11月30日，南京百識電子科技有限公司（以下簡稱“百識電子”）二期項(xiàng)目簽約儀式在揚(yáng)州市江都區(qū)舉行。
江都經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)消息稱，百識電子項(xiàng)目分二期建設(shè)，總投資10億元，其中一期投資總額約6億元，產(chǎn)能15萬片。
圖片來源：江都經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)
成立僅三年，百識電子融資不斷，擴(kuò)產(chǎn)不斷。據(jù)不完全統(tǒng)計，目前，公司共完成4輪融資，融資總額超4.5億元；共建設(shè)三個項(xiàng)目，合計48億元。
2019年6月，百識半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)。
項(xiàng)目總投資10億元，計劃在浦口經(jīng)開區(qū)投資建設(shè)研發(fā)中心及生產(chǎn)線，整合海外創(chuàng)新技術(shù)與國內(nèi)產(chǎn)業(yè)資源，對第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵外延片設(shè)計和管件制程等進(jìn)行研發(fā)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于信息、新能源發(fā)電、新能源汽車、無人駕駛、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。計劃項(xiàng)目投產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值7億元。
此后僅兩月，百識電子成立。
公司主要生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC on SiC，針對高壓、高功率以及射頻微波等應(yīng)用市場提供碳化硅及氮化鎵外延代工服務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于馬達(dá)逆變器、太陽能光伏逆變器、動車OBC及充電樁、行動裝置電源適配器、5G基站PA等。
融資方面，2019年12月，百識電子宣布完成5000萬元天使輪融資，專注第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，由和利資本領(lǐng)投，團(tuán)隊(duì)跟投。
2020年9月，百識電子宣布完成Pre-A輪融資，融資總額過億元，投資機(jī)構(gòu)包括和利 資本、臺達(dá)電等，融資主要將用于建廠及生產(chǎn)設(shè)備購入。
2022年3月，百識電子宣布完成A輪融資，融資總額過3億元人民幣，將主要用于擴(kuò)產(chǎn)及購入生產(chǎn)設(shè)備。本輪融資由杭實(shí)資管領(lǐng)投，毅達(dá)資本、華映資本、阿晨科技、科泓投資、涌鏵投資、GRC富華資本、福熙投資等知名投資方跟投，老股東亞昌投資、金浦投資繼續(xù)加碼。
項(xiàng)目建設(shè)方面，2020年9月，百識第三代半導(dǎo)體6英寸晶圓制造項(xiàng)目成功簽約南京浦口。
項(xiàng)目由百識電子建設(shè)，總投資30億元，擬用地80畝，建立第三代半導(dǎo)體外延片+器件專業(yè)代工，可以承接國內(nèi)外IDM與design house的委托制作訂單，串接國內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈，達(dá)到第三代半導(dǎo)體芯片國造的目標(biāo)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G基站、電動車、雷達(dá)、快速充電器等。
2022年1月，百識電子半導(dǎo)體項(xiàng)目在揚(yáng)州江都開發(fā)區(qū)簽約，計劃投資8億元，主要生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體外延片。（文：集邦化合物半導(dǎo)體）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。