近日，中科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）成功被大會接收。
中國科學院院士郝躍表示，氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一，在未來的10年左右，氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件，會直接與碳化硅器件競爭。業(yè)內(nèi)普遍認為，氧化鎵有望替代碳化硅和氮化鎵成為新一代半導體材料的代表。目前，各國的半導體企業(yè)都爭先恐后布局，氧化鎵正在逐漸成為半導體材料界一顆冉冉升起的新星。
公開資料顯示，氧化鎵擁有超寬帶隙（4.2-4.9eV）、超高臨界擊穿場強（8MV/cm）、超強透明導電性等優(yōu)異物理性能，導通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場強約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發(fā)電等領(lǐng)域在能源方面的消耗。
據(jù)NCT預測，到2030年氧化鎵晶圓的市場將達到約590億日元（約4.2億美元）。有數(shù)據(jù)顯示，到2030年，氧化鎵功率半導體市場規(guī)模將達15億美元。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
目前氧化鎵單晶襯底供應(yīng)方面，日本NCT公司占有全球90%以上的市場份額。國內(nèi)看，我國研究氧化鎵的機構(gòu)和高校較多，也取得了很多研究成果，有望在應(yīng)用場景和需求量逐漸明確之后，進行科技成果轉(zhuǎn)移。
據(jù)不完全統(tǒng)計，今年以來多家上市公司紛紛在互動易上披露氧化鎵相關(guān)業(yè)務(wù)研發(fā)情況，涉及公司包括中航機電、新湖中寶、中鋼國際、藍曉科技、南大廣電、阿石創(chuàng)等。
此外，中國西電子公司西電電力持股陜西半導體先導技術(shù)中心，該中心有進行氧化鎵、金剛石半導體、石墨烯、AIN等化合物半導體、化合物集成電路等創(chuàng)新性科研成果的轉(zhuǎn)化。
不過，值得注意的是，分析人士表示，目前約80%的研究機構(gòu)朝著功率器件的方向努力。但由于氧化鎵材料適用于高功率領(lǐng)域，這就意味著其下游應(yīng)用不能從消費電子開始，而需要從工業(yè)領(lǐng)域、新能源汽車等領(lǐng)域緩慢導入，因此氧化鎵下游應(yīng)用還需時間。（文：財聯(lián)社）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。