度快、損耗低等特點(diǎn),逐漸成為功率器件的主流產(chǎn)品。

與傳統(tǒng)的硅(Si)功率半導(dǎo)體相比,SiC MOSFET具有大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率三個(gè)最顯著特征,適用于大功率且高效的各類應(yīng)用,包括工業(yè)電源、太陽能逆變器和UPS等領(lǐng)域。

2023年6月15日,TrendForce集邦咨詢特在深圳福田JW萬豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”。

屆時(shí),泰科天潤(rùn) 應(yīng)用測(cè)試中心總監(jiān) 高遠(yuǎn)將出席,給大家?guī)怼段覀冃枰鯓拥腟iC MOSFET》主題演講,同場(chǎng)還有更多“重量級(jí)”嘉賓,給大家進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和未來。

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